公开(公告)号：US08212248B2

公开(公告)日：2012-07-03

申请号：US12742977

申请日：2008-12-25

申请人： Naho Itagaki ,  Amita Goyal ,  Tatsuya Iwasaki

发明人： Naho Itagaki ,  Amita Goyal ,  Tatsuya Iwasaki

IPC分类号： H01L29/10

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： An amorphous oxide at least includes: at least one element selected from the group consisting of In, Zn, and Sn; and Mo. An atomic composition ratio of Mo to a number of all metallic atoms in the amorphous oxide is 0.1 atom % or higher and 5 atom % or lower.

摘要翻译： 无定形氧化物至少包括：选自In，Zn和Sn中的至少一种元素; 和Mo。无定形氧化物中Mo与全部金属原子数的原子组成比为0.1原子％以上且5原子％以下。

公开(公告)号：US20110175081A1

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：US12809096

申请日：2009-01-30

申请人： Amita Goyal ,  Naho Itagaki ,  Tatsuya Iwasaki

发明人： Amita Goyal ,  Naho Itagaki ,  Tatsuya Iwasaki

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  C23C14/086

摘要： A thin film transistor includes a gate electrode, a gate insulation layer, a channel layer, a source electrode, and a drain electrode formed on a substrate, in which: the channel layer contains indium, germanium, and oxygen; and the channel layer has a compositional ratio expressed by In/(In+Ge) of 0.5 or more and 0.97 or less.

摘要翻译： 薄膜晶体管包括形成在基板上的栅电极，栅极绝缘层，沟道层，源电极和漏电极，其中：沟道层包含铟，锗和氧; 并且沟道层具有由In /（In + Ge）表示的组成比为0.5以上且0.97以下。

公开(公告)号：US08742412B2

公开(公告)日：2014-06-03

申请号：US12809096

申请日：2009-01-30

申请人： Amita Goyal ,  Naho Itagaki ,  Tatsuya Iwasaki

发明人： Amita Goyal ,  Naho Itagaki ,  Tatsuya Iwasaki

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  C23C14/086

摘要： A thin film transistor includes a gate electrode, a gate insulation layer, a channel layer, a source electrode, and a drain electrode formed on a substrate, in which: the channel layer contains indium, germanium, and oxygen; and the channel layer has a compositional ratio expressed by In/(In+Ge) of 0.5 or more and 0.97 or less.

摘要翻译： 薄膜晶体管包括形成在基板上的栅电极，栅极绝缘层，沟道层，源电极和漏电极，其中：沟道层包含铟，锗和氧; 并且沟道层具有由In /（In + Ge）表示的组成比为0.5以上且0.97以下。

公开(公告)号：US08314425B2

公开(公告)日：2012-11-20

申请号：US12747601

申请日：2009-01-20

申请人： Tatsuya Iwasaki ,  Amita Goyal ,  Naho Itagaki

发明人： Tatsuya Iwasaki ,  Amita Goyal ,  Naho Itagaki

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： A field-effect transistor includes at least a channel layer, a gate insulating layer, a source electrode, a drain electrode, and a gate electrode, which are formed on a substrate. The channel layer is made of an amorphous oxide material that contains at least In and B, and the amorphous oxide material has an element ratio B/(In+B) of 0.05 or higher and 0.29 or lower.

摘要翻译： 场效应晶体管至少包括形成在基板上的沟道层，栅极绝缘层，源电极，漏电极和栅电极。 沟道层由至少含有In和B的无定形氧化物材料制成，无定形氧化物材料的元素比B /（In + B）为0.05以上且0.29以下。

公开(公告)号：US20100276685A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：US12742977

申请日：2008-12-25

申请人： Naho Itagaki ,  Amita Goyal ,  Tatsuya Iwasaki

发明人： Naho Itagaki ,  Amita Goyal ,  Tatsuya Iwasaki

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： An amorphous oxide at least includes: at least one element selected from the group consisting of In, Zn, and Sn; and Mo. An atomic composition ratio of Mo to a number of all metallic atoms in the amorphous oxide is 0.1 atom % or higher and 5 atom % or lower.

摘要翻译： 无定形氧化物至少包括：选自In，Zn和Sn中的至少一种元素; 和Mo。无定形氧化物中Mo与全部金属原子数的原子组成比为0.1原子％以上且5原子％以下。

公开(公告)号：US20100264419A1

公开(公告)日：2010-10-21

申请号：US12747601

申请日：2009-01-20

申请人： Tatsuya Iwasaki ,  Amita Goyal ,  Naho Itagaki

发明人： Tatsuya Iwasaki ,  Amita Goyal ,  Naho Itagaki

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： A field-effect transistor includes at least a channel layer, a gate insulating layer, a source electrode, a drain electrode, and a gate electrode, which are formed on a substrate. The channel layer is made of an amorphous oxide material that contains at least In and B, and the amorphous oxide material has an element ratio B/(In+B) of 0.05 or higher and 0.29 or lower.

摘要翻译： 场效应晶体管至少包括形成在基板上的沟道层，栅极绝缘层，源电极，漏电极和栅电极。 沟道层由至少含有In和B的无定形氧化物材料制成，无定形氧化物材料的元素比B /（In + B）为0.05以上且0.29以下。

公开(公告)号：US20100148170A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12634319

申请日：2009-12-09

申请人： Miki Ueda ,  Tatsuya Iwasaki ,  Naho Itagaki ,  Amita Goyal

发明人： Miki Ueda ,  Tatsuya Iwasaki ,  Naho Itagaki ,  Amita Goyal

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L29/12 ,  H01L21/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： A field-effect transistor provided with at least a semiconductor layer and a gate electrode disposed over the above-described semiconductor layer with a gate insulating film therebetween, wherein the above-described semiconductor layer includes a first amorphous oxide semiconductor layer having at least one element selected from the group of Zn and In, and a second amorphous oxide semiconductor layer having at least one element selected from the group of Ge and Si and at least one element selected from the group of Zn and In. The composition of the above-described first amorphous oxide semiconductor layer is different from the composition of the above-described second amorphous oxide semiconductor layer.

摘要翻译： 一种场效应晶体管，其至少设置有半导体层和设置在上述半导体层上的栅极，其间具有栅极绝缘膜，其中上述半导体层包括具有至少一个元素的第一非晶氧化物半导体层 选自Zn和In组，以及具有选自Ge和Si中的至少一种元素的第二非晶氧化物半导体层和选自Zn和In中的至少一种元素。 上述第一非晶氧化物半导体层的组成与上述第二非晶氧化物半导体层的组成不同。

公开(公告)号：US20130181572A1

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：US13876825

申请日：2011-09-26

申请人： Tetsuo Hino ,  Amita Goyal ,  Sotomitsu Ikeda

发明人： Tetsuo Hino ,  Amita Goyal ,  Sotomitsu Ikeda

IPC分类号： H01L41/08

CPC分类号： H01L41/08 ,  F03G7/005

摘要： Provided is an actuator simultaneously having better deformation response characteristics and larger generative force. The actuator includes a pair of opposing electrodes and an intermediate layer disposed therebetween. The intermediate layer contains at least an electrolyte and includes at least a polymer fiber layer. The polymer fiber layer includes a plurality of polymer fibers crossing each other and intertwined three-dimensionally. The polymer fiber layer has fused portions at intersections of the polymer fibers.

摘要翻译： 同时具有更好的变形响应特性和更大的生成力的致动器。 致动器包括一对相对电极和设置在它们之间的中间层。 中间层至少含有电解质，至少含有聚合物纤维层。 聚合物纤维层包括彼此交叉并交织在一起的多个聚合物纤维。 聚合物纤维层在聚合物纤维的交叉处具有熔融部分。

公开(公告)号：US20120032553A1

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：US13196676

申请日：2011-08-02

申请人： Amita Goyal ,  Jun Yamamoto

发明人： Amita Goyal ,  Jun Yamamoto

IPC分类号： H02N11/00

CPC分类号： F03G7/005

摘要： An expansion and contraction actuator has a first long actuator portion and a second long actuator portion that face each other and connection members that connect the long sides of each of the first long actuator portion and the second long actuator portion to each other, in which a part of the first long actuator portion and a part of the second long actuator portion are apart from each other to thereby form a hollow structure, the first long actuator portion and the second long actuator portion each have a pair of long electrodes and a long electrolyte layer having an electrolyte, long internal electrodes thereof are the same cathode or anode electrodes, long external electrodes thereof are counter electrodes thereto, and the actuator expands and contracts in the direction of the screw axis by voltage application.

摘要翻译： 膨胀和收缩致动器具有彼此相对的第一长致动器部分和第二长致动器部分以及将第一长致动器部分和第二长致动器部分中的每一个的长边彼此连接的连接部件，其中 第一长致动器部分的一部分和第二长致动器部分的一部分彼此分开，从而形成中空结构，第一长致动器部分和第二长致动器部分各自具有一对长电极和长电解质 具有电解质的层，其长的内部电极是相同的阴极或阳极电极，其长的外部电极是其对电极，并且致动器通过施加电压而沿螺杆轴的方向膨胀和收缩。

公开(公告)号：US08994246B2

公开(公告)日：2015-03-31

申请号：US13876825

申请日：2011-09-26

申请人： Tetsuo Hino ,  Amita Goyal ,  Sotomitsu Ikeda

发明人： Tetsuo Hino ,  Amita Goyal ,  Sotomitsu Ikeda

IPC分类号： H02N11/00 ,  B29C43/10

CPC分类号： H01L41/08 ,  F03G7/005

摘要： Provided is an actuator simultaneously having better deformation response characteristics and larger generative force. The actuator includes a pair of opposing electrodes and an intermediate layer disposed therebetween. The intermediate layer contains at least an electrolyte and includes at least a polymer fiber layer. The polymer fiber layer includes a plurality of polymer fibers crossing each other and intertwined three-dimensionally. The polymer fiber layer has fused portions at intersections of the polymer fibers.

摘要翻译： 同时具有更好的变形响应特性和更大的生成力的致动器。 致动器包括一对相对电极和设置在它们之间的中间层。 中间层至少含有电解质，至少含有聚合物纤维层。 聚合物纤维层包括彼此交叉并交织在一起的多个聚合物纤维。 聚合物纤维层在聚合物纤维的交叉处具有熔融部分。