公开(公告)号：US20160109794A1

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：US14849006

申请日：2015-09-09

申请人： IL-yong JANG ,  Hyung-ho KO ,  Jin-sang YOON

发明人： IL-yong JANG ,  Hyung-ho KO ,  Jin-sang YOON

IPC分类号： G03F1/26 ,  G03F7/22

CPC分类号： G03F7/22 ,  G03F1/32 ,  G03F1/42 ,  G03F7/203

摘要： A phase shift mask includes a substrate, a second phase shift pattern on the substrate, the second phase shift pattern extending to an outermost perimeter of the substrate, the second phase shift pattern being formed of a material that is semi-transmissive to light of a first wavelength and the substrate being substantially transparent to the light of the first wavelength such that the mask transmits about 2 to about 10% of the light of the first wavelength at the second phase shift pattern, and a first phase shift pattern on the substrate, the second phase shift pattern being disposed between the outermost perimeter of the substrate and the first phase shift pattern.

摘要翻译： 相移掩模包括衬底，衬底上的第二相移图案，延伸到衬底的最外周边的第二相移图案，第二相移图案由对半导体衬底的光透射的材料形成 所述第一波长和所述基板对于所述第一波长的光基本上是透明的，使得所述掩模以所述第二相移图案透射所述第一波长的光的约2至约10％，并且在所述基板上发射第一相移图案， 第二相移图案设置在基板的最外周边与第一相移图案之间。