公开(公告)号：US09397143B2

公开(公告)日：2016-07-19

申请号：US14137864

申请日：2013-12-20

Applicant: INTEL CORPORATION

Inventor： Noel Rocklein ,  Qian Tao ,  Zhe Song ,  Vishwanath Bhat

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L27/2481 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675

Abstract: Embodiments of the present disclosure describe a liner for a phase change memory (PCM) array and associated techniques and configurations. In an embodiment, a substrate, an array of phase change memory (PCM) elements disposed on the substrate, wherein individual PCM elements of the array of PCM elements comprise a chalcogenide material and a liner disposed on sidewall surfaces of the individual PCM elements, wherein the liner comprises aluminum (Al), silicon (Si) and oxygen (O). Other embodiments may be described and/or claimed.

Abstract translation: 本公开的实施例描述了用于相变存储器（PCM）阵列和相关联的技术和配置的衬垫。 在一个实施例中，衬底，设置在衬底上的相变存储器（PCM）元件的阵列，其中PCM元件阵列的各个PCM元件包括硫族化物材料和设置在各个PCM元件的侧壁表面上的衬垫，其中 衬垫包括铝（Al），硅（Si）和氧（O）。 可以描述和/或要求保护其他实施例。