公开(公告)号：US5514425A

公开(公告)日：1996-05-07

申请号：US392737

申请日：1995-03-06

申请人： Hitoshi Ito ,  Kyoichi Suguro ,  Nobuo Hayasaka ,  Haruo Okano ,  Shinji Himori ,  Kazuya Nagaseki ,  Syuji Mochizuki

发明人： Hitoshi Ito ,  Kyoichi Suguro ,  Nobuo Hayasaka ,  Haruo Okano ,  Shinji Himori ,  Kazuya Nagaseki ,  Syuji Mochizuki

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/04 ,  C23C16/34 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  C23C14/02

CPC分类号： H01L21/76865 ,  C23C16/045 ,  C23C16/34 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877

摘要： A thin film-forming method according to the present invention is characterized by comprising the steps of introducing TiCl.sub.4, hydrogen, nitrogen and NF.sub.3 into a film-forming chamber containing a semiconductor substrate (1) having a groove made in its surface, after the chamber has been evacuated to 10.sup.-4 Torr or less; and converting these gases into plasma, thereby forming a thin TiN film on only that portion of the groove which is other than the wall surfaces of the groove.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP94 / 01089 Sec。 371日期：1995年3月6日 102（e）1995年3月6日PCT PCT 1994年7月5日PCT公布。 第WO95 / 02076号公报 日本1990年1月19日。根据本发明的薄膜形成方法的特征在于包括以下步骤：将TiCl 4，氢，氮和NF 3引入包含具有凹槽的半导体衬底（1）的成膜室 在其表面上，在室被抽真空至10-4乇或更小之后; 并将这些气体转化为等离子体，从而在凹槽的除了凹槽的壁表面之外的部分上形成薄的TiN膜。