公开(公告)号：US20020111034A1

公开(公告)日：2002-08-15

申请号：US10073877

申请日：2002-02-14

申请人： Fujitsu Quantum Devices Limited

发明人： Takayuki Watanabe ,  Tsutomu Michitsuta ,  Taro Hasegawa ,  Takuya Fujii

IPC分类号： H01L021/302 ,  H01L021/3205 ,  H01L021/00

CPC分类号： H01L21/30617 ,  H01S5/2081 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/3235

摘要： A process of manufacturing a semiconductor device includes the steps of forming a stacked structure of a first III-V compound semiconductor layer containing In and having a composition different from InP and a second III-V compound semiconductor layer containing In. The second III-V compound semiconductor layer is formed over the first III-V compound semiconductor layer and growing an InP layer at regions adjacent the stacked structure to form a stepped structure of InP. The process further includes the step of wet-etching the stepped structure and the second III-V compound semiconductor layer using an etchant containing hydrochloric acid and acetic acid to remove at least the second III-V compound semiconductor layer.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括以下步骤：形成包含In并且具有不同于InP的组成的第一III-V族化合物半导体层和包含In的第二III-V化合物半导体层的叠层结构。 在第一III-V族化合物半导体层上形成第二III-V族化合物半导体层，并在邻近堆叠结构的区域生长InP层，以形成InP的阶梯状结构。 该方法还包括使用含有盐酸和乙酸的蚀刻剂来湿式蚀刻阶梯结构和第二III-V化合物半导体层以去除至少第二III-V族化合物半导体层的步骤。

公开(公告)号：US20020127759A1

公开(公告)日：2002-09-12

申请号：US09946686

申请日：2001-09-06

申请人： Fujitsu Quantum Devices Limited

发明人： Takayuki Watanabe

IPC分类号： H01L021/00

CPC分类号： H01L31/0304 ,  H01L31/02019 ,  H01L31/173 ,  H01L31/184 ,  H01L33/0062 ,  H01S5/026 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3077 ,  H01S5/3202 ,  Y02E10/544

摘要： An n type InP buried layer 22 with Se or S added in an above 5null1018 cmnull3 concentration is formed on an active layer mesa stripe 18 having a surface with an SiO2 film 16 formed on at a peripheral part of the mesa stripe 18 other than the surface with the SiO2 film 16 formed on. Accordingly, the buried layer can be grown without the over growth.

摘要翻译： 在具有表面的有源层台面条18上形成具有以5×10 18 cm -3以上添加的Se或S的n型InP掩埋层22，其中SiO 2膜16形成在台面条18的周边部分之外， 形成有SiO 2膜16的表面。 因此，埋层可以在没有过度生长的情况下生长。

公开(公告)号：US20020119661A1

公开(公告)日：2002-08-29

申请号：US10024391

申请日：2001-12-21

申请人： Fujitsu Quantum Devices Limited

发明人： Takayuki Watanabe ,  Hiroaki Ito ,  Takuya Fujii

IPC分类号： H01L021/302 ,  H01L021/461

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/1003 ,  H01S5/2077 ,  H01S5/2081 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/227 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/3434 ,  H01S5/34373

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device, includes the steps of (a) growing an InP layer on a surface of starting growth, resulting in the InP layer having a convex structure, and (b) wet etching the InP layer by an etchant including hydrochloric acid and acetic acid, and thereby flattening a surface of the InP layer.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：（a）在起始生长表面上生长InP层，导致InP层具有凸起结构，和（b）通过包括盐酸的蚀刻剂湿法蚀刻InP层 酸和乙酸，从而使InP层的表面变平。