公开(公告)号：US20100084613A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：US12518634

申请日：2007-12-13

申请人： Ian Andrew Maxwell ,  James Stanislaus Williams ,  Jodie Elizabeth Bradby ,  Simon Ruffell ,  Naoki Fujisawa

发明人： Ian Andrew Maxwell ,  James Stanislaus Williams ,  Jodie Elizabeth Bradby ,  Simon Ruffell ,  Naoki Fujisawa

IPC分类号： H01B1/04 ,  H01L21/263 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L21/26513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/324

摘要： A doping process, including applying pressure to at least one first phase of a semiconductor containing an electrically inactive dopant and removing the pressure to cause at least one phase transformation of the semiconductor to at least one second phase, wherein the at least one phase transformation activates the dopant so that the at least one second phase includes at least one doped phase of the semiconductor in which the dopant is electrically active.

摘要翻译： 一种掺杂工艺，包括向包含电惰性掺杂剂的半导体的至少一个第一相施加压力，并去除所述压力以使所述半导体至少一次相变至至少一个第二相，其中所述至少一个相变激活 所述掺杂剂使得所述至少一个第二相包括所述半导体的至少一个掺杂相，其中所述掺杂剂是电活性的。

公开(公告)号：US20090126589A1

公开(公告)日：2009-05-21

申请号：US11916982

申请日：2006-06-06

申请人： Ian Andrew Maxwell ,  James Stanislaus Williams ,  Jodie Elizabeth Bradby

发明人： Ian Andrew Maxwell ,  James Stanislaus Williams ,  Jodie Elizabeth Bradby

IPC分类号： B41F1/18

CPC分类号： G11B7/263 ,  B81C1/00111 ,  B81C1/0046 ,  G11B7/00454 ,  G11B7/24079 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L31/18

摘要： A patterning process, including applying pressure to and removing pressure from one or more regions of a substance to transform a phase of one or more regions of the substance, the transformed one or more regions having respective predetermined shapes representing a predetermined pattern. The patterning process can be used to form nanoscale patterns in substances without requiring the use of photoresist or conventional optical or electron-beam lithography, thus avoiding the limitations of those techniques.

摘要翻译： 一种图案化工艺，包括向物质的一个或多个区域施加压力并从中去除压力，以转化物质的一个或多个区域的相位，变换的一个或多个区域具有表示预定图案的各自的预定形状。 图案化工艺可用于在物质中形成纳米尺度图案，而不需要使用光致抗蚀剂或常规光学或电子束光刻，从而避免了这些技术的限制。

公开(公告)号：US20090323407A1

公开(公告)日：2009-12-31

申请号：US10582588

申请日：2004-12-09

申请人： James Stanislaus Williams ,  Jodi Elisabeth Bradby ,  Michael Vincent Swain

发明人： James Stanislaus Williams ,  Jodi Elisabeth Bradby ,  Michael Vincent Swain

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0004 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/04 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/1418 ,  G11B9/1427 ,  G11B9/1436 ,  G11B9/1472 ,  G11B9/149 ,  G11B11/08 ,  G11B2005/0021 ,  G11C11/5678

摘要： A memory device, including a plurality of nanoscale memory cells (1510, 1512) created by applying pressure to and removing pressure from one or more regions (1510, 1512) of a substance (1502) to change the electrical conductivity of those regions (1510, 1512). An electrically conductive read probe (1514) determines the conductivities of the regions and thereby the information stored in the cells. A write probe (1508) applies pressure to and removes pressure from selected cells to change the electrical conductivity of those cells and thereby store or erase information.

摘要翻译： 一种存储器件，包括通过向物质（1502）的一个或多个区域（1510,1512）施加压力并去除压力而产生的多个纳米级存储器单元（1510,1512），以改变这些区域（1510,1512）的电导率 ，1512）。 导电读取探针（1514）确定区域的电导率，从而确定存储在单元中的信息。 写入探针（1508）向所选择的单元施加压力并去除压力，以改变这些单元的电导率，从而存储或擦除信息。