公开(公告)号：US20110111603A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US12953220

申请日：2010-11-23

申请人： BARRY L. CHIN ,  ALFRED W. MAK ,  LAWRENCE CHUNG-LAI LEI ,  MING XI ,  HUA CHUNG ,  KEN KAUNG LAI ,  JEONG SOO BYUN

发明人： BARRY L. CHIN ,  ALFRED W. MAK ,  LAWRENCE CHUNG-LAI LEI ,  MING XI ,  HUA CHUNG ,  KEN KAUNG LAI ,  JEONG SOO BYUN

IPC分类号： H01L21/465 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4583

摘要： A method and apparatus for atomic layer deposition (ALD) is described. The apparatus comprises a deposition chamber and a wafer support. The deposition chamber is divided into two or more deposition regions that are integrally connected one to another. The wafer support is movable between the two or more interconnected deposition regions within the deposition chamber.

摘要翻译： 描述了用于原子层沉积（ALD）的方法和装置。 该装置包括沉积室和晶片支架。 沉积室被分成两个或更多个彼此一体地连接的沉积区域。 晶片支撑件可在沉积室内的两个或更多互连的沉积区域之间移动。