公开(公告)号：US4186410A

公开(公告)日：1980-01-29

申请号：US919624

申请日：1978-06-27

申请人： Alfred Y. Cho ,  James V. Di Lorenzo ,  William C. Niehaus

发明人： Alfred Y. Cho ,  James V. Di Lorenzo ,  William C. Niehaus

IPC分类号： H01L29/43 ,  H01L21/203 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L29/45 ,  H01L29/812 ,  H01L29/80 ,  H01L23/48 ,  H01L29/46

CPC分类号： H01L29/812 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/452 ,  Y10S148/018 ,  Y10S148/02 ,  Y10S148/088

摘要： A nonalloyed ohmic contact (110-112, 120-122) to an n-type Group III(a)-V(a) compound semiconductor body (102-104) is formed by epitaxially growing a Group III(a)-V(a) n.sup.++ -layer (106-108, 106'-108') doped to at least 10.sup.19 cm.sup.-3 between the semiconductor body and a metal contact layer (110-112). The metal layer forms an ohmic contact without requiring heating above the eutectic temperature. In order to avoid contamination of the metal-semiconductor interface, a metal contact layer (120-122) may be deposited in situ after MBE growth of the n.sup.++ -layer. This technique results in both a metal-semiconductor interface with smoother morphology and also an ohmic contact without heating above the eutectic temperature. These procedures are specifically described with reference to the fabrication of GaAs FETs.

摘要翻译： 通过外延生长III族（a）-V（a）-V（a）-V（a）化合物半导体本体（102-104）的非合金欧姆接触（110-112,120-122） a）在半导体本体和金属接触层（110-112）之间掺杂至至少1019cm-3的n ++层（106-108,106'-108'）。 金属层形成欧姆接触，而不需要高于共晶温度的加热。 为了避免金属 - 半导体界面的污染，金属接触层（120-122）可以在n ++层的MBE生长之后原位沉积。 该技术导致具有更平滑形态的金属 - 半导体界面以及不超过共晶温度的加热的欧姆接触。 参考GaAs FET的制造具体描述这些步骤。