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    Semiconductor device and manufacturing method thereof
    1.
    发明授权
    Semiconductor device and manufacturing method thereof 有权
    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号：US08575043B2

    公开(公告)日：2013-11-05

    申请号：US13191430

    申请日：2011-07-26

    申请人： Chan-Lon Yang ,  Tzu-Feng Kuo ,  Hsin-Huei Wu ,  Ching-I Li ,  Shu-Yen Chan

    发明人： Chan-Lon Yang ,  Tzu-Feng Kuo ,  Hsin-Huei Wu ,  Ching-I Li ,  Shu-Yen Chan

    IPC分类号： H01L21/00 ,  B23K26/02 ,  B23K26/08

    CPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/26586

    摘要： A semiconductor device includes a plurality of active areas disposed on a semiconductor substrate. A manufacturing method of the semiconductor device includes performing a first annealing process on the semiconductor substrate by emitting a first laser alone a first scanning direction, and performing a second annealing process on the semiconductor substrate by emitting a second laser alone a second scanning direction. The first scanning direction and the second scanning direction have an included angle.

    摘要翻译： 半导体器件包括设置在半导体衬底上的多个有源区。 半导体器件的制造方法包括：通过在第一扫描方向上单独地发射第一激光，对半导体衬底进行第一退火处理，并且通过在第二扫描方向上单独地发射第二激光，对半导体衬底进行第二退火处理。 第一扫描方向和第二扫描方向具有夹角。

    SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
    2.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 有权
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20130026543A1

    公开(公告)日：2013-01-31

    申请号：US13191430

    申请日：2011-07-26

    申请人： Chan-Lon Yang ,  Tzu-Feng Kuo ,  Hsin-Huei Wu ,  Ching-I Li ,  Shu-Yen Chan

    发明人： Chan-Lon Yang ,  Tzu-Feng Kuo ,  Hsin-Huei Wu ,  Ching-I Li ,  Shu-Yen Chan

    IPC分类号： H01L21/268 ,  H01L29/772

    CPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/26586

    摘要： A semiconductor device includes a plurality of active areas disposed on a semiconductor substrate. A manufacturing method of the semiconductor device includes performing a first annealing process on the semiconductor substrate by emitting a first laser alone a first scanning direction, and performing a second annealing process on the semiconductor substrate by emitting a second laser alone a second scanning direction. The first scanning direction and the second scanning direction have an incident angle.

    摘要翻译： 半导体器件包括设置在半导体衬底上的多个有源区。 半导体器件的制造方法包括：通过在第一扫描方向上单独地发射第一激光，对半导体衬底进行第一退火处理，并且通过在第二扫描方向上单独地发射第二激光，对半导体衬底进行第二退火处理。 第一扫描方向和第二扫描方向具有入射角。

    SEMICONDUCTOR PROCESS
    3.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR PROCESS 有权
    半导体工艺

    公开(公告)号：US20130052778A1

    公开(公告)日：2013-02-28

    申请号：US13216259

    申请日：2011-08-24

    申请人： Chin-I Liao ,  Chia-Lin Hsu ,  Ming-Yen Li ,  Hsin-Huei Wu ,  Yung-Lun Hsieh ,  Chien-Hao Chen ,  Bo-Syuan Lee

    发明人： Chin-I Liao ,  Chia-Lin Hsu ,  Ming-Yen Li ,  Hsin-Huei Wu ,  Yung-Lun Hsieh ,  Chien-Hao Chen ,  Bo-Syuan Lee

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L29/66628

    摘要： A semiconductor process includes the following steps. A substrate is provided. At least a fin-shaped structure is formed on the substrate. An oxide layer is formed on the substrate without the fin-shaped structure being formed thereon. A gate is formed to cover a part of the oxide layer and a part of the fin-shaped structure. An etching process is performed to etch a part of the fin-shaped structure beside the gate, therefore at least a recess is formed in the fin-shaped structure. An epitaxial process is performed to form an epitaxial layer in the recess, wherein the epitaxial layer has a hexagon-shaped profile structure.

    摘要翻译： 半导体工艺包括以下步骤。 提供基板。 在基板上形成至少一个鳍状结构。 在基板上形成氧化层，而不形成鳍状结构。 形成栅极以覆盖氧化物层的一部分和鳍状结构的一部分。 进行蚀刻处理以蚀刻栅极旁边的鳍状结构的一部分，因此在鳍状结构中至少形成凹部。 执行外延工艺以在凹部中形成外延层，其中外延层具有六边形轮廓结构。

    Semiconductor process
    5.
    发明授权
    Semiconductor process 有权
    半导体工艺

    公开(公告)号：US08674433B2

    公开(公告)日：2014-03-18

    申请号：US13216259

    申请日：2011-08-24

    申请人： Chin-I Liao ,  Chia-Lin Hsu ,  Ming-Yen Li ,  Hsin-Huei Wu ,  Yung-Lun Hsieh ,  Chien-Hao Chen ,  Bo-Syuan Lee

    发明人： Chin-I Liao ,  Chia-Lin Hsu ,  Ming-Yen Li ,  Hsin-Huei Wu ,  Yung-Lun Hsieh ,  Chien-Hao Chen ,  Bo-Syuan Lee

    IPC分类号： H01L29/66

    CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L29/66628

    摘要： A semiconductor process includes the following steps. A substrate is provided. At least a fin-shaped structure is formed on the substrate. An oxide layer is formed on the substrate without the fin-shaped structure being formed thereon. A gate is formed to cover a part of the oxide layer and a part of the fin-shaped structure. An etching process is performed to etch a part of the fin-shaped structure beside the gate, therefore at least a recess is formed in the fin-shaped structure. An epitaxial process is performed to form an epitaxial layer in the recess, wherein the epitaxial layer has a hexagon-shaped profile structure.

    摘要翻译： 半导体工艺包括以下步骤。 提供基板。 在基板上形成至少一个鳍状结构。 在基板上形成氧化层，而不形成鳍状结构。 形成栅极以覆盖氧化物层的一部分和鳍状结构的一部分。 进行蚀刻处理以蚀刻栅极旁边的鳍状结构的一部分，因此在鳍状结构中至少形成凹部。 执行外延工艺以在凹部中形成外延层，其中外延层具有六边形轮廓结构。