公开(公告)号：US20070114436A1

公开(公告)日：2007-05-24

申请号：US11594939

申请日：2006-11-09

申请人： Gyeong-Su Keum ,  Jai-Hyung Won ,  No-Hyun Huh ,  Seong-Gu Kim ,  Kwang-Ho Cha ,  Ui-Hui Kwon

发明人： Gyeong-Su Keum ,  Jai-Hyung Won ,  No-Hyun Huh ,  Seong-Gu Kim ,  Kwang-Ho Cha ,  Ui-Hui Kwon

IPC分类号： H01T23/00

CPC分类号： H01T23/00 ,  H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/31701

摘要： A filament member, ion source, and an ion implantation apparatus. The filament member may have a plate shape, and the thermoelectron emitter may include slots and a plurality of conductive paths disposed around the slots to emit thermoelectrons.

摘要翻译： 长丝构件，离子源和离子注入装置。 长丝构件可以具有板形，并且热电子发射器可以包括槽和围绕槽布置的多个导电路径以发射热电子。

公开(公告)号：US20070114435A1

公开(公告)日：2007-05-24

申请号：US11544595

申请日：2006-10-10

申请人： Ui-Hui Kwon ,  Tai-Kyung Kim ,  Gyeong-Su Keum ,  Won-Young Chung ,  Kwang-Ho Cha

发明人： Ui-Hui Kwon ,  Tai-Kyung Kim ,  Gyeong-Su Keum ,  Won-Young Chung ,  Kwang-Ho Cha

IPC分类号： H01T23/00

CPC分类号： H01T23/00 ,  H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/31701

摘要： A filament member configured to discharge thermions may be employed in an ion source of an ion implantation apparatus. A filament member may include an anode disposed around a central portion of the filament member, a cathode disposed around a periphery of the filament and/or enclosing the anode, and at least one conductive path disposed between the anode and the cathode to discharge the thermions.

摘要翻译： 构造成排出热量的细丝构件可以用于离子注入装置的离子源。 长丝构件可以包括围绕灯丝构件的中心部分设置的阳极，围绕灯丝的外围设置和/或包围阳极的阴极以及设置在阳极和阴极之间的至少一个导电路径， 。

公开(公告)号：US07652264B2

公开(公告)日：2010-01-26

申请号：US11544595

申请日：2006-10-10

申请人： Ui-Hui Kwon ,  Tai-Kyung Kim ,  Gyeong-Su Keum ,  Won-Young Chung ,  Kwang-Ho Cha

发明人： Ui-Hui Kwon ,  Tai-Kyung Kim ,  Gyeong-Su Keum ,  Won-Young Chung ,  Kwang-Ho Cha

IPC分类号： H01T23/00

CPC分类号： H01T23/00 ,  H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/31701

摘要： A filament member configured to discharge thermions may be employed in an ion source of an ion implantation apparatus. A filament member may include an anode disposed around a central portion of the filament member, a cathode disposed around a periphery of the filament and/or enclosing the anode, and at least one conductive path disposed between the anode and the cathode to discharge the thermions.

摘要翻译： 构造成排出热量的细丝构件可以用于离子注入装置的离子源。 长丝构件可以包括围绕灯丝构件的中心部分设置的阳极，围绕灯丝的外围设置和/或包围阳极的阴极以及设置在阳极和阴极之间的至少一个导电路径， 。

公开(公告)号：US20070087529A1

公开(公告)日：2007-04-19

申请号：US11580352

申请日：2006-10-13

申请人： Won-Young Chung ,  Tai-Kyung Kim ,  Young-Kwan Park ,  Ui-Hui Kwon ,  Kyu-Baik Chang

发明人： Won-Young Chung ,  Tai-Kyung Kim ,  Young-Kwan Park ,  Ui-Hui Kwon ,  Kyu-Baik Chang

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/46

CPC分类号： H01L21/76838

摘要： Disclosed is a simulation method for determining wafer warpage. This method includes dividing layers and evaluating a composition ratio of materials composing the layers. The method mathematically transforms a semiconductor device, which is constructed as a complicated structure with various materials, into a simplified, mathematically equivalent stacked structure comprising a plurality of unit layer, and utilizes values of mechanical characteristics, which are obtained from the transformed layer structure, for estimating wafer warpage. As a result, it is possible to complete an operation of wafer warpage simulation using information about pattern density of the semiconductor device.

摘要翻译： 公开了一种用于确定晶片翘曲的模拟方法。 该方法包括分层和评估构成层的材料的组成比。 该方法将构成为具有各种材料的复杂结构的半导体器件数学地变换为包括多个单位层的简化的，数学上等效的堆叠结构，并利用从变换层结构获得的机械特性值， 用于估计晶片翘曲。 结果，可以使用关于半导体器件的图案密度的信息来完成晶片翘曲模拟的操作。

公开(公告)号：US08633078B2

公开(公告)日：2014-01-21

申请号：US13240470

申请日：2011-09-22

申请人： Kwan-Yong Lim ,  Chung-Geun Koh ,  Sang-Bom Kang ,  Ui-Hui Kwon ,  Hyun-Jung Lee ,  Tae-Ouk Kwon ,  Seok-Hoon Kim

发明人： Kwan-Yong Lim ,  Chung-Geun Koh ,  Sang-Bom Kang ,  Ui-Hui Kwon ,  Hyun-Jung Lee ,  Tae-Ouk Kwon ,  Seok-Hoon Kim

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66659 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7847

摘要： A semiconductor device is formed with a gate pattern formed on a substrate, and a recrystallized region having a stacking fault defect in the substrate at one side of the gate pattern. The semiconductor device can have a reduced leakage current and improved channel conductivity.

摘要翻译： 半导体器件形成有形成在衬底上的栅极图案，以及在栅极图案一侧的衬底中具有层叠缺陷缺陷的再结晶区域。 半导体器件可以具有减小的漏电流和改善的沟道导电性。

公开(公告)号：US20120108023A1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：US13240470

申请日：2011-09-22

申请人： Kwan-Yong Lim ,  Chung-Geun Koh ,  Sang-Bom Kang ,  Ui-Hui Kwon ,  Hyun-Jung Lee ,  Tae-Ouk Kwon ,  Seok-Hoon Kim

发明人： Kwan-Yong Lim ,  Chung-Geun Koh ,  Sang-Bom Kang ,  Ui-Hui Kwon ,  Hyun-Jung Lee ,  Tae-Ouk Kwon ,  Seok-Hoon Kim

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66659 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7847

摘要： A semiconductor device is formed with a gate pattern formed on a substrate, and a recrystallized region having a stacking fault defect in the substrate at one side of the gate pattern. The semiconductor device can have a reduced leakage current and improved channel conductivity.

摘要翻译： 半导体器件形成有形成在衬底上的栅极图案，以及在栅极图案一侧的衬底中具有层叠缺陷缺陷的再结晶区域。 半导体器件可以具有减小的漏电流和改善的沟道导电性。