公开(公告)号：US20060124923A1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：US11167485

申请日：2005-06-27

申请人： Yiliang Wu ,  Beng Ong ,  Yu Qi ,  Yuning Li

发明人： Yiliang Wu ,  Beng Ong ,  Yu Qi ,  Yuning Li

IPC分类号： H01L29/08

CPC分类号： H01L51/0541 ,  H01L51/0067

摘要： A thin film transistor composed of a semiconductor layer including an optionally substituted indolocarbazole.

公开(公告)号：US20060214155A1

公开(公告)日：2006-09-28

申请号：US11167512

申请日：2005-06-27

申请人： Beng Ong ,  Yu Qi ,  Yiliang Wu ,  Yuning Li

发明人： Beng Ong ,  Yu Qi ,  Yiliang Wu ,  Yuning Li

IPC分类号： H01L29/08 ,  C07D487/14 ,  C07D487/02 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0072 ,  C07D487/04 ,  C07D487/14 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： A compound composed of a plurality of optionally substituted indolocarbazole moieties which are the same or different from each other.

公开(公告)号：US20060125009A1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：US11011441

申请日：2004-12-14

申请人： Yiliang Wu ,  Beng Ong ,  Yu Qi ,  Yuning Li

发明人： Yiliang Wu ,  Beng Ong ,  Yu Qi ,  Yuning Li

IPC分类号： H01L27/12

CPC分类号： H01L51/0072 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0541

摘要： A thin film transistor composed of a semiconductor layer including an optionally substituted indolocarbazole.

摘要翻译： 一种由包括任选取代的吲哚咔唑的半导体层组成的薄膜晶体管。

公开(公告)号：US20060124921A1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：US11011678

申请日：2004-12-14

申请人： Beng Ong ,  Yu Qi ,  Yiliang Wu ,  Yuning Li

发明人： Beng Ong ,  Yu Qi ,  Yiliang Wu ,  Yuning Li

IPC分类号： H01L29/08 ,  C07D487/02

CPC分类号： H01L51/0072 ,  C07D487/04 ,  C07D487/14 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： A compound composed of a plurality of optionally substituted indolocarbazole moieties which are the same or different from each other.

摘要翻译： 由多个彼此相同或不同的任选取代的吲哚咔唑部分组成的化合物。

公开(公告)号：US20080103314A1

公开(公告)日：2008-05-01

申请号：US11957927

申请日：2007-12-17

申请人： Yuning Li ,  Beng Ong ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

发明人： Yuning Li ,  Beng Ong ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

IPC分类号： C07D209/56

CPC分类号： H01L51/0036 ,  C07D487/04 ,  C08G61/124 ,  C08G61/126

摘要： A small molecule compound including at least one type of an optionally substituted indolocarbazole moiety and at least one divalent linkage.

摘要翻译： 包括至少一种类型的任选取代的吲哚咔唑部分和至少一个二价键的小分子化合物。

公开(公告)号：US20070235722A1

公开(公告)日：2007-10-11

申请号：US11399064

申请日：2006-04-06

申请人： Yuning Li ,  Beng Ong ,  Yiliang Wu

发明人： Yuning Li ,  Beng Ong ,  Yiliang Wu

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L35/24 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0036 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： An electronic device comprising a semiconductive material of Formula or structure (I) wherein each R1, R2, R3 and R4 are independently hydrogen (H), a heteroatom containing group, a suitable hydrocarbon, or a halogen; Ar and Ar′ each independently represents an aromatic moiety; x, y, a, b, c, d, e, f and g represent the number of groups or rings, respectively; Z represents sulfur, oxygen, selenium, or NR′″ wherein R′″ is hydrogen, alkyl, or aryl; and n represents the number of repeating units.

摘要翻译： 一种电子器件，其包含式或结构（I）的半导体材料，其中每个R 1，R 2，R 3和R 3， 4个独立地是氢（H），含杂原子的基团，合适的烃或卤素; Ar和Ar'各自独立地表示芳族部分; x，y，a，b，c，d，e，f和g分别表示基团或环的数目; Z表示硫，氧，硒或NR“，其中R”“是氢，烷基或芳基; n表示重复单元的数量。

公开(公告)号：US20070112172A1

公开(公告)日：2007-05-17

申请号：US11280552

申请日：2005-11-16

申请人： Yuning Li ,  Beng Ong ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

发明人： Yuning Li ,  Beng Ong ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

IPC分类号： C08G75/32 ,  C07D487/02

CPC分类号： H01L51/0036 ,  C07D487/04 ,  C08G61/124 ,  C08G61/126

摘要： A compound including at least one type of an optionally substituted indolocarbazole moiety and at least one divalent linkage.

摘要翻译： 包括至少一种类型的任选取代的吲哚咔唑部分和至少一个二价键的化合物。

公开(公告)号：US20070020798A1

公开(公告)日：2007-01-25

申请号：US11187552

申请日：2005-07-22

申请人： Yiliang Wu ,  Beng Ong ,  Yuning Li

发明人： Yiliang Wu ,  Beng Ong ,  Yuning Li

IPC分类号： H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0545 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/105 ,  H01L2251/5369

摘要： A method is disclosed for making a metal electrode which minimizes the contact resistance between it and an organic semiconductor. Acid-stabilized metal nanoparticles are deposited upon a substrate and annealed. This creates a metal electrode and releases acid. Upon deposition of semiconductor and subsequent annealing, the acid diffuses from the electrode into the semiconductor layer and acts as a dopant, minimizing the contact resistance. The use of oleic acid-stabilized silver nanoparticles is demonstrated.

公开(公告)号：US20070235725A1

公开(公告)日：2007-10-11

申请号：US11399169

申请日：2006-04-06

申请人： Yuning Li ,  Beng Ong ,  Yiliang Wu

发明人： Yuning Li ,  Beng Ong ,  Yiliang Wu

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L35/24 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0041 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： An electronic device comprising a polymer of Formula (I) wherein at least one of R1 and R2 is a suitable hydrocarbon, hydrogen, a heteroatom containing group, or a halogen; Ar and Ar′ represent an aromatic moiety; x, y, a, b, c, d, e, f, and g represent the number of groups or rings, respectively; and n represents the number of repeating units.

摘要翻译： 一种包含式（I）的聚合物的电子器件，其中R 1和R 2中的至少一个是合适的烃，氢，含杂原子的基团或卤素 ; Ar和Ar'表示芳族部分; x，y，a，b，c，d，e，f和g分别表示基团或环的数目; n表示重复单元的数量。

公开(公告)号：US20070235723A1

公开(公告)日：2007-10-11

申请号：US11399092

申请日：2006-04-06

申请人： Yuning Li ,  Beng Ong ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

发明人： Yuning Li ,  Beng Ong ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

IPC分类号： H01L51/00 ,  C08G73/06

CPC分类号： C08G61/122 ,  C08G73/06 ,  C08G73/0688 ,  C08G73/0694 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： An electronic device like a thin film transistor containing an arylamine polymer of the formula wherein Ar is aryl or heteroaryl; X represents CH2, sulfur, oxygen, selenium, NR′, or SiR″2 wherein R′ and R″ are each a suitable hydrocarbon; m represents the number of X substituents; and n represents the number of repeating units.

摘要翻译： 一种电子器件，如含有下式芳基胺聚合物的薄膜晶体管，其中Ar为芳基或杂芳基; X表示CH 2，硫，氧，硒，NR'或SiR“2，其中R'和R”各自为合适的烃; m表示X取代基的数目; n表示重复单元的数量。