公开(公告)号：US20120047317A1

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：US13166131

申请日：2011-06-22

申请人： Han Bin YOON ,  Yeong-Jae Woo ,  Dong Gi Lee ,  Young Kug Moon ,  Hyuck-Sun Kwon

发明人： Han Bin YOON ,  Yeong-Jae Woo ,  Dong Gi Lee ,  Young Kug Moon ,  Hyuck-Sun Kwon

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F3/0613 ,  G06F3/0653 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0679 ,  G06F2206/1014

摘要： A semiconductor storage device and a method of throttling performance of the same are provided. The semiconductor storage device includes a non-volatile memory device configured to store data in a non-volatile state; and a controller configured to control the non-volatile memory device. The controller calculates a new performance level, compares the calculated performance level with a predetermined reference, and determines the calculated performance level as an updated performance level according to the comparison result.

摘要翻译： 提供半导体存储装置及其节流方法。 半导体存储装置包括：非易失性存储装置，被配置为将数据存储在非易失性状态; 以及控制器，被配置为控制所述非易失性存储器件。 控制器计算新的性能水平，将计算的性能水平与预定参考值进行比较，并根据比较结果将计算出的性能水平确定为更新的性能水平。

公开(公告)号：US20120047319A1

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：US13166257

申请日：2011-06-22

申请人： Han Bin YOON ,  Yeong-Jae Woo ,  Dong Gi Lee ,  Young Kug Moon ,  Hyuck-Sun Kwon

发明人： Han Bin YOON ,  Yeong-Jae Woo ,  Dong Gi Lee ,  Young Kug Moon ,  Hyuck-Sun Kwon

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F3/0613 ,  G06F3/0653 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0679 ,  G06F2206/1014

摘要： A semiconductor storage device (SSD) and a method of throttling performance of the SSD. The method can include gathering at least two workload data items related with a workload of the semiconductor storage device, estimating the workload using the at least two workload data items, and throttling the performance of the semiconductor storage device according to the estimated workload. Accordingly, a workload that the semiconductor storage device will undergo can be estimated.

摘要翻译： 一种半导体存储设备（SSD）和一种节制SSD性能的方法。 该方法可以包括收集与半导体存储设备的工作负载相关的至少两个工作负载数据项，使用至少两个工作负载数据项估计工作量，以及根据所估计的工作量来调节半导体存储设备的性能。 因此，可以估计半导体存储装置将经历的工作量。

公开(公告)号：US20150032948A1

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：US14511271

申请日：2014-10-10

申请人： Han Bin YOON ,  Yeong-Jae WOO ,  Dong Gi LEE ,  Young Kug MOON ,  Hyuck-Sun KWON

发明人： Han Bin YOON ,  Yeong-Jae WOO ,  Dong Gi LEE ,  Young Kug MOON ,  Hyuck-Sun KWON

IPC分类号： G06F3/06

CPC分类号： G06F3/0613 ,  G06F3/0653 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0679 ,  G06F2206/1014

摘要： A semiconductor storage device and a method of throttling performance of the same are provided. The semiconductor storage device includes a non-volatile memory device configured to store data in a non-volatile state; and a controller configured to control the non-volatile memory device. The controller calculates a new performance level, compares the calculated performance level with a predetermined reference, and determines the calculated performance level as an updated performance level according to the comparison result.

摘要翻译： 提供半导体存储装置及其节流方法。 半导体存储装置包括：非易失性存储装置，被配置为将数据存储在非易失性状态; 以及控制器，被配置为控制所述非易失性存储器件。 控制器计算新的性能水平，将计算的性能水平与预定参考值进行比较，并根据比较结果将计算出的性能水平确定为更新的性能水平。

公开(公告)号：US20150019801A1

公开(公告)日：2015-01-15

申请号：US14504568

申请日：2014-10-02

申请人： Han Bin YOON ,  Yeong-Jae WOO ,  Dong Gi LEE ,  Kwang Ho KIM ,  Hyuck-Sun KWON

发明人： Han Bin YOON ,  Yeong-Jae WOO ,  Dong Gi LEE ,  Kwang Ho KIM ,  Hyuck-Sun KWON

IPC分类号： G06F3/06

CPC分类号： G06F3/0616 ,  G06F3/0613 ,  G06F3/0653 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0679 ,  G06F13/1668 ,  G06F2206/1014

摘要： A semiconductor storage device and a method of throttling performance of the same are provided. The semiconductor storage device includes a non-volatile memory device; and a controller configured to receive a write command from a host and program write data received from the host to the non-volatile memory device in response to the write command. The controller inserts idle time after receiving the write data from the host and/or after programming the write data to the non-volatile memory device.

摘要翻译： 提供半导体存储装置及其节流方法。 半导体存储装置包括非易失性存储装置; 以及控制器，被配置为从主机接收写入命令，并且响应于写入命令将程序写入从主机接收到非易失性存储器设备的数据。 控制器在接收到来自主机的写入数据和/或在将写入数据编程到非易失性存储器件之后插入空闲时间。

公开(公告)号：US20110199822A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：US13028313

申请日：2011-02-16

申请人： Han Bin YOON ,  Yeong-Jae WOO ,  Jung Been IM

发明人： Han Bin YOON ,  Yeong-Jae WOO ,  Jung Been IM

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C16/10

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/3418

摘要： A method of managing a page buffer of a non-volatile memory device comprises programming least significant bit (LSB) page data from an LSB page buffer into a page of memory cells, and retaining the LSB page data in the LSB page buffer until most significant bit (MSB) page data corresponding to the LSB page data is programmed in the page.

摘要翻译： 管理非易失性存储器件的页面缓冲器的方法包括将LSB页面缓冲器中的最低有效位（LSB）页数据编程到存储器单元的页中，并将LSB页数据保留在LSB页缓冲器中，直到最高 在页面中编程对应于LSB页数据的位（MSB）页数据。

公开(公告)号：US20110202818A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：US13025463

申请日：2011-02-11

申请人： Han Bin YOON ,  Mi Kyoung Jang ,  Jin-Hyuk Lee

发明人： Han Bin YOON ,  Mi Kyoung Jang ,  Jin-Hyuk Lee

IPC分类号： H03M13/05 ,  G06F12/08 ,  G06F11/10

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F11/1068 ,  G06F2212/1032 ,  G06F2212/7207 ,  H03M13/05

摘要： The non-volatile memory system includes a non-volatile memory and a controller. The non-volatile memory includes a data region including a sector region for storing sector data, and an uncorrectable information region for storing uncorrectable sector information on the sector region. The controller includes an information generation unit for generating the uncorrectable sector information that indicates whether the sector region is assigned to an uncorrectable sector region, according to a command output from a host.

摘要翻译： 非易失性存储器系统包括非易失性存储器和控制器。 非易失性存储器包括包括用于存储扇区数据的扇区区域的数据区域和用于在扇区区域上存储不可校正扇区信息的不可校正信息区域。 控制器包括信息生成单元，用于根据从主机输出的命令，生成指示扇区是否分配给不可校正扇区的不可校正扇区信息。

公开(公告)号：US20120066438A1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：US13233744

申请日：2011-09-15

申请人： Han Bin YOON ,  Jang Hwan Kim ,  Jung Been Im

发明人： Han Bin YOON ,  Jang Hwan Kim ,  Jung Been Im

IPC分类号： G06F12/02

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F2212/7205

摘要： A memory device includes a control module to determine first data blocks needing a garbage collection, to determine second data blocks needing memory refresh among the determined first data blocks, and to execute the garbage collection first on the second data blocks.

摘要翻译： 存储装置包括：控制模块，用于确定需要垃圾收集的第一数据块，确定需要在所确定的第一数据块之间进行存储器刷新的第二数据块，并且首先在第二数据块上执行垃圾收集。