公开(公告)号：US20020119661A1

公开(公告)日：2002-08-29

申请号：US10024391

申请日：2001-12-21

申请人： Fujitsu Quantum Devices Limited

发明人： Takayuki Watanabe ,  Hiroaki Ito ,  Takuya Fujii

IPC分类号： H01L021/302 ,  H01L021/461

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/1003 ,  H01S5/2077 ,  H01S5/2081 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/227 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/3434 ,  H01S5/34373

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device, includes the steps of (a) growing an InP layer on a surface of starting growth, resulting in the InP layer having a convex structure, and (b) wet etching the InP layer by an etchant including hydrochloric acid and acetic acid, and thereby flattening a surface of the InP layer.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：（a）在起始生长表面上生长InP层，导致InP层具有凸起结构，和（b）通过包括盐酸的蚀刻剂湿法蚀刻InP层 酸和乙酸，从而使InP层的表面变平。