公开(公告)号：US20120077307A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US13313306

申请日：2011-12-07

申请人： Dong Jun KIM ,  Kuninori Okamoto ,  Byung Chul Lee ,  Seok Hyun Jung

发明人： Dong Jun KIM ,  Kuninori Okamoto ,  Byung Chul Lee ,  Seok Hyun Jung

IPC分类号： H01L31/18 ,  C09K13/00

CPC分类号： C09K13/00 ,  H01L21/2225 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： An etching paste having a doping function for etching a thin film on a silicon wafer and a method of forming a selective emitter of a solar cell, the etching paste including an n-type or p-type dopant; a binder; and a solvent.

摘要翻译： 具有蚀刻硅晶片上的薄膜的掺杂功能的蚀刻膏和形成太阳能电池的选择性发射极的方法，所述蚀刻膏包括n型或p型掺杂剂; 粘合剂 和溶剂。

公开(公告)号：US20110147678A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：US12947459

申请日：2010-11-16

申请人： Dong Jun KIM ,  Jae Hwan OH ,  Seok Hyun Jung ,  Byung Chul Lee ,  Hee In Nam

发明人： Dong Jun KIM ,  Jae Hwan OH ,  Seok Hyun Jung ,  Byung Chul Lee ,  Hee In Nam

IPC分类号： H01B1/12

CPC分类号： H01B1/22 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/50

摘要： A paste for solar cell electrodes includes conductive particles, a glass frit, an organic vehicle, and lead oxide. The lead oxide may be added in an amount of about 0.05 to about 1.5 wt % with respect to a total weight of the paste.

摘要翻译： 用于太阳能电池电极的糊剂包括导电颗粒，玻璃料，有机载体和氧化铅。 相对于糊料的总重量，氧化铅的添加量可以为约0.05至约1.5重量％。

公开(公告)号：US20150069480A1

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：US14203400

申请日：2014-03-10

申请人： Hiroyuki KANAYA ,  Dong Jun KIM ,  Sung Hoon LEE

发明人： Hiroyuki KANAYA ,  Dong Jun KIM ,  Sung Hoon LEE

IPC分类号： H01L27/22 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01L27/228 ,  G11C7/18 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222 ,  H01L43/12

摘要： According to one embodiment, a magnetic memory includes a cell transistor including a first source/drain diffusion layer and a second source/drain diffusion layer, a first contact on the first source/drain diffusion layer, a memory element on the first contact, and a second contact on the second source/drain diffusion layer, the second contact including a first plug on the second source/drain diffusion layer, and a second plug on the first plug.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁存储器包括单元晶体管，其包括第一源极/漏极扩散层和第二源极/漏极扩散层，第一源极/漏极扩散层上的第一触点，第一触点上的存储元件，以及 在第二源/漏扩散层上的第二触点，第二触点包括在第二源极/漏极扩散层上的第一插头和第一插头上的第二插头。