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    SINGLE CHIP TYPE WHITE LED DEVICE
    1.
    发明申请
    SINGLE CHIP TYPE WHITE LED DEVICE 审中-公开
    单芯片型白光LED装置

    公开(公告)号：US20110108797A1

    公开(公告)日：2011-05-12

    申请号：US12628165

    申请日：2009-11-30

    申请人： Chu-Shou Yang ,  Chia-Sing Wu ,  Wu-Ching Chou ,  Mei-Tsao Chiang ,  Chi-Neng Mo ,  Chih-Wei Luo ,  Liang-Kuei Huang

    发明人： Chu-Shou Yang ,  Chia-Sing Wu ,  Wu-Ching Chou ,  Mei-Tsao Chiang ,  Chi-Neng Mo ,  Chih-Wei Luo ,  Liang-Kuei Huang

    IPC分类号： H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/08 ,  H01L33/28

    摘要： A single chip type white light LED device includes a first semiconductor layer of a first doping type, a ZnMnSeTe (Zinc Manganese Selenium Tellurium) red light quantum well, a first barrier layer disposed on the ZnMnSeTe red light quantum well, a green light emitting layer including green light quantum dots disposed on the first barrier layer, a second barrier layer disposed on the green light emitting layer, a blue light emitting layer including blue light quantum dots disposed on the second barrier layer, a third barrier layer disposed on the blue light emitting layer, and a second semiconductor layer disposed on the third barrier layer.

    摘要翻译： 单芯片型白光LED器件包括第一掺杂类型的第一半导体层，ZnMnSeTe（锌锰硒碲）红光量子阱，设置在ZnMnSeTe红光量子阱上的第一势垒层，绿色发光层 包括设置在第一阻挡层上的绿光量子点，设置在绿色发光层上的第二阻挡层，设置在第二阻挡层上的包含蓝色光量子点的蓝色发光层，设置在蓝色光上的第三阻挡层 发光层和设置在第三阻挡层上的第二半导体层。

    Technique to grow high quality ZnSe epitaxy layer on Si substrate
    3.
    发明授权
    Technique to grow high quality ZnSe epitaxy layer on Si substrate 失效
    在Si衬底上生长高品质ZnSe外延层的技术

    公开(公告)号：US07071087B2

    公开(公告)日：2006-07-04

    申请号：US10859764

    申请日：2004-06-03

    申请人： Tsung-Hsi Yang ,  Chung-Liang Lee ,  Chu-Shou Yang ,  Guangli Luo ,  Wu-Ching Chou ,  Chun-Yen Chang ,  Tsung-Yeh Yang

    发明人： Tsung-Hsi Yang ,  Chung-Liang Lee ,  Chu-Shou Yang ,  Guangli Luo ,  Wu-Ching Chou ,  Chun-Yen Chang ,  Tsung-Yeh Yang

    IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3205

    CPC分类号： H01L31/0296 ,  C30B23/02 ,  C30B29/48 ,  C30B29/52 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/0087

    摘要： A technique to grow high quality and large area ZnSe layer on Si substrate is provided, comprising growing GexSi1−x/Ge epitaxial layers on Si substrate by using ultra-high vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD), and finally growing a ZnSe film on top Ge buffer layers.Two concepts are applied in the process of this invention, the first one is to block the dislocations generated from GexSi1−x epitaxial layers and to terminate the propagated upward dislocations by using strained interfaces, accordingly the dislocation density of ZnSe layer is greatly reduced and the surface roughness is improved; the second concept is to solve the problems of anti-phase domain due to growth of polar materials on non-polar material using off-cut angle Si substrate, and that is free from diffusion problems between different atoms while generally growing ZnSe layers on Si substrate.

    摘要翻译： 提供了在Si衬底上生长高质量和大面积ZnSe层的技术，其包括在Si衬底上生长Ge x Si x Si 1-x / Ge外延层， 高真空化学气相沉积（UHVCVD），最后在顶部Ge缓冲层上生长ZnSe膜。 在本发明的方法中应用了两个概念，第一个概念是为了阻止由Ge x 1 Si 1-x N外延层产生的位错并终止传播的向上位错 通过使用应变界面，ZnSe层的位错密度大大降低，表面粗糙度提高; 第二个概念是解决极性材料在非极性材料上使用偏角Si衬底生长的反相域问题，并且在不同原子之间没有扩散问题，而在Si衬底上通常生长ZnSe层 。