公开(公告)号：US20070057307A1

公开(公告)日：2007-03-15

申请号：US11223235

申请日：2005-09-09

申请人： Danny Shum ,  Armin Tilke ,  Jiang Yan

发明人： Danny Shum ,  Armin Tilke ,  Jiang Yan

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546

摘要： Flash memory device structures and methods of manufacture thereof are disclosed. The flash memory devices are manufactured on silicon-on-insulator (SOI) substrates. Shallow trench isolation (STI) regions and the buried oxide layer of the SOI substrate are used to isolate adjacent devices from one another. The methods of manufacture require fewer lithography masks and may be implemented in stand-alone flash memory devices, embedded flash memory devices, and system on a chip (SoC) flash memory devices.

摘要翻译： 公开了闪存器件结构及其制造方法。 闪存器件是在绝缘体上硅（SOI）衬底上制造的。 使用浅沟槽隔离（STI）区域和SOI衬底的掩埋氧化物层来隔离相邻器件。 制造方法需要更少的光刻掩模，并且可以在独立的闪存器件，嵌入式闪存器件以及片上系统（SoC）闪存器件中实现。

公开(公告)号：US20070148921A1

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：US11317737

申请日：2005-12-23

申请人： Jiang Yan ,  Danny Shum ,  Armin Tilke

发明人： Jiang Yan ,  Danny Shum ,  Armin Tilke

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/84 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207

摘要： A method of making a semiconductor device begins with a semiconductor wafer that includes a first semiconductor layer overlying a second semiconductor layer. A first trench is etched in the semiconductor wafer. The first trench is filled with insulating material. A second trench is etched within the first trench and through the insulating material, such that insulating material remains along sidewalls of the first trench. The second trench exposes a portion of the second insulating layer. A semiconductor layer can then be grown within the second trench using the second semiconductor layer as a seed layer.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法从半导体晶片开始，半导体晶片包括覆盖第二半导体层的第一半导体层。 在半导体晶片中蚀刻第一沟槽。 第一个沟槽填充绝缘材料。 在第一沟槽内蚀刻第二沟槽并穿过绝缘材料，使得绝缘材料沿着第一沟槽的侧壁保留。 第二沟槽露出第二绝缘层的一部分。 然后可以使用第二半导体层作为种子层在第二沟槽内生长半导体层。

公开(公告)号：US20060267134A1

公开(公告)日：2006-11-30

申请号：US11367247

申请日：2006-03-03

申请人： Armin Tilke ,  Danny Shum ,  Laura Pescini ,  Ronald Kakoschke ,  Karl Strenz ,  Martin Stiftinger

发明人： Armin Tilke ,  Danny Shum ,  Laura Pescini ,  Ronald Kakoschke ,  Karl Strenz ,  Martin Stiftinger

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L27/11526 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11546

摘要： Deep trench isolation structures and methods of formation thereof are disclosed. Several methods of and structures for increasing the threshold voltage of a parasitic transistor formed proximate deep trench isolation structures are described, including implanting a channel stop region into the bottom surface of the deep trench isolation structures, partially filling a bottom portion of the deep trench isolation structures with an insulating material, and/or filling at least a portion of the deep trench isolation structures with a doped polysilicon material.

摘要翻译： 公开了深沟槽隔离结构及其形成方法。 描述了用于增加形成在深沟槽隔离结构附近的寄生晶体管的阈值电压的几种方法和结构，包括将沟道阻挡区域注入深沟槽隔离结构的底表面，部分地填充深沟槽隔离的底部 具有绝缘材料的结构，和/或用掺杂的多晶硅材料填充至少一部分深沟槽隔离结构。

公开(公告)号：US08530355B2

公开(公告)日：2013-09-10

申请号：US11317737

申请日：2005-12-23

申请人： Jiang Yan ,  Danny Pak-Chum Shum ,  Armin Tilke

发明人： Jiang Yan ,  Danny Pak-Chum Shum ,  Armin Tilke

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207

摘要： A method of making a semiconductor device begins with a semiconductor wafer that includes a first semiconductor layer overlying a second semiconductor layer. A first trench is etched in the semiconductor wafer. The first trench is filled with insulating material. A second trench is etched within the first trench and through the insulating material, such that insulating material remains along sidewalls of the first trench. The second trench exposes a portion of the second insulating layer. A semiconductor layer can then be grown within the second trench using the second semiconductor layer as a seed layer.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法从半导体晶片开始，半导体晶片包括覆盖第二半导体层的第一半导体层。 在半导体晶片中蚀刻第一沟槽。 第一个沟槽填充绝缘材料。 在第一沟槽内蚀刻第二沟槽并穿过绝缘材料，使得绝缘材料沿着第一沟槽的侧壁保留。 第二沟槽露出第二绝缘层的一部分。 然后可以使用第二半导体层作为种子层在第二沟槽内生长半导体层。

公开(公告)号：US08319285B2

公开(公告)日：2012-11-27

申请号：US11315069

申请日：2005-12-22

申请人： Armin Tilke ,  Jiang Yan ,  Matthias Hierlemann

发明人： Armin Tilke ,  Jiang Yan ,  Matthias Hierlemann

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L21/265 ,  H01L21/76 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/84 ,  H01L23/5256 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7842 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A silicon-on-insulator device having multiple crystal orientations is disclosed. In one embodiment, the silicon-on-insulator device includes a substrate layer, an insulating layer disposed on the substrate layer, a first silicon layer, and a strained silicon layer. The first silicon layer has a first crystal orientation and is disposed on a portion of the insulating layer, and the strained silicon layer is disposed on another portion of the insulating layer and has a crystal orientation different from the first crystal orientation.

摘要翻译： 公开了具有多个晶体取向的绝缘体上硅器件。 在一个实施例中，绝缘体上硅器件包括衬底层，设置在衬底层上的绝缘层，第一硅层和应变硅层。 第一硅层具有第一晶体取向并且设置在绝缘层的一部分上，并且应变硅层设置在绝缘层的另一部分上并且具有不同于第一晶体取向的晶体取向。

公开(公告)号：US20100149882A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12709982

申请日：2010-02-22

申请人： Danny Pak-Chum Shum ,  Armin Tilke ,  Jiang Yan

发明人： Danny Pak-Chum Shum ,  Armin Tilke ,  Jiang Yan

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546

摘要： Flash memory device structures and methods of manufacture thereof are disclosed. The flash memory devices are manufactured on silicon-on-insulator (SOI) substrates. Shallow trench isolation (STI) regions and the buried oxide layer of the SOI substrate are used to isolate adjacent devices from one another. The methods of manufacture require fewer lithography masks and may be implemented in stand-alone flash memory devices, embedded flash memory devices, and system on a chip (SoC) flash memory devices.

摘要翻译： 公开了闪存器件结构及其制造方法。 闪存器件是在绝缘体上硅（SOI）衬底上制造的。 使用浅沟槽隔离（STI）区域和SOI衬底的掩埋氧化物层来隔离相邻器件。 制造方法需要更少的光刻掩模，并且可以在独立的闪存器件，嵌入式闪存器件以及片上系统（SoC）闪存器件中实现。

公开(公告)号：US20090135655A1

公开(公告)日：2009-05-28

申请号：US12360985

申请日：2009-01-28

申请人： Danny Pak-Chum Shum ,  Armin Tilke ,  Jiang Yan

发明人： Danny Pak-Chum Shum ,  Armin Tilke ,  Jiang Yan

IPC分类号： G11C11/34 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546

摘要： Flash memory device structures and methods of manufacture thereof are disclosed. The flash memory devices are manufactured on silicon-on-insulator (SOI) substrates. Shallow trench isolation (STI) regions and the buried oxide layer of the SOI substrate are used to isolate adjacent devices from one another. The methods of manufacture require fewer lithography masks and may be implemented in stand-alone flash memory devices, embedded flash memory devices, and system on a chip (SoC) flash memory devices.

摘要翻译： 公开了闪存器件结构及其制造方法。 闪存器件是在绝缘体上硅（SOI）衬底上制造的。 使用浅沟槽隔离（STI）区域和SOI衬底的掩埋氧化物层来隔离相邻器件。 制造方法需要更少的光刻掩模，并且可以在独立的闪存器件，嵌入式闪存器件以及片上系统（SoC）闪存器件中实现。

公开(公告)号：US08031532B2

公开(公告)日：2011-10-04

申请号：US12709982

申请日：2010-02-22

申请人： Danny Pak-Chum Shum ,  Armin Tilke ,  Jiang Yan

发明人： Danny Pak-Chum Shum ,  Armin Tilke ,  Jiang Yan

IPC分类号： G11C16/04 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546

摘要： Flash memory device structures and methods of manufacture thereof are disclosed. The flash memory devices are manufactured on silicon-on-insulator (SOI) substrates. Shallow trench isolation (STI) regions and the buried oxide layer of the SOI substrate are used to isolate adjacent devices from one another. The methods of manufacture require fewer lithography masks and may be implemented in stand-alone flash memory devices, embedded flash memory devices, and system on a chip (SoC) flash memory devices.

摘要翻译： 公开了闪存器件结构及其制造方法。 闪存器件是在绝缘体上硅（SOI）衬底上制造的。 使用浅沟槽隔离（STI）区域和SOI衬底的掩埋氧化物层来隔离相邻器件。 制造方法需要更少的光刻掩模，并且可以在独立的闪存器件，嵌入式闪存器件以及片上系统（SoC）闪存器件中实现。

公开(公告)号：US07687347B2

公开(公告)日：2010-03-30

申请号：US12360985

申请日：2009-01-28

申请人： Danny Pak-Chum Shum ,  Armin Tilke ,  Jiang Yan

发明人： Danny Pak-Chum Shum ,  Armin Tilke ,  Jiang Yan

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/82 ,  H01L21/00 ,  H01L21/84 ,  G11C7/00

CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546

摘要： Flash memory device structures and methods of manufacture thereof are disclosed. The flash memory devices are manufactured on silicon-on-insulator (SOI) substrates. Shallow trench isolation (STI) regions and the buried oxide layer of the SOI substrate are used to isolate adjacent devices from one another. The methods of manufacture require fewer lithography masks and may be implemented in stand-alone flash memory devices, embedded flash memory devices, and system on a chip (SoC) flash memory devices.

摘要翻译： 公开了闪存器件结构及其制造方法。 闪存器件是在绝缘体上硅（SOI）衬底上制造的。 使用浅沟槽隔离（STI）区域和SOI衬底的掩埋氧化物层来隔离相邻器件。 制造方法需要更少的光刻掩模，并且可以在独立的闪存器件，嵌入式闪存器件以及片上系统（SoC）闪存器件中实现。

公开(公告)号：US07495279B2

公开(公告)日：2009-02-24

申请号：US11223235

申请日：2005-09-09

申请人： Danny Pak-Chum Shum ,  Armin Tilke ,  Jiang Yan

发明人： Danny Pak-Chum Shum ,  Armin Tilke ,  Jiang Yan

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546

摘要： Flash memory device structures and methods of manufacture thereof are disclosed. The flash memory devices are manufactured on silicon-on-insulator (SOI) substrates. Shallow trench isolation (STI) regions and the buried oxide layer of the SOI substrate are used to isolate adjacent devices from one another. The methods of manufacture require fewer lithography masks and may be implemented in stand-alone flash memory devices, embedded flash memory devices, and system on a chip (SoC) flash memory devices.

摘要翻译： 公开了闪存器件结构及其制造方法。 闪存器件是在绝缘体上硅（SOI）衬底上制造的。 使用浅沟槽隔离（STI）区域和SOI衬底的掩埋氧化物层来隔离相邻器件。 制造方法需要更少的光刻掩模，并且可以在独立的闪存器件，嵌入式闪存器件以及片上系统（SoC）闪存器件中实现。