公开(公告)号：US20110305831A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：US12814301

申请日：2010-06-11

申请人： Eric M. LEE ,  Jacques FAGUET ,  Eric J. STRANG

发明人： Eric M. LEE ,  Jacques FAGUET ,  Eric J. STRANG

IPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/448

CPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463

摘要： A method of depositing a thin film on a substrate in a deposition system is described. The method includes disposing a gas heating device comprising a plurality of heating element zones in a deposition system, and independently controlling a temperature of each of the plurality of heating element zones, wherein each of the plurality of heating element zones having one or more resistive heating elements. Additionally, the method includes providing a substrate on a substrate holder in the deposition system, wherein the substrate holder has one or more temperature control zones. The method further includes providing a film forming composition to the gas heating device coupled to the deposition system, pyrolyzing one or more constituents of the film forming composition using the gas heating device, and introducing the film forming composition to the substrate in the deposition system to deposit a thin film on the substrate.

摘要翻译： 描述了在沉积系统中在衬底上沉积薄膜的方法。 该方法包括在沉积系统中设置包括多个加热元件区域的气体加热装置，并且独立地控制多个加热元件区域中的每一个的温度，其中多个加热元件区域中的每一个具有一个或多个电阻加热 元素。 另外，该方法包括在沉积系统中的衬底保持器上设置衬底，其中衬底保持器具有一个或多个温度控制区。 该方法还包括向耦合到沉积系统的气体加热装置提供成膜组合物，使用气体加热装置热解成膜组合物的一种或多种组分，并将成膜组合物引入沉积系统中的基底上 在基板上沉积薄膜。

公开(公告)号：US20110303145A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：US12814278

申请日：2010-06-11

申请人： Eric M. LEE ,  Jacques FAGUET ,  Eric J. STRANG

发明人： Eric M. LEE ,  Jacques FAGUET ,  Eric J. STRANG

IPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/46 ,  H05B3/02 ,  C23C16/00

CPC分类号： H05B3/00 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/52 ,  H05B2203/014 ,  H05B2203/022

摘要： A gas heating device and a processing system for use therein are described for depositing a thin film on a substrate using a vapor deposition process. The gas heating device includes a heating element array having a plurality of heating element zones configured to receive a flow of a film forming composition across or through said plurality of heating element zones in order to cause pyrolysis of one or more constituents of the film forming composition when heated. Additionally, the processing system may include a substrate holder configured to support a substrate. The substrate holder may include a backside gas supply system configured to supply a heat transfer gas to a backside of said substrate, wherein the backside gas supply system is configured to independently supply the heat transfer gas to multiple zones at the backside of the substrate.

摘要翻译： 本发明描述了一种用于其中的气体加热装置和处理系统，用于使用气相沉积工艺在基片上沉积薄膜。 气体加热装置包括加热元件阵列，该加热元件阵列具有多个加热元件区域，该多个加热元件区域被配置为在多个加热元件区域中或通过所述多个加热元件区域接收成膜组合物的流动，以便导致成膜组合物的一种或多种成分的热解 加热时。 另外，处理系统可以包括被配置为支撑衬底的衬底保持器。 衬底保持器可以包括后侧气体供应系统，其构造成将热传递气体供应到所述衬底的背面，其中所述背侧气体供应系统被配置为独立地将所述传热气体供应到所述衬底的背侧的多个区域。