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    ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS
    1.
    发明申请
    ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS 有权
    原子层沉积装置

    公开(公告)号：US20120006265A1

    公开(公告)日：2012-01-12

    申请号：US13235855

    申请日：2011-09-19

    申请人： BARRY L. CHIN ,  Alfred W. Mak ,  Lawrence Chung-Lai Lei ,  Ming Xi ,  Hua Chung ,  Ken Kaung Lai ,  Jeong Soo Byun

    发明人： BARRY L. CHIN ,  Alfred W. Mak ,  Lawrence Chung-Lai Lei ,  Ming Xi ,  Hua Chung ,  Ken Kaung Lai ,  Jeong Soo Byun

    IPC分类号： C23C16/455

    CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4583

    摘要： A method and apparatus for atomic layer deposition (ALD) is described. In one embodiment, an apparatus comprises a vacuum chamber body having a contiguous internal volume comprised of a first deposition region spaced-apart from a second deposition region, the chamber body having a feature operable to minimize intermixing of gases between the first and the second deposition regions, a first gas port formed in the chamber body and positioned to pulse gas preferentially to the first deposition region to enable a first deposition process to be performed in the first deposition region, and a second gas port formed in the chamber body and positioned to pulse gas preferentially to the second deposition region to enable a second deposition process to be performed in the second deposition region is provided.

    摘要翻译： 描述了用于原子层沉积（ALD）的方法和装置。 在一个实施例中，一种装置包括具有连续的内部容积的真空室主体，其包括与第二沉积区域间隔开的第一沉积区域，所述室主体具有可操作以最小化第一和第二沉积物之间的气体混合的特征 区域，形成在所述室主体中并且定位成优先地将气体脉冲至所述第一沉积区域的第一气体端口，以使得能够在所述第一沉积区域中执行第一沉积工艺，以及形成在所述室主体中并定位成 优选提供脉冲气体到第二沉积区域以使得能够在第二沉积区域中进行第二沉积工艺。