公开(公告)号：US20130233238A1

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：US13768462

申请日：2013-02-15

Applicant: IMEC

Inventor： Benjamin Vincent ,  Aaron Thean ,  Liesbeth Witters

IPC: C30B23/04 ,  C30B25/04 ,  C30B19/00

CPC classification number: H01L21/02639 ,  C30B19/00 ,  C30B19/12 ,  C30B23/04 ,  C30B25/04 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/762 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: Disclosed are methods and mask structures for epitaxially growing substantially defect-free semiconductor material. In some embodiments, the method may comprise providing a substrate comprising a first crystalline material, where the first crystalline material has a first lattice constant; providing a mask structure on the substrate, where the mask structure comprises a first level comprising a first opening extending through the first level (where a bottom of the first opening comprises the substrate), and a second level on top of the first level, where the second level comprises a plurality of second trenches positioned at a non-zero angle with respect to the first opening. The method may further comprise epitaxially growing a second crystalline material on the bottom of the first opening, where the second crystalline material has a second lattice constant different than the first lattice constant and defects in the second crystalline material are trapped in the first opening.

Abstract translation: 公开了用于外延生长基本上无缺陷的半导体材料的方法和掩模结构。 在一些实施例中，该方法可以包括提供包括第一晶体材料的基底，其中第一晶体材料具有第一晶格常数; 在所述衬底上提供掩模结构，其中所述掩模结构包括第一层，所述第一层包括延伸穿过所述第一层的第一开口（其中所述第一开口的底部包括所述衬底），以及在所述第一层的顶部上的第二层， 第二级包括相对于第一开口非零角度定位的多个第二沟槽。 该方法还可以包括在第一开口的底部上外延生长第二晶体材料，其中第二晶体材料具有不同于第一晶格常数的第二晶格常数，并且第二晶体材料中的缺陷被捕获在第一开口中。