公开(公告)号：US09570595B2

公开(公告)日：2017-02-14

申请号：US13704613

申请日：2012-12-14

申请人： Dongping Wu ,  Chaochao Fu ,  Wei Zhang ,  Shi-Li Zhang

发明人： Dongping Wu ,  Chaochao Fu ,  Wei Zhang ,  Shi-Li Zhang

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/66 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/285 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/7378 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/2855 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7371

摘要： A SiGe HBT has an inverted heterojunction structure, where the emitter layer is formed prior to the base layer and the collector layer. The frequency performance of the SiGe HBT is significantly improved through a better thermal process budget for the base profile, essential for higher cut-off frequency (fT) and a minimal collector-base area for a reduced parasitic capacitance, essential for higher maximum oscillation frequency (fmax). This inverted heterojunction structure can be fabricated by using ALE processes to form an emitter on a preformed epitaxial silicide, a base over the emitter and a collector over the base.

摘要翻译： SiGe HBT具有反相异质结结构，其中发射极层在基极层和集电极层之前形成。 SiGe HBT的频率性能通过基底轮廓的更好的热处理预算得到显着改善，对于较高的截止频率（fT）和减少的寄生电容的最小集电极基极面积是必不可少的，因为较高的最大振荡频率 （fmax）。 该反转异质结结构可以通过使用ALE工艺在预制的外延硅化物上形成发射极，在发射极上的基极和在基极上的集电极来制造。

公开(公告)号：US20160190293A1

公开(公告)日：2016-06-30

申请号：US13704613

申请日：2012-12-14

申请人： Dongping Wu ,  Chaochao Fu ,  Wei Zhang ,  Shili Zhang

发明人： Dongping Wu ,  Chaochao Fu ,  Wei Zhang ,  Shili Zhang

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/08 ,  H01L29/165 ,  H01L21/285 ,  H01L29/45 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  H01L29/10 ,  H01L29/167

CPC分类号： H01L29/7378 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/2855 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7371

摘要： A SiGe HBT has an inverted heterojunction structure, where the emitter layer is formed prior to the base layer and the collector layer. The frequency performance of the SiGe HBT is significantly improved through a better thermal process budget for the base profile, essential for higher cut-off frequency (fT) and a minimal collector-base area for a reduced parasitic capacitance, essential for higher maximum oscillation frequency (fmax). This inverted heterojunction structure can be fabricated by using ALE processes to form an emitter on a preformed epitaxial silicide, a base over the emitter and a collector over the base.

摘要翻译： SiGe HBT具有反相异质结结构，其中发射极层在基极层和集电极层之前形成。 SiGe HBT的频率性能通过基底轮廓的更好的热处理预算得到显着改善，对于较高的截止频率（fT）和减少的寄生电容的最小集电极基极面积是必不可少的，因为较高的最大振荡频率 （fmax）。 该反转异质结结构可以通过使用ALE工艺在预制的外延硅化物上形成发射极，在发射极上的基极和在基极上的集电极来制造。