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1.发明申请Photomask including ion trapping layer and method of manufacturing semiconductor device using the photomask 有权包括离子捕获层的光掩模和使用光掩模制造半导体器件的方法公开(公告)号：US20100068631A1
公开(公告)日：2010-03-18
申请号：US12456500
申请日：2009-06-17
申请人： Han-shin Lee , Jae-hyuck Choi , Hae-young Jeong , Hyung-ho Ko , Jin-sik Jung , Jong-keun Oh , Soo-jung Kang
发明人： Han-shin Lee , Jae-hyuck Choi , Hae-young Jeong , Hyung-ho Ko , Jin-sik Jung , Jong-keun Oh , Soo-jung Kang
摘要： A photomask includes an ion trapping layer and a method of manufacturing a semiconductor device uses the photomask. The photomask includes a transparent substrate and an ion trapping layer formed on a first region of the transparent substrate to trap ions present near the transparent substrate. In manufacturing a semiconductor device, a photosensitive film formed on a substrate is exposed through the photomask in which the ion trapping layer is formed on the transparent substrate, and the substrate is processed using the photosensitive film obtained as the result of the exposure.
摘要翻译： 光掩模包括离子捕获层，并且制造半导体器件的方法使用光掩模。 光掩模包括透明基板和形成在透明基板的第一区域上的离子捕获层，以捕获存在于透明基板附近的离子。 在半导体装置的制造中，通过在透明基板上形成有离子捕获层的光掩模使形成在基板上的感光膜露出，利用曝光得到的感光膜对基板进行处理。
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2.发明授权Photomask including ion trapping layer and method of manufacturing semiconductor device using the photomask 有权包括离子捕获层的光掩模和使用光掩模制造半导体器件的方法公开(公告)号：US07989123B2
公开(公告)日：2011-08-02
申请号：US12456500
申请日：2009-06-17
申请人： Han-shin Lee , Jae-hyuck Choi , Hae-young Jeong , Hyung-ho Ko , Jin-sik Jung , Jong-keun Oh , Soo-jung Kang
发明人： Han-shin Lee , Jae-hyuck Choi , Hae-young Jeong , Hyung-ho Ko , Jin-sik Jung , Jong-keun Oh , Soo-jung Kang
IPC分类号： G03F1/00
摘要： A photomask includes an ion trapping layer and a method of manufacturing a semiconductor device uses the photomask. The photomask includes a transparent substrate and an ion trapping layer formed on a first region of the transparent substrate to trap ions present near the transparent substrate. In manufacturing a semiconductor device, a photosensitive film formed on a substrate is exposed through the photomask in which the ion trapping layer is formed on the transparent substrate, and the substrate is processed using the photosensitive film obtained as the result of the exposure.
摘要翻译： 光掩模包括离子捕获层，并且制造半导体器件的方法使用光掩模。 光掩模包括透明基板和形成在透明基板的第一区域上的离子捕获层，以捕获存在于透明基板附近的离子。 在半导体装置的制造中，通过在透明基板上形成有离子捕获层的光掩模使形成在基板上的感光膜露出，利用曝光得到的感光膜对基板进行处理。
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3.发明申请PELLICLE FRAME, PELLICLE, LITHOGRAPHY APPARATUS, AND METHOD OF FABRICATING THE PELLICLE FRAME 有权薄膜框架，薄膜，平版印刷装置以及制作薄壁框架的方法公开(公告)号：US20110063601A1
公开(公告)日：2011-03-17
申请号：US12879574
申请日：2010-09-10
申请人： Jung-jin KIM , Bum-hyun An , Chan-uk Jeon , Jang-dong You , Sung-wan Kim , Ik-jun Kim , Jae-hyuck Choi , Han-shin Lee
发明人： Jung-jin KIM , Bum-hyun An , Chan-uk Jeon , Jang-dong You , Sung-wan Kim , Ik-jun Kim , Jae-hyuck Choi , Han-shin Lee
CPC分类号： G03F1/142 , C25D11/024 , C25D11/026 , C25D11/04 , C25D11/06 , C25D11/18 , G03F1/64 , Y10T428/13 , Y10T428/1317
摘要： A pellicle frame, including aluminum, aluminum oxide, and a transition metal.
摘要翻译： 防护薄膜组件框架，包括铝，氧化铝和过渡金属。
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4.发明授权Pellicle frame, pellicle, lithography apparatus, and method of fabricating the pellicle frame 有权防护薄膜组件，防护薄膜，光刻设备和防护薄膜组件框架的制造方法公开(公告)号：US08404405B2
公开(公告)日：2013-03-26
申请号：US12879574
申请日：2010-09-10
申请人： Jung-jin Kim , Bum-hyun An , Chan-uk Jeon , Jang-dong You , Sung-wan Kim , Ik-jun Kim , Jae-hyuck Choi , Han-shin Lee
发明人： Jung-jin Kim , Bum-hyun An , Chan-uk Jeon , Jang-dong You , Sung-wan Kim , Ik-jun Kim , Jae-hyuck Choi , Han-shin Lee
CPC分类号： G03F1/142 , C25D11/024 , C25D11/026 , C25D11/04 , C25D11/06 , C25D11/18 , G03F1/64 , Y10T428/13 , Y10T428/1317
摘要： A pellicle frame, including aluminum, aluminum oxide, and a transition metal.
摘要翻译： 防护薄膜组件框架，包括铝，氧化铝和过渡金属。
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