公开(公告)号：US20120289040A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13107636

申请日：2011-05-13

申请人： Chun-Hung HUANG ,  Yu-Hsien LIN ,  Ming-Yi LIN ,  Jyh-Huei CHEN

发明人： Chun-Hung HUANG ,  Yu-Hsien LIN ,  Ming-Yi LIN ,  Jyh-Huei CHEN

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833

摘要： An integrated circuit device and method for manufacturing an integrated circuit device is disclosed. The integrated circuit device comprises a core device and an input/output circuit. Each of the core device and input/output circuit includes a PMOS structure and an NMOS structure. Each of the PMOS includes a p-type metallic work function layer over a high-k dielectric layer, and each of the NMOS structure includes an n-type metallic work function layer over a high-k dielectric layer. There is an oxide layer under the high-k dielectric layer in the input/output circuit.

摘要翻译： 公开了一种用于制造集成电路器件的集成电路器件和方法。 集成电路装置包括核心装置和输入/输出电路。 核心器件和输入/输出电路中的每一个包括PMOS结构和NMOS结构。 每个PMOS包括在高k电介质层上的p型金属功函数层，并且每个NMOS结构包括在高k电介质层上的n型金属功函数层。 在输入/输出电路中的高k电介质层下方有氧化层。