公开(公告)号：US20150368413A1

公开(公告)日：2015-12-24

申请号：US14433685

申请日：2013-10-16

申请人： DAIKIN INDUSTRIES, LTD.

发明人： Mayuko TATEMICHI ,  Miharu OTA ,  Kouji YOKOTANI ,  Nobuyuki KOMATSU ,  Hisako NAKAMURA ,  Fumiko SHIGENAI ,  Takeshi HAZAMA ,  Masakazu KINOSHITA ,  Meiten KOH ,  Takuji ISHIKAWA ,  Takashi IGUCHI ,  Kazunobu UCHIDA ,  Tomoyuki FUKATANI ,  Takahiro KITAHARA ,  Tetsuhiro KODANI

IPC分类号： C08J5/18 ,  C08K3/22 ,  C08K3/36 ,  G02B26/00

CPC分类号： C08J5/18 ,  C08J2327/16 ,  C08J2327/18 ,  C08K3/22 ,  C08K3/36 ,  C08K2003/2206 ,  C08K2003/222 ,  C08K2003/2227 ,  C08K2003/2237 ,  G02B3/14 ,  G02B26/005 ,  G02B26/02 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/18 ,  H01G4/206

摘要： The present invention aims to provide a film having a high dielectric constant and a low dissipation factor. The high dielectric film of the present invention includes a vinylidene fluoride/tetrafluoroethylene copolymer (A) with a mole ratio (vinylidene fluoride)/(tetrafluoroethylene) of 95/5 to 80/20. The film includes an β-crystal structure and a β-crystal structure. The ratio of the β-crystal structure is 50% or more.

摘要翻译： 本发明的目的在于提供一种具有高介电常数和低耗散因子的膜。 本发明的高介电膜包括摩尔比（偏二氟乙烯）/（四氟乙烯）为95/5〜80/20的偏氟乙烯/四氟乙烯共聚物（A）。 该膜包括一个结晶结构和一个结晶结构。 结晶结构的比例为50％以上。