公开(公告)号：US20130064008A1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：US13604688

申请日：2012-09-06

申请人： CHAN-KYUNG KIM ,  HONG-SUN HWANG ,  CHUL-WOO PARK ,  SANG-BEOM KANG ,  HYUNG-ROK OH

发明人： CHAN-KYUNG KIM ,  HONG-SUN HWANG ,  CHUL-WOO PARK ,  SANG-BEOM KANG ,  HYUNG-ROK OH

IPC分类号： G11C7/10 ,  G11C11/02

CPC分类号： G11C5/145 ,  G11C7/12 ,  G11C11/1673

摘要： A nonvolatile memory device comprises a nonvolatile cell array comprising a memory cell and a reference cell, a clamping circuit electrically connected to the memory cell and configured to clamp a voltage applied to a data sensing line during a read operation, and a clamping voltage generation unit configured to generate a clamping voltage responsive to a first voltage having a level based on the reference cell, and to feed back the clamping voltage to the clamping circuit.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括非易失性单元阵列，其包括存储单元和参考单元，钳位电路电连接到存储单元并且被配置为在读取操作期间钳位施加到数据感测线的电压，以及钳位电压产生单元 被配置为响应于具有基于参考单元的电平的第一电压产生钳位电压，并且将钳位电压反馈到钳位电路。

公开(公告)号：US20130322162A1

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：US13907223

申请日：2013-05-31

申请人： YUN-SANG LEE ,  DONG-SEOK KANG ,  SANG-BEOM KANG ,  CHAN-KYUNG KIM ,  CHUL-WOO PARK ,  DONG-HYUN SOHN ,  HYUNG-ROK OH

发明人： YUN-SANG LEE ,  DONG-SEOK KANG ,  SANG-BEOM KANG ,  CHAN-KYUNG KIM ,  CHUL-WOO PARK ,  DONG-HYUN SOHN ,  HYUNG-ROK OH

IPC分类号： G11C11/16 ,  G11C7/12

CPC分类号： G11C11/1653 ,  G11C7/12 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1693 ,  G11C11/1697

摘要： A semiconductor memory device includes a cell array including one or more bank groups, where each of the one or more bank groups includes a plurality of banks and each of the plurality of banks includes a plurality of spin transfer torque magneto resistive random access memory (STT-MRAM) cells. The semiconductor memory device further includes a source voltage generating unit for applying a voltage to a source line connected to the each of the plurality of STT-MRAM cells, and a command decoder for decoding a command from an external source in order to perform read and write operations on the plurality of STT-MRAM cells. The command includes a combination of at least one signal of a row address strobe (RAS), a column address strobe (CAS), a chip selecting signal (CS), a write enable signal (WE), and a clock enable signal (CKE)

摘要翻译： 半导体存储器件包括一个单元阵列，其包括一个或多个存储体组，其中一个或多个存储体组中的每个组包括多个存储体，并且多个存储体中的每一个存储体包括多个自旋传递转矩磁阻随机存取存储器（STT -MRAM）细胞。 半导体存储器件还包括用于向连接到多个STT-MRAM单元中的每一个的源极线施加电压的源极电压产生单元，以及用于对来自外部源的命令进行解码的命令解码器，以执行读取和 对多个STT-MRAM单元进行写入操作。 该命令包括行地址选通（RAS），列地址选通（CAS），片选信号（CS），写使能信号（WE）和时钟使能信号（CKE）的至少一个信号 ）