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公开(公告)号：US08525135B2
公开(公告)日：2013-09-03
申请号：US12857388
申请日：2010-08-16
CPC分类号： G03F1/16 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/78 , G06F17/50 , H01J37/3026 , H01J37/3174 , H01J2237/31762 , H01J2237/31788
摘要： A system and method for improved electron beam writing that is capable of taking design intent, equipment capability and design requirements into consideration. The system and method determines an optimal writing pattern based, at least in part, on the received information.
摘要翻译： 一种能够考虑设计意图，设备能力和设计要求的改进电子束写入的系统和方法。 该系统和方法至少部分地基于所接收的信息来确定最佳写入模式。
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公开(公告)号：US08533640B2
公开(公告)日：2013-09-10
申请号：US13607708
申请日：2012-09-08
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5081 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/20 , G03F1/36 , G03F1/78 , H01J37/3174
摘要： Various embodiments of the present invention relate to particle beam writing to fabricate an integrated circuit on a wafer. In various embodiments, cell projection (CP) cell library information is stored in the form of a data structure. Subsequently, the CP cell library information is referenced by a writing system. The patterns are written on the wafer depending on the referenced CP cell library.
摘要翻译： 本发明的各种实施例涉及粒子束写入以在晶片上制造集成电路。 在各种实施例中，以数据结构的形式存储单元投影（CP）单元库信息。 随后，CP单元库信息由书写系统引用。 根据参考的CP单元库，将图案写在晶片上。
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公开(公告)号：US07747977B1
公开(公告)日：2010-06-29
申请号：US11226253
申请日：2005-09-15
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5081 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/20 , G03F1/36 , G03F1/78 , H01J37/3174
摘要： Various embodiments of the present invention relate to particle beam writing to fabricate an integrated circuit on a wafer. In various embodiments, cell projection (CP) cell library information is stored in the form of a data structure. Subsequently, the CP cell library information is referenced by a writing system. The patterns are written on the wafer depending on the referenced CP cell library.
摘要翻译： 本发明的各种实施例涉及粒子束写入以在晶片上制造集成电路。 在各种实施例中，以数据结构的形式存储单元投影（CP）单元库信息。 随后，CP单元库信息由书写系统引用。 根据参考的CP单元库，将图案写在晶片上。
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公开(公告)号：US20130007675A1
公开(公告)日：2013-01-03
申请号：US13607708
申请日：2012-09-08
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5081 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/20 , G03F1/36 , G03F1/78 , H01J37/3174
摘要： Various embodiments of the present invention relate to particle beam writing to fabricate an integrated circuit on a wafer. In various embodiments, cell projection (CP) cell library information is stored in the form of a data structure. Subsequently, the CP cell library information is referenced by a writing system. The patterns are written on the wafer depending on the referenced CP cell library.
摘要翻译： 本发明的各种实施例涉及粒子束写入以在晶片上制造集成电路。 在各种实施例中，以数据结构的形式存储单元投影（CP）单元库信息。 随后，CP单元库信息由书写系统引用。 根据参考的CP单元库，将图案写在晶片上。
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公开(公告)号：US20070125967A1
公开(公告)日：2007-06-07
申请号：US11607753
申请日：2006-11-30
IPC分类号： G21K5/10
CPC分类号： G03F1/16 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/78 , G06F17/50 , H01J37/3026 , H01J37/3174 , H01J2237/31762 , H01J2237/31788
摘要： A system and method for improved electron beam writing that is capable of taking design intent, equipment capability and design requirements into consideration. The system and method determines an optimal writing pattern based, at least in part, on the received information.
摘要翻译： 一种能够考虑设计意图，设备能力和设计要求的改进电子束写入的系统和方法。 该系统和方法至少部分地基于所接收的信息来确定最佳写入模式。
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公开(公告)号：US20110265049A1
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：US13174830
申请日：2011-07-01
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5081 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/20 , G03F1/36 , G03F1/78 , H01J37/3174
摘要： Various embodiments of the present invention relate to particle beam writing to fabricate an integrated circuit on a wafer. In various embodiments, cell projection (CP) cell library information is stored in the form of a data structure. Subsequently, the CP cell library information is referenced by a writing system. The patterns are written on the wafer depending on the referenced CP cell library.
摘要翻译： 本发明的各种实施例涉及粒子束写入以在晶片上制造集成电路。 在各种实施例中，以数据结构的形式存储单元投影（CP）单元库信息。 随后，CP单元库信息由书写系统引用。 根据参考的CP单元库，将图案写在晶片上。
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公开(公告)号：US07777204B2
公开(公告)日：2010-08-17
申请号：US11607753
申请日：2006-11-30
CPC分类号： G03F1/16 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/78 , G06F17/50 , H01J37/3026 , H01J37/3174 , H01J2237/31762 , H01J2237/31788
摘要： A system and method for improved electron beam writing that is capable of taking design intent, equipment capability and design requirements into consideration. The system and method determines an optimal writing pattern based, at least in part, on the received information.
摘要翻译： 一种能够考虑设计意图，设备能力和设计要求的改进电子束写入的系统和方法。 该系统和方法至少部分地基于所接收的信息来确定最佳写入模式。
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公开(公告)号：US20100229148A1
公开(公告)日：2010-09-09
申请号：US12781887
申请日：2010-05-18
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5081 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/20 , G03F1/36 , G03F1/78 , H01J37/3174
摘要： Various embodiments of the present invention relate to particle beam writing to fabricate an integrated circuit on a wafer. In various embodiments, cell projection (CP) cell library information is stored in the form of a data structure. Subsequently, the CP cell library information is referenced by a writing system. The patterns are written on the wafer depending on the referenced CP cell library.
摘要翻译： 本发明的各种实施例涉及粒子束写入以在晶片上制造集成电路。 在各种实施例中，以数据结构的形式存储单元投影（CP）单元库信息。 随后，CP单元库信息由书写系统引用。 根据参考的CP单元库，将图案写在晶片上。
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9.发明申请Method and system for lithography simulation and measurement of critical dimensions 有权用于光刻模拟和关键尺寸测量的方法和系统公开(公告)号：US20080120073A1
公开(公告)日：2008-05-22
申请号：US11603526
申请日：2006-11-21
申请人： Daisuke Hara , Takashi Mitsuhashi , Zhigang Wu
发明人： Daisuke Hara , Takashi Mitsuhashi , Zhigang Wu
IPC分类号： G06G7/48
CPC分类号： G03F7/2061 , G03F1/36 , G03F1/68
摘要： A method and system for lithography simulation is disclosed. The method and system specify a subject region of a lithography image with a CD marker, specify a threshold intensity over the lithography image, specify a gradient to a threshold value of the threshold intensity, and calculate a sensitivity or ratio of change of an image boundary of the lithography image to lithography process variation.
摘要翻译： 公开了一种用于光刻仿真的方法和系统。 该方法和系统使用CD标记指定光刻图像的主题区域，在光刻图像上指定阈值强度，指定到阈值强度的阈值的梯度，并计算图像边界的灵敏度或变化率 的光刻图像到光刻工艺的变化。
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10.发明授权Method and system for lithography simulation and measurement of critical dimensions 有权用于光刻模拟和关键尺寸测量的方法和系统公开(公告)号：US07953582B2
公开(公告)日：2011-05-31
申请号：US11603526
申请日：2006-11-21
申请人： Daisuke Hara , Takashi Mitsuhashi , Zhigang Wu
发明人： Daisuke Hara , Takashi Mitsuhashi , Zhigang Wu
IPC分类号： G06G7/48
CPC分类号： G03F7/2061 , G03F1/36 , G03F1/68
摘要： A method and system for lithography simulation is disclosed. The method and system specify a subject region of a lithography image with a CD marker, specify a threshold intensity over the lithography image, specify a gradient to a threshold value of the threshold intensity, and calculate a sensitivity or ratio of change of an image boundary of the lithography image to lithography process variation.
摘要翻译： 公开了一种用于光刻仿真的方法和系统。 该方法和系统使用CD标记指定光刻图像的主题区域，在光刻图像上指定阈值强度，指定到阈值强度的阈值的梯度，并计算图像边界的灵敏度或变化率 的光刻图像到光刻工艺的变化。
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