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    Methods of forming a pattern and methods of manufacturing a memory device using the same
    9.
    发明申请
    Methods of forming a pattern and methods of manufacturing a memory device using the same 有权
    形成图案的方法和使用该图案的存储器件的制造方法

    公开(公告)号：US20080081442A1

    公开(公告)日：2008-04-03

    申请号：US11605266

    申请日：2006-11-29

    申请人： Min-Sang Kim ,  Sung-Young Lee ,  Sung-Min Kim ,  Eun-Jung Yun ,  In-Hyuk Choi

    发明人： Min-Sang Kim ,  Sung-Young Lee ,  Sung-Min Kim ,  Eun-Jung Yun ,  In-Hyuk Choi

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/785 ,  H01L29/792

    摘要： In a method of forming a pattern, a sacrificial layer pattern and a stop layer pattern for preventing or reducing an epitaxial growth may be formed on a substrate. The sacrificial layer pattern may have a first hole therethrough, and the first hole partially exposes a top surface of the substrate. At least one active pattern may be formed on a bottom and a sidewall of the first hole by performing a selective epitaxial growth process on the top surface of the substrate and a sidewall of the sacrificial layer pattern. The sacrificial layer pattern and the stop layer pattern for preventing or reducing the epitaxial growth may be removed from the substrate. The at least one active pattern formed by the above method may have a finer size and an improved shaped compared to a conventional active pattern formed by directly patterning layers using a photoresist pattern. Damages in a photolithography process may be prevented or reduced from being generated.

    摘要翻译： 在形成图案的方法中，可以在基板上形成用于防止或减少外延生长的牺牲层图案和停止层图案。 牺牲层图案可以具有穿过其的第一孔，并且第一孔部分地暴露衬底的顶表面。 通过在衬底的顶表面和牺牲层图案的侧壁上执行选择性外延生长工艺，可以在第一孔的底部和侧壁上形成至少一个活性图案。 可以从衬底去除用于防止或减少外延生长的牺牲层图案和停止层图案。 与通过使用光致抗蚀剂图案直接图案化图案形成的常规有源图案相比，通过上述方法形成的至少一个有源图案可以具有更细的尺寸和改进的形状。 可以防止或减少光刻工艺中的损伤。

    Semiconductor device having a multi-channel type MOS transistor
    10.
    发明授权
    Semiconductor device having a multi-channel type MOS transistor 有权
    具有多沟道型MOS晶体管的半导体器件

    公开(公告)号：US08129777B2

    公开(公告)日：2012-03-06

    申请号：US12659008

    申请日：2010-02-23

    申请人： Min-Sang Kim ,  Sung-Young Lee ,  Sung-Min Kim ,  Eun-Jung Yun ,  In-Hyuk Choi

    发明人： Min-Sang Kim ,  Sung-Young Lee ,  Sung-Min Kim ,  Eun-Jung Yun ,  In-Hyuk Choi

    IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

    CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66787

    摘要： In a method of manufacturing a semiconductor device, an active channel pattern is formed on a substrate. The active channel pattern includes preliminary gate patterns and single crystalline silicon patterns that are alternately stacked with each other. A source/drain layer is formed on a sidewall of the active channel pattern. Mask pattern structures including a gate trench are formed on the active channel pattern and the source/drain layer. The patterns are selectively etched to form tunnels. The gate trench is then filled with a gate electrode. The gate electrode surrounds the active channel pattern. The gate electrode is protruded from the active channel pattern. The mask pattern structures are then removed. Impurities are implanted into the source/drain regions to form source/drain regions. A silicidation process is carried out on the source/drain regions to form a metal silicide layer, thereby completing a semiconductor device having a MOS transistor.

    摘要翻译： 在制造半导体器件的方法中，在衬底上形成有源沟道图案。 有源沟道图案包括彼此交替堆叠的初步栅极图案和单晶硅图案。 源极/漏极层形成在有源沟道图案的侧壁上。 在有源沟道图案和源极/漏极层上形成包括栅极沟槽的掩模图案结构。 选择性地蚀刻图案以形成隧道。 然后用栅电极填充栅极沟槽。 栅电极围绕有源沟道图案。 栅电极从有源沟道图案突出。 然后去除掩模图案结构。 将杂质注入源/漏区以形成源/漏区。 在源极/漏极区域上进行硅化处理以形成金属硅化物层，从而完成具有MOS晶体管的半导体器件。