公开(公告)号：US20130139875A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：US13405728

申请日：2012-02-27

申请人： Chia-Ling LEE ,  Chien-Chung BI

发明人： Chia-Ling LEE ,  Chien-Chung BI

IPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L31/035272 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： The present invention discloses a thin-film solar cell and a method for forming the same. The thin-film solar cell includes a substrate and a semiconductor layer containing a P-type crystalline silicon layer over the substrate, a first I-type crystalline silicon layer on the P-type crystalline silicon layer, a first N-type crystalline silicon layer on the first I-type crystalline silicon layer, a second I-type crystalline silicon layer on the first N-type crystalline silicon layer and a second N-type crystalline silicon layer on the second I-type crystalline silicon layer. Wherein, the semiconductor layer is formed with additional I-type and N-type crystalline silicon layers, thereby enhancing the photoelectric conversion efficiency of the thin-film solar cell.

摘要翻译： 本发明公开了一种薄膜太阳能电池及其制造方法。 薄膜太阳能电池包括基板和在基板上包含P型晶体硅层的半导体层，P型晶体硅层上的第一I型晶体硅层，第一N型晶体硅层 在第一I型晶体硅层上，在第一N型晶体硅层上的第二I型晶体硅层和第二I型晶体硅层上的第二N型晶体硅层。 其中，半导体层由附加的I型和N型晶体硅层形成，从而提高薄膜太阳能电池的光电转换效率。