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    Halo-free non-rectifying contact on chip with halo source/drain diffusion
    1.
    发明申请
    Halo-free non-rectifying contact on chip with halo source/drain diffusion 有权
    光环/漏极扩散芯片上的无光非整流接触

    公开(公告)号：US20020149058A1

    公开(公告)日：2002-10-17

    申请号：US10064305

    申请日：2002-07-01

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： James A. Culp ,  Jawahar P. Nayak ,  Werner A. Rausch ,  Melanie J. Sherony ,  Steven H. Voldman ,  Noah D. Zamdmer

    IPC分类号： H01L027/01 ,  H01L027/12 ,  H01L031/0392

    CPC分类号： H01L29/4966 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/7835

    摘要： A semiconductor chip includes a semiconductor substrate having a rectifying contact diffusion and a non-rectifying contact diffusion. A halo diffusion is adjacent the rectifying contact diffusion and no halo diffusion is adjacent the non-rectifying contact diffusion. The rectifying contact diffusion can be a source/drain diffusion of an FET to improve resistance to punch-through. The non-rectifying contact diffusion may be an FET body contact, a lateral diode contact, or a resistor or capacitor contact. Avoiding a halo for non-rectifying contacts reduces series resistance and improves device characteristics. In another embodiment on a chip having devices with halos adjacent diffusions, no halo diffusion is adjacent a rectifying contact diffusion of a lateral diode, significantly improving ideality of the diode and increasing breakdown voltage.

    摘要翻译： 半导体芯片包括具有整流接触扩散和非整流接触扩散的半导体衬底。 光晕扩散与整流接触扩散相邻，并且没有晕圈扩散与非整流接触扩散相邻。 整流接触扩散可以是FET的源极/漏极扩散，以提高耐穿透性。 非整流接触扩散可以是FET体接触，横向二极管接触或电阻或电容器接触。 避免使用非整流触点的光圈可以降低串联电阻并提高器件特性。 在具有相邻扩散的光晕的器件的芯片的另一实施例中，没有卤素扩散与横向二极管的整流接触扩散相邻，从而显着地提高了二极管的理想性并增加了击穿电压。