公开(公告)号：US08183626B2

公开(公告)日：2012-05-22

申请号：US13027097

申请日：2011-02-14

申请人： Chen-Liang Chu ,  Chun-Ting Liao ,  Tsung-Yi Huang ,  Fei-Yuh Chen

发明人： Chen-Liang Chu ,  Chun-Ting Liao ,  Tsung-Yi Huang ,  Fei-Yuh Chen

IPC分类号： H01L27/06

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

摘要： An integrated circuit structure includes a high-voltage well (HVW) region in a semiconductor substrate; a first double diffusion (DD) region in the HVW region; and a second DD region in the HVW region. The first DD region and the second DD region are spaced apart from each other by an intermediate portion of the HVW region. A recess extends from a top surface of the semiconductor substrate into the intermediate portion of the HVW region and the second DD region. A gate dielectric extends into the recess and covers a bottom of the recess. A gate electrode is over the gate dielectric. A first source/drain region is in the first DD region. A second source/drain region is in the second DD region.

摘要翻译： 集成电路结构包括半导体衬底中的高电压阱（HVW）区域; HVW区域中的第一双扩散（DD）区域; 和HVW区域中的第二DD区域。 第一DD区域和第二DD区域通过HVW区域的中间部分彼此间隔开。 凹部从半导体衬底的顶表面延伸到HVW区域和第二DD区域的中间部分。 栅极电介质延伸到凹部中并覆盖凹部的底部。 栅极电极在栅极电介质上方。 第一源/漏区在第一DD区。 第二个源极/漏极区域位于第二个DD区域。

公开(公告)号：US20110163375A1

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：US13027097

申请日：2011-02-14

申请人： Chen-Liang Chu ,  Chun-Ting Liao ,  Tsung-Yi Huang ,  Fei-Yuh Chen

发明人： Chen-Liang Chu ,  Chun-Ting Liao ,  Tsung-Yi Huang ,  Fei-Yuh Chen

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

摘要： An integrated circuit structure includes a high-voltage well (HVW) region in a semiconductor substrate; a first double diffusion (DD) region in the HVW region; and a second DD region in the HVW region. The first DD region and the second DD region are spaced apart from each other by an intermediate portion of the HVW region. A recess extends from a top surface of the semiconductor substrate into the intermediate portion of the HVW region and the second DD region. A gate dielectric extends into the recess and covers a bottom of the recess. A gate electrode is over the gate dielectric. A first source/drain region is in the first DD region. A second source/drain region is in the second DD region.

摘要翻译： 集成电路结构包括半导体衬底中的高电压阱（HVW）区域; HVW区域中的第一双扩散（DD）区域; 和HVW区域中的第二DD区域。 第一DD区域和第二DD区域通过HVW区域的中间部分彼此间隔开。 凹部从半导体衬底的顶表面延伸到HVW区域和第二DD区域的中间部分。 栅极电介质延伸到凹部中并覆盖凹部的底部。 栅极电极在栅极电介质上方。 第一源/漏区在第一DD区。 第二个源极/漏极区域位于第二个DD区域。

公开(公告)号：US20100140687A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12328277

申请日：2008-12-04

申请人： Chen-Liang Chu ,  Chun-Ting Liao ,  Tsung-Yi Huang ,  Fei-Yuh Chen

发明人： Chen-Liang Chu ,  Chun-Ting Liao ,  Tsung-Yi Huang ,  Fei-Yuh Chen

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

摘要： An integrated circuit structure includes a high-voltage well (HVW) region in a semiconductor substrate; a first double diffusion (DD) region in the HVW region; and a second DD region in the HVW region. The first DD region and the second DD region are spaced apart from each other by an intermediate portion of the HVW region. A recess extends from a top surface of the semiconductor substrate into the intermediate portion of the HVW region and the second DD region. A gate dielectric extends into the recess and covers a bottom of the recess. A gate electrode is over the gate dielectric. A first source/drain region is in the first DD region. A second source/drain region is in the second DD region.

摘要翻译： 集成电路结构包括半导体衬底中的高电压阱（HVW）区域; HVW区域中的第一双扩散（DD）区域; 和HVW区域中的第二DD区域。 第一DD区域和第二DD区域通过HVW区域的中间部分彼此间隔开。 凹部从半导体衬底的顶表面延伸到HVW区域和第二DD区域的中间部分。 栅极电介质延伸到凹部中并覆盖凹部的底部。 栅极电极在栅极电介质上方。 第一源/漏区在第一DD区。 第二个源极/漏极区域位于第二个DD区域。

公开(公告)号：US07977743B2

公开(公告)日：2011-07-12

申请号：US12392343

申请日：2009-02-25

申请人： Chen-Liang Chu ,  Chun-Ting Liao ,  Fei-Yuh Chen ,  Tsung-Yi Huang

发明人： Chen-Liang Chu ,  Chun-Ting Liao ,  Fei-Yuh Chen ,  Tsung-Yi Huang

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

摘要： A semiconductor device is provided. In an embodiment, the device includes a substrate and a transistor formed on the substrate. The transistor may include a gate structure, a source region, and a drain region. The drain region includes an alternating-doping profile region. The alternating-doping profile region may include alternating regions of high and low concentrations of a dopant. In an embodiment, the transistor is a high voltage transistor.

摘要翻译： 提供半导体器件。 在一个实施例中，该器件包括衬底和形成在衬底上的晶体管。 晶体管可以包括栅极结构，源极区和漏极区。 漏极区域包括交替掺杂分布区域。 交变掺杂剖面区域可以包括掺杂剂的高浓度和低浓度的交替区域。 在一个实施例中，晶体管是高压晶体管。

公开(公告)号：US20100213542A1

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：US12392343

申请日：2009-02-25

申请人： Chen-Liang Chu ,  Chun-Ting Liao ,  Fei-Yuh Chen ,  Tsung-Yi Huang

发明人： Chen-Liang Chu ,  Chun-Ting Liao ,  Fei-Yuh Chen ,  Tsung-Yi Huang

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

摘要： A semiconductor device is provided. In an embodiment, the device includes a substrate and a transistor formed on the substrate. The transistor may include a gate structure, a source region, and a drain region. The drain region includes an alternating-doping profile region. The alternating-doping profile region may include alternating regions of high and low concentrations of a dopant. In an embodiment, the transistor is a high voltage transistor.

摘要翻译： 提供半导体器件。 在一个实施例中，该器件包括衬底和形成在衬底上的晶体管。 晶体管可以包括栅极结构，源极区和漏极区。 漏极区域包括交替掺杂分布区域。 交变掺杂剖面区域可以包括掺杂剂的高浓度和低浓度的交替区域。 在一个实施例中，晶体管是高压晶体管。

公开(公告)号：US08377787B2

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：US13155957

申请日：2011-06-08

申请人： Chen-Liang Chu ,  Chun-Ting Liao ,  Fei-Yuh Chen ,  Tsung-Yi Huang

发明人： Chen-Liang Chu ,  Chun-Ting Liao ,  Fei-Yuh Chen ,  Tsung-Yi Huang

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

摘要： A semiconductor device is provided. In an embodiment, the device includes a substrate and a transistor formed on the semiconductor substrate. The transistor may include a gate structure, a source region, and a drain region. The drain region includes an alternating-doping profile region. The alternating-doping profile region may include alternating regions of high and low concentrations of a dopant. In an embodiment, the transistor is a high voltage transistor.

摘要翻译： 提供半导体器件。 在一个实施例中，该器件包括形成在半导体衬底上的衬底和晶体管。 晶体管可以包括栅极结构，源极区和漏极区。 漏极区域包括交替掺杂分布区域。 交变掺杂剖面区域可以包括掺杂剂的高浓度和低浓度的交替区域。 在一个实施例中，晶体管是高压晶体管。

公开(公告)号：US20110237041A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US13155957

申请日：2011-06-08

申请人： Chen-Liang Chu ,  Chun-Ting Liao ,  Fei-Yuh Chen ,  Tsung-Yi Huang

发明人： Chen-Liang Chu ,  Chun-Ting Liao ,  Fei-Yuh Chen ,  Tsung-Yi Huang

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

摘要： A semiconductor device is provided. In an embodiment, the device includes a substrate and a transistor formed on the semiconductor substrate. The transistor may include a gate structure, a source region, and a drain region. The drain region includes an alternating-doping profile region. The alternating-doping profile region may include alternating regions of high and low concentrations of a dopant. In an embodiment, the transistor is a high voltage transistor.

摘要翻译： 提供半导体器件。 在一个实施例中，该器件包括形成在半导体衬底上的衬底和晶体管。 晶体管可以包括栅极结构，源极区和漏极区。 漏极区域包括交替掺杂分布区域。 交变掺杂剖面区域可以包括掺杂剂的高浓度和低浓度的交替区域。 在一个实施例中，晶体管是高压晶体管。

公开(公告)号：US07888734B2

公开(公告)日：2011-02-15

申请号：US12328277

申请日：2008-12-04

申请人： Chen-Liang Chu ,  Chun-Ting Liao ,  Tsung-Yi Huang ,  Fei-Yuh Chen

发明人： Chen-Liang Chu ,  Chun-Ting Liao ,  Tsung-Yi Huang ,  Fei-Yuh Chen

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

摘要： An integrated circuit structure includes a high-voltage well (HVW) region in a semiconductor substrate; a first double diffusion (DD) region in the HVW region; and a second DD region in the HVW region. The first DD region and the second DD region are spaced apart from each other by an intermediate portion of the HVW region. A recess extends from a top surface of the semiconductor substrate into the intermediate portion of the HVW region and the second DD region. A gate dielectric extends into the recess and covers a bottom of the recess. A gate electrode is over the gate dielectric. A first source/drain region is in the first DD region. A second source/drain region is in the second DD region.

摘要翻译： 集成电路结构包括半导体衬底中的高电压阱（HVW）区域; HVW区域中的第一双扩散（DD）区域; 和HVW区域中的第二DD区域。 第一DD区域和第二DD区域通过HVW区域的中间部分彼此间隔开。 凹部从半导体衬底的顶表面延伸到HVW区域和第二DD区域的中间部分。 栅极电介质延伸到凹部中并覆盖凹部的底部。 栅极电极在栅极电介质上方。 第一源/漏区在第一DD区。 第二个源极/漏极区域位于第二个DD区域。

公开(公告)号：US20080294965A1

公开(公告)日：2008-11-27

申请号：US12126344

申请日：2008-05-23

申请人： Jian-Qiang Ni ,  Dong-Yu He ,  Chun-Ting Liao

发明人： Jian-Qiang Ni ,  Dong-Yu He ,  Chun-Ting Liao

IPC分类号： H03M13/05 ,  G06F11/10

CPC分类号： G06F11/1068

摘要： A data writing method for flash memory and an error correction encoding/decoding method thereof are disclosed. In an embodiment of the data writing method, a 6-bit ECC scheme using a Reed-Solomon code derived from a Galois Field GF (29) is used to encode a data for generating a redundant which requires smaller storing space. In an embodiment of the error correction encoding/decoding method, an erase checking value corresponding to the status where all the bytes of data area and parameter storing area are “0xff” is provided to improve the security of stored data.

摘要翻译： 公开了一种闪速存储器的数据写入方法及其纠错编码/解码方法。 在数据写入方法的一个实施例中，使用从伽罗瓦域GF（29）导出的Reed-Solomon码的6比特ECC方案用于编码用于生成需要较小存储空间的冗余的数据。 在纠错编码/解码方法的实施例中，提供与数据区和参数存储区的全部字节为“0xff”的状态对应的擦除检查值，以提高存储数据的安全性。

公开(公告)号：US20080147966A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：US11958682

申请日：2007-12-18

申请人： Chun-Ting Liao ,  Dong-Yu He ,  Guang-Huan Zhao

发明人： Chun-Ting Liao ,  Dong-Yu He ,  Guang-Huan Zhao

IPC分类号： G06F12/02

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F12/0866

摘要： The present invention discloses a flash memory device, an update method and program search method thereof. The flash memory device includes a read-only memory unit, a flash memory unit and a control unit. The read-only memory unit is used to store a first program code. The flash memory unit is used to store a second program code and digital data. The control unit coupled to the flash memory unit and the read-only memory unit is used to control the operation of the flash memory unit based on the first program code and the second program code. Hence, the upgrade time for the flash memory device can be shortened and the manufacture cost can be reduced.

摘要翻译： 本发明公开了一种闪速存储器件，其更新方法和程序搜索方法。 闪速存储器件包括只读存储器单元，闪存单元和控制单元。 只读存储器单元用于存储第一程序代码。 闪存单元用于存储第二程序代码和数字数据。 耦合到闪存单元和只读存储器单元的控制单元用于基于第一程序代码和第二程序代码来控制闪存单元的操作。 因此，可以缩短闪存器件的升级时间，并且可以降低制造成本。