公开(公告)号：US20130059066A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：US13658595

申请日：2012-10-23

申请人： Intermolecular, Inc

发明人： Xiangxin Rui ,  Iain Buchanan ,  Moo-Sung Kim ,  Xinjian Lei ,  Laura Matz ,  Sunil Shanker

IPC分类号： B05D5/12

CPC分类号： C23C16/45531 ,  C23C16/409 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56

摘要： Embodiments of the current invention include methods of forming a strontium titanate (SrTiO3) film using atomic layer deposition (ALD). More particularly, the method includes forming a plurality of titanium oxide (TiO2) unit films using ALD and forming a plurality of strontium oxide (SrO) unit films using ALD. The combined thickness of the TiO2 and SrO unit films is less than approximately 5 angstroms. The TiO2 and SrO units films are then annealed to form a strontium titanate layer.

摘要翻译： 本发明的实施方案包括使用原子层沉积（ALD）形成钛酸锶（SrTiO 3）膜的方法。 更具体地说，该方法包括使用ALD形成多个氧化钛（TiO 2）单元膜并使用ALD形成多个氧化锶（SrO）单元膜。 TiO 2和SrO单元膜的组合厚度小于约5埃。 然后将TiO 2和SrO单元膜退火以形成钛酸锶层。