公开(公告)号：US08652927B2

公开(公告)日：2014-02-18

申请号：US13738510

申请日：2013-01-10

Applicant: Intermolecular, Inc.

Inventor： Sandra Malhotra ,  Hanhong Chen ,  Wim Y. Deweerd ,  Edward L. Haywood ,  Hiroyuki Ode ,  Gerald Richardson

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L29/92 ,  H01L28/75 ,  H01L28/92

Abstract: A method for forming a capacitor stack is described. In some embodiments of the present invention, a first electrode structure is comprised of multiple materials. A first material is formed above the substrate. A portion of the first material is etched. A second material is formed above the first material. A portion of the second material is etched. Optionally, the first electrode structure receives an anneal treatment. A dielectric material is formed above the first electrode structure. Optionally, the dielectric material receives an anneal treatment. A second electrode material is formed above the dielectric material. Typically, the capacitor stack receives an anneal treatment.

Abstract translation: 描述形成电容器堆叠的方法。 在本发明的一些实施例中，第一电极结构由多种材料构成。 在基板上方形成第一材料。 蚀刻第一材料的一部分。 在第一材料上方形成第二材料。 蚀刻第二材料的一部分。 可选地，第一电极结构接受退火处理。 介电材料形成在第一电极结构之上。 可选地，电介质材料接受退火处理。 在电介质材料上方形成第二电极材料。 通常，电容器堆叠接收退火处理。

公开(公告)号：US20130320495A1

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：US13738510

申请日：2013-01-10

Applicant: INTERMOLECULAR, INC.

Inventor： Sandra G. Malhotra ,  Hanhong Chen ,  Wim Y. Deweerd ,  Edward L. Haywood ,  Hiroyuki Ode ,  Gerald Richardson

IPC: H01L29/92

CPC classification number: H01L29/92 ,  H01L28/75 ,  H01L28/92

Abstract: A method for forming a capacitor stack is described. In some embodiments of the present invention, a first electrode structure is comprised of multiple materials. A first material is formed above the substrate. A portion of the first material is etched. A second material is formed above the first material. A portion of the second material is etched. Optionally, the first electrode structure receives an anneal treatment. A dielectric material is formed above the first electrode structure. Optionally, the dielectric material receives an anneal treatment. A second electrode material is formed above the dielectric material. Typically, the capacitor stack receives an anneal treatment.

Abstract translation: 描述形成电容器堆叠的方法。 在本发明的一些实施例中，第一电极结构由多种材料构成。 在基板上方形成第一材料。 蚀刻第一材料的一部分。 在第一材料上方形成第二材料。 蚀刻第二材料的一部分。 可选地，第一电极结构接受退火处理。 介电材料形成在第一电极结构之上。 可选地，电介质材料接受退火处理。 在电介质材料上方形成第二电极材料。 通常，电容器堆叠接收退火处理。