公开(公告)号：US09012321B1

公开(公告)日：2015-04-21

申请号：US14283666

申请日：2014-05-21

申请人： Dae-ik Kim ,  Hyoung-sub Kim ,  Yoo-sang Hwang ,  Nak-jin Son ,  Ji-young Kim

发明人： Dae-ik Kim ,  Hyoung-sub Kim ,  Yoo-sang Hwang ,  Nak-jin Son ,  Ji-young Kim

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/743 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891

摘要： Provided is a method of manufacturing a semiconductor device. The method includes forming a sacrificial film as part of a process of forming a semiconductor device. The sacrificial film has a relatively high etch selectivity with respect to other materials of the semiconductor device so as to reduce loss of etching masks and improve the quality of a components (e.g., buried contacts) of the semiconductor device.

摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法。 该方法包括形成牺牲膜作为形成半导体器件的工艺的一部分。 牺牲膜相对于半导体器件的其它材料具有相对高的蚀刻选择性，以便减少蚀刻掩模的损耗并提高半导体器件的部件（例如，埋入触点）的质量。

公开(公告)号：US20140077333A1

公开(公告)日：2014-03-20

申请号：US14020252

申请日：2013-09-06

申请人： Nak-jin Son

发明人： Nak-jin Son

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/764

CPC分类号： H01L29/0649 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7682 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885

摘要： A semiconductor device includes a substrate, a conductive pattern (e.g., a contact plug) on an active region of the substrate and having respective first and second sidewalls on opposite first and second sides of the conductive pattern, and first and second conductive lines (e.g., bit lines) on the substrate on respective ones of the first and second sides of conductive pattern and separated from the respective first and second sidewalls by asymmetric first and second air spaces.

摘要翻译： 半导体器件包括衬底，在衬底的有源区上的导电图案（例如，接触插塞），并且在导电图案的相对的第一和第二侧上具有相应的第一和第二侧壁，以及第一和第二导电线（例如， ，位线）在导电图案的第一和第二侧的相应的基板上，并且通过不对称的第一和第二空气空间与相应的第一和第二侧壁分离。

公开(公告)号：US09123550B2

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：US14020252

申请日：2013-09-06

申请人： Nak-jin Son

发明人： Nak-jin Son

IPC分类号： H01L21/70 ,  H01L29/06 ,  H01L21/764 ,  H01L27/108 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L29/0649 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7682 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885

摘要： A semiconductor device includes a substrate, a conductive pattern (e.g., a contact plug) on an active region of the substrate and having respective first and second sidewalls on opposite first and second sides of the conductive pattern, and first and second conductive lines (e.g., bit lines) on the substrate on respective ones of the first and second sides of conductive pattern and separated from the respective first and second sidewalls by asymmetric first and second air spaces.

摘要翻译： 半导体器件包括衬底，在衬底的有源区上的导电图案（例如，接触插塞），并且在导电图案的相对的第一和第二侧上具有相应的第一和第二侧壁，以及第一和第二导电线（例如， ，位线）在导电图案的第一和第二侧的相应的基板上，并且通过不对称的第一和第二空气空间与相应的第一和第二侧壁分离。

公开(公告)号：US06869891B2

公开(公告)日：2005-03-22

申请号：US10127625

申请日：2002-04-22

申请人： Nak-jin Son

发明人： Nak-jin Son

IPC分类号： H01L21/334 ,  H01L21/265 ,  H01L21/302 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L29/66621 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/302 ,  H01L21/76213 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823487 ,  H01L29/7834 ,  Y10S438/966

摘要： A method for forming a plurality of grooves of a semiconductor device having of a plurality of MOS transistors is provided. A plurality of photoresist patterns are formed on a semiconductor substrate. Ions are implanted on a portion of the semiconductor substrate using the plurality of photoresist patterns as a mask. The plurality of photoresist patterns are removed. An oxide layer is formed on the semiconductor substrate having the implanted ions by thermal oxidation. The plurality of grooves are formed on the semiconductor substrate by removing the oxide layer.

摘要翻译： 提供一种用于形成具有多个MOS晶体管的半导体器件的多个沟槽的方法。 在半导体衬底上形成多个光刻胶图形。 使用多个光致抗蚀剂图案作为掩模将离子注入到半导体衬底的一部分上。 去除多个光致抗蚀剂图案。 通过热氧化在具有注入离子的半导体衬底上形成氧化物层。 通过除去氧化物层，在半导体衬底上形成多个沟槽。