公开(公告)号：US20100080044A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：US12570159

申请日：2009-09-30

申请人： Hyeoung-won SEO ,  Young-yong BYUN ,  Seong-jin JANG ,  Sang-woong SHIN ,  Soo-ho SHIN ,  Won-woo LEE ,  Jeong-soo PARK

发明人： Hyeoung-won SEO ,  Young-yong BYUN ,  Seong-jin JANG ,  Sang-woong SHIN ,  Soo-ho SHIN ,  Won-woo LEE ,  Jeong-soo PARK

IPC分类号： G11C11/24 ,  G11C8/00 ,  G11C7/00 ,  G11C7/02

CPC分类号： G11C8/14 ,  G11C7/12 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4094 ,  G11C2207/005

摘要： According to some of the inventive concepts, a semiconductor memory device may include a plurality of memory cell blocks including a first memory cell block having bit lines, an edge sense amplifier block including edge sense amplifiers coupled to a portion of the bit lines of the first memory cell block, and a balancing capacitor unit coupled to the edge sense amplifiers.

摘要翻译： 根据一些本发明的概念，半导体存储器件可以包括多个存储单元块，其包括具有位线的第一存储器单元块，边沿读出放大器块，包括耦合到第一位的位线的一部分的边沿读出放大器 存储单元块和耦合到边缘读出放大器的平衡电容单元。

公开(公告)号：US20070293042A1

公开(公告)日：2007-12-20

申请号：US11846749

申请日：2007-08-29

申请人： Sun-joon KIM ,  Hyeoung-won SEO

发明人： Sun-joon KIM ,  Hyeoung-won SEO

IPC分类号： H01L21/441

CPC分类号： H01L23/3178 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor die and a related method of processing a semiconductor wafer are disclosed in which a first interlayer insulator having a recess region of varying configuration and defining a scribe line is associated with at least one protective layer formed with a characterizing inclined side surface.

摘要翻译： 公开了一种半导体管芯及相关的半导体晶片处理方法，其中具有不同构型的凹陷区域并限定划线的第一层间绝缘体与形成有特征倾斜侧表面的至少一个保护层相关联。

公开(公告)号：US20110076856A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：US12961795

申请日：2010-12-07

申请人： Sun-joon KIM ,  Hyeoung-won SEO

发明人： Sun-joon KIM ,  Hyeoung-won SEO

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L23/3178 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor die and a related method of processing a semiconductor wafer are disclosed in which a first interlayer insulator having a recess region of varying configuration and defining a scribe line is associated with at least one protective layer formed with a characterizing inclined side surface.

摘要翻译： 公开了一种半导体管芯及相关的半导体晶片处理方法，其中具有不同构型的凹陷区域并限定划线的第一层间绝缘体与形成有特征倾斜侧表面的至少一个保护层相关联。