公开(公告)号：US08865599B2

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：US13672527

申请日：2012-11-08

Applicant: Brewer Science Inc.

Inventor： Dongshun Bai ,  Xie Shao ,  Michelle Fowler ,  Tingji Tang

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  C09D127/18 ,  H01L29/02 ,  B81C1/00 ,  C08L33/16 ,  C08L33/14

CPC classification number: H01L21/31058 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0119 ,  C08L33/14 ,  C08L33/16 ,  C09D127/18 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/0271 ,  H01L29/02 ,  Y10S438/958

Abstract: Planarization methods and microelectronic structures formed therefrom are disclosed. The methods and structures use planarization materials comprising fluorinated compounds or acetoacetylated compounds. The materials are self-leveling and achieve planarization over topography without the use of etching, contact planarization, chemical mechanical polishing, or other conventional planarization techniques.

Abstract translation: 公开了由此形成的平面化方法和微电子结构。 方法和结构使用包含氟化化合物或乙酰乙酰化化合物的平面化材料。 材料是自流平的，并且在不使用蚀刻，接触平面化，化学机械抛光或其它常规平面化技术的情况下实现平面化。

公开(公告)号：US20130113086A1

公开(公告)日：2013-05-09

申请号：US13672527

申请日：2012-11-08

Applicant: Brewer Science Inc.

Inventor： Dongshun Bai ,  Xie Shao ,  Michelle Fowler ,  Tingji Tang

IPC: H01L21/3105 ,  H01L29/02 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/31058 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0119 ,  C08L33/14 ,  C08L33/16 ,  C09D127/18 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/0271 ,  H01L29/02 ,  Y10S438/958

Abstract: Planarization methods and microelectronic structures formed therefrom are disclosed. The methods and structures use planarization materials comprising fluorinated compounds or acetoacetylated compounds. The materials are self-leveling and achieve planarization over topography without the use of etching, contact planarization, chemical mechanical polishing, or other conventional planarization techniques.

Abstract translation: 公开了由此形成的平面化方法和微电子结构。 方法和结构使用包含氟化化合物或乙酰乙酰化化合物的平面化材料。 材料是自流平的，并且在不使用蚀刻，接触平面化，化学机械抛光或其它常规平面化技术的情况下实现平面化。