公开(公告)号：US20120115265A1

公开(公告)日：2012-05-10

申请号：US13354618

申请日：2012-01-20

申请人： Han-Tu LIN ,  Chien-Hung Chen ,  Shiun-Chang Jan

发明人： Han-Tu LIN ,  Chien-Hung Chen ,  Shiun-Chang Jan

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255

摘要： A substrate comprising a thin-film-transistor (TFT) region, a pixel region, a gate-line region and a data-line region is provided. A transparent conductive layer and a first metal layer are orderly formed on the substrate. A conductive stack layer is formed within each of the TFT/pixel/gate-line regions and the end of the data-line region. Next, a first insulating layer and a semiconductor layer are orderly formed, and a patterned first insulating layer and a patterned semiconductor layer are formed above the conductive stack layer within the TFT region. Then, a second metal layer and a first photoresist layer are respectively formed. Afterwards, the second and the first metal layers are patterned by using the first photoresist layer as a photomask. Finally, the first photoresist layer is reflowed by heat, and part of the reflowed first photoresist layer covers a channel formed within the TFT region.

摘要翻译： 提供了包括薄膜晶体管（TFT）区域，像素区域，栅极线区域和数据线区域的衬底。 在衬底上有序地形成透明导电层和第一金属层。 在每个TFT /像素/栅极线区域和数据线区域的末端中形成导电堆叠层。 接下来，有序地形成第一绝缘层和半导体层，并且在TFT区域内的导电堆叠层的上方形成图案化的第一绝缘层和图案化半导体层。 然后，分别形成第二金属层和第一光致抗蚀剂层。 之后，通过使用第一光致抗蚀剂层作为光掩模来对第二和第一金属层进行构图。 最后，第一光致抗蚀剂层通过热回流，并且回流的第一光致抗蚀剂层的一部分覆盖形成在TFT区域内的沟道。

公开(公告)号：US20080268586A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：US12170620

申请日：2008-07-10

申请人： Kuo-Lung FANG ,  Wen-Ching TSAI ,  Yeong-Shyang LEE ,  Han-Tu LIN

发明人： Kuo-Lung FANG ,  Wen-Ching TSAI ,  Yeong-Shyang LEE ,  Han-Tu LIN

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/4908 ,  H01L29/66765

摘要： The invention discloses a switching element of a pixel electrode for a display device and methods for fabricating the same. A gate is formed on a substrate. A first copper silicide layer is formed on the gate. An insulating layer is formed on the first copper silicide layer. A semiconductor layer is formed on the insulating layer. A source and a drain are formed on the semiconductor layer. Moreover, a second copper silicide layer is sandwiched between the semiconductor layer and the source/drain.

摘要翻译： 本发明公开了一种用于显示装置的像素电极的开关元件及其制造方法。 栅极形成在基板上。 在栅极上形成第一铜硅化物层。 在第一硅化铜层上形成绝缘层。 在绝缘层上形成半导体层。 源极和漏极形成在半导体层上。 此外，第二硅化铜层夹在半导体层和源极/漏极之间。