公开(公告)号：US09673047B2

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：US14872308

申请日：2015-10-01

申请人： Connie H. Li ,  Glenn G. Jernigan ,  Berend T. Jonker ,  Ramasis Goswami ,  Carl S. Hellberg

发明人： Connie H. Li ,  Glenn G. Jernigan ,  Berend T. Jonker ,  Ramasis Goswami ,  Carl S. Hellberg

IPC分类号： H01L29/161 ,  H01L21/02 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045

摘要： A method of making a SiC buffer layer on a Si substrate comprising depositing an amorphous carbon layer on a Si(001) substrate, controlling the thickness of the amorphous carbon layer by controlling the time of the step of depositing the amorphous carbon layer, and forming a deposited film. A 3C—SiC buffer layer on Si(001) comprising a porous buffer layer of 3C—SiC on a Si substrate wherein the porous buffer layer is produced through a solid state reaction.

公开(公告)号：US20160118465A1

公开(公告)日：2016-04-28

申请号：US14872308

申请日：2015-10-01

申请人： Connie H. Li ,  Glenn G. Jernigan ,  Berend T. Jonker ,  Ramasis Goswami ,  Carl S. Hellberg

发明人： Connie H. Li ,  Glenn G. Jernigan ,  Berend T. Jonker ,  Ramasis Goswami ,  Carl S. Hellberg

IPC分类号： H01L29/16 ,  H01L29/04 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045

摘要： A method of making a SiC buffer layer on a Si substrate comprising depositing an amorphous carbon layer on a Si(001) substrate, controlling the thickness of the amorphous carbon layer by controlling the time of the step of depositing the amorphous carbon layer, and forming a deposited film. A 3C-SiC buffer layer on Si(001) comprising a porous buffer layer of 3C-SiC on a Si substrate wherein the porous buffer layer is produced through a solid state reaction.

摘要翻译： 一种在Si衬底上制造SiC缓冲层的方法，包括在Si（001）衬底上沉积无定形碳层，通过控制非晶碳层沉积步骤的时间来控制无定形碳层的厚度，并形成 沉积膜。 Si（001）上的3C-SiC缓冲层包括在Si衬底上的3C-SiC的多孔缓冲层，其中多孔缓冲层通过固态反应产生。

公开(公告)号：US06258417B1

公开(公告)日：2001-07-10

申请号：US09276319

申请日：1999-03-26

申请人： Ramasis Goswami ,  Sanjay Sampath ,  John Parise ,  Herbert Herman

发明人： Ramasis Goswami ,  Sanjay Sampath ,  John Parise ,  Herbert Herman

IPC分类号： C23C404

CPC分类号： C23C4/04 ,  C23C4/08 ,  C23C4/10 ,  C23C4/11 ,  C23C4/12 ,  C23C24/04

摘要： A method of producing a nanocomposite coating without gaseous precursor reactants. A non-nanocrystalline particulate containing a polymorphic material in an atmospheric phase is introduced into a high-velocity gas jet. The projected particulate is allowed to impact a substrate at a velocity effective to cause at a least a portion of the polymorphic material to transform to a nanocrystalline, high pressure phase.

摘要翻译： 制备没有气态前体反应物的纳米复合涂层的方法。 将含有大气相中多晶态物质的非纳米晶体微粒导入高速气体射流。 允许投影的颗粒以有效使得至少一部分多晶型物质转变成纳米晶体的高压相的速度冲击底物。

公开(公告)号：US06689453B2

公开(公告)日：2004-02-10

申请号：US10114383

申请日：2002-04-01

申请人： Ramasis Goswami ,  Sanjay Sampath ,  John Parise ,  Herbert Herman

发明人： Ramasis Goswami ,  Sanjay Sampath ,  John Parise ,  Herbert Herman

IPC分类号： B32B1800

CPC分类号： C23C4/10 ,  C23C4/04 ,  C23C4/08 ,  C23C4/11 ,  C23C4/12 ,  C23C24/04 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/252 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/30

摘要： A method of producing a nanocomposite coating without gaseous precursor reactants. A non-nanocrystalline particulate containing a polymorphic material in an atmospheric phase is introduced into a high-velocity gas jet. The projected particulate is allowed to impact a substrate at a velocity effective to cause at a least a portion of the polymorphic material to transform to a nanocrystalline, high pressure phase.

摘要翻译： 制备没有气态前体反应物的纳米复合涂层的方法。 将含有大气相中多晶态物质的非纳米晶体微粒导入高速气体射流。 允许投影的颗粒以有效使得至少一部分多晶型物质转变成纳米晶体的高压相的速度冲击底物。