公开(公告)号：US06947275B1

公开(公告)日：2005-09-20

申请号：US10711975

申请日：2004-10-18

申请人： Brent A Anderson ,  Andres Bryant ,  Edward J. Nowak ,  Jed H. Rankin

发明人： Brent A Anderson ,  Andres Bryant ,  Edward J. Nowak ,  Jed H. Rankin

IPC分类号： H01G4/005 ,  H01G4/012 ,  H01G4/06 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/84 ,  H01L27/108 ,  H01L27/13

CPC分类号： H01G4/012 ,  H01G4/06 ,  H01G4/33 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/13 ,  H01L28/92 ,  Y10T29/435

摘要： Disclosed is a capacitor structure and method for forming the same. This structure has a conductive substrate, conductive fins extending above the substrate, and trenches extending into the substrate. These trenches are positioned between locations where the fins extend above the substrate. The invention includes an insulator in the trenches and covering the fins. This insulator separates the substrate and fins from a conductive top plate that covers the fins and fills the trenches. A bottom plate contact electrically connects the fins and the substrate such that the fins and the substrate comprise a bottom plate of the capacitor structure.

摘要翻译： 公开了一种电容器结构及其形成方法。 该结构具有导电基板，在基板上方延伸的导电翅片和延伸到基板中的沟槽。 这些沟槽位于翅片在衬底上方延伸的位置之间。 本发明包括沟槽中的绝缘体并覆盖翅片。 该绝缘体将基板和散热片与覆盖翅片的导电顶板隔开并填充沟槽。 底板接触件电连接散热片和基板，使得散热片和基板包括电容器结构的底板。

公开(公告)号：US07087506B2

公开(公告)日：2006-08-08

申请号：US10604116

申请日：2003-06-26

申请人： Brent A Anderson ,  Edward J Nowak ,  BethAnn Rainey

发明人： Brent A Anderson ,  Edward J Nowak ,  BethAnn Rainey

IPC分类号： H01L21/324

CPC分类号： H01L21/02595 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/2022 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： A method of providing a freestanding semiconductor layer on a conventional SOI or bulk-substrate silicon device includes forming an amorphous or polycrystalline mandrel on a monocrystalline base structure. A conformal polycrystalline semiconductor layer is then formed on the mandrel and on the base structure, wherein the polycrystalline layer contacts the base structure. The polycrystalline semiconductor layer is then recrystallized so that it has a crystallinity substantially similar to that of the base structure. Thus, a freestanding semiconductor layer is formed with a high degree of control of the thickness and height thereof and maintaining a uniformity of thickness.

摘要翻译： 在传统的SOI或体衬底硅器件上提供独立半导体层的方法包括在单晶基底结构上形成非晶或多晶心轴。 然后在心轴和基底结构上形成共形多晶半导体层，其中多晶层接触基底结构。 然后将多晶半导体层重结晶，使其具有与基础结构基本相似的结晶度。 因此，以高度控制其厚度和高度的方式形成独立的半导体层并保持厚度的均匀性。