公开(公告)号：US20120142158A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US13368901

申请日：2012-02-08

申请人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Kevin K. Chan ,  Philip G. Collins ,  Richard Martel ,  Hon-Sum Philip Wong

发明人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Kevin K. Chan ,  Philip G. Collins ,  Richard Martel ,  Hon-Sum Philip Wong

IPC分类号： H01L21/336 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L51/0516 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0545 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/938 ,  Y10S977/94

摘要： A self-aligned carbon-nanotube field effect transistor semiconductor device comprises a carbon-nanotube deposited on a substrate, a source and a drain formed at a first end and a second end of the carbon-nanotube, respectively, and a gate formed substantially over a portion of the carbon-nanotube, separated from the carbon-nanotube by a dielectric film.

摘要翻译： 自对准碳纳米管场效应晶体管半导体器件分别包括沉积在基板上的碳纳米管，分别形成在碳纳米管的第一端和第二端的源极和漏极，以及基本上形成的栅极 碳纳米管的一部分，通过电介质膜与碳纳米管分离。

公开(公告)号：US08637374B2

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：US13368901

申请日：2012-02-08

申请人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Kevin K. Chan ,  Philip G. Collins ,  Richard Martel ,  Hon-Sum Philip Wong

发明人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Kevin K. Chan ,  Philip G. Collins ,  Richard Martel ,  Hon-Sum Philip Wong

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/44 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L51/0516 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0545 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/938 ,  Y10S977/94

摘要： A self-aligned carbon-nanotube field effect transistor semiconductor device comprises a carbon-nanotube deposited on a substrate, a source and a drain formed at a first end and a second end of the carbon-nanotube, respectively, and a gate formed substantially over a portion of the carbon-nanotube, separated from the carbon-nanotube by a dielectric film.

摘要翻译： 自对准碳纳米管场效应晶体管半导体器件分别包括沉积在基板上的碳纳米管，分别形成在碳纳米管的第一端和第二端的源极和漏极，以及基本上形成的栅极 碳纳米管的一部分，通过电介质膜与碳纳米管分离。

公开(公告)号：US07897960B2

公开(公告)日：2011-03-01

申请号：US12544412

申请日：2009-08-20

申请人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Kevin K. Chan ,  Philip G. Collins ,  Richard Martel ,  Hon-Sum Philip Wong

发明人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Kevin K. Chan ,  Philip G. Collins ,  Richard Martel ,  Hon-Sum Philip Wong

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/06 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L51/0516 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0545 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/938 ,  Y10S977/94

摘要： A self-aligned carbon-nanotube field effect transistor semiconductor device comprises a carbon-nanotube deposited on a substrate, a source and a drain formed at a first end and a second end of the carbon-nanotube, respectively, and a gate formed substantially over a portion of the carbon-nanotube, separated from the carbon-nanotube by a dielectric film.

摘要翻译： 自对准碳纳米管场效应晶体管半导体器件分别包括沉积在基板上的碳纳米管，分别形成在碳纳米管的第一端和第二端的源极和漏极，以及基本上形成的栅极 碳纳米管的一部分，通过电介质膜与碳纳米管分离。

公开(公告)号：US20090309092A1

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：US12544412

申请日：2009-08-20

申请人： JOERG APPENZELLER ,  Phaedon Avouris ,  Kevin K. Chan ,  Philip G. Collins ,  Richard Martel ,  Hon-Sum Philip Wong

发明人： JOERG APPENZELLER ,  Phaedon Avouris ,  Kevin K. Chan ,  Philip G. Collins ,  Richard Martel ,  Hon-Sum Philip Wong

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L51/0516 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0545 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/938 ,  Y10S977/94

摘要： A self-aligned carbon-nanotube field effect transistor semiconductor device comprises a carbon-nanotube deposited on a substrate, a source and a drain formed at a first end and a second end of the carbon-nanotube, respectively, and a gate formed substantially over a portion of the carbon-nanotube, separated from the carbon-nanotube by a dielectric film.

摘要翻译： 自对准碳纳米管场效应晶体管半导体器件分别包括沉积在基板上的碳纳米管，分别形成在碳纳米管的第一端和第二端的源极和漏极，以及基本上形成的栅极 碳纳米管的一部分，通过电介质膜与碳纳米管分离。

公开(公告)号：US08138491B2

公开(公告)日：2012-03-20

申请号：US12544436

申请日：2009-08-20

申请人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Kevin K. Chan ,  Philip G. Collins ,  Richard Martel ,  Hon-Sum Philip Wong

发明人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Kevin K. Chan ,  Philip G. Collins ,  Richard Martel ,  Hon-Sum Philip Wong

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/04 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L51/0516 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0545 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/938 ,  Y10S977/94

摘要： A self-aligned carbon-nanotube field effect transistor semiconductor device comprises a carbon-nanotube deposited on a substrate, a source and a drain formed at a first end and a second end of the carbon-nanotube, respectively, and a gate formed substantially over a portion of the carbon-nanotube, separated from the carbon-nanotube by a dielectric film.

摘要翻译： 自对准碳纳米管场效应晶体管半导体器件分别包括沉积在基板上的碳纳米管，分别形成在碳纳米管的第一端和第二端的源极和漏极，以及基本上形成的栅极 碳纳米管的一部分，通过电介质膜与碳纳米管分离。

公开(公告)号：US07635856B2

公开(公告)日：2009-12-22

申请号：US11835167

申请日：2007-08-07

申请人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Kevin K. Chan ,  Philip G. Collins ,  Richard Martel ,  Hon-Sum Philip Wong

发明人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Kevin K. Chan ,  Philip G. Collins ,  Richard Martel ,  Hon-Sum Philip Wong

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/06 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L51/0516 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0545 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/938 ,  Y10S977/94

摘要： A self-aligned carbon-nanotube field effect transistor semiconductor device comprises a carbon-nanotube deposited on a substrate, a source and a drain formed at a first end and a second end of the carbon-nanotube, respectively, and a gate formed substantially over a portion of the carbon-nanotube, separated from the carbon-nanotube by a dielectric film.

摘要翻译： 自对准碳纳米管场效应晶体管半导体器件分别包括沉积在基板上的碳纳米管，分别形成在碳纳米管的第一端和第二端的源极和漏极，以及基本上形成的栅极 碳纳米管的一部分，通过电介质膜与碳纳米管分离。

公开(公告)号：US20100001260A1

公开(公告)日：2010-01-07

申请号：US12544436

申请日：2009-08-20

申请人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Kevin K. Chan ,  Philip G. Collins ,  Richard Martel ,  Hon-Sum Philip Wong

发明人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Kevin K. Chan ,  Philip G. Collins ,  Richard Martel ,  Hon-Sum Philip Wong

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L51/0516 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0545 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/938 ,  Y10S977/94

摘要： A self-aligned carbon-nanotube field effect transistor semiconductor device comprises a carbon-nanotube deposited on a substrate, a source and a drain formed at a first end and a second end of the carbon-nanotube, respectively, and a gate formed substantially over a portion of the carbon-nanotube, separated from the carbon-nanotube by a dielectric film.

摘要翻译： 自对准碳纳米管场效应晶体管半导体器件分别包括沉积在基板上的碳纳米管，分别形成在碳纳米管的第一端和第二端的源极和漏极，以及基本上形成的栅极 碳纳米管的一部分，通过电介质膜与碳纳米管分离。

公开(公告)号：US07253065B2

公开(公告)日：2007-08-07

申请号：US10956851

申请日：2004-10-01

申请人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Kevin K. Chan ,  Philip G. Collins ,  Richard Martel ,  Hon-Sum Philip Wong

发明人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Kevin K. Chan ,  Philip G. Collins ,  Richard Martel ,  Hon-Sum Philip Wong

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L51/0516 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0545 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/938 ,  Y10S977/94

摘要： A self-aligned carbon-nanotube field effect transistor semiconductor device comprises a carbon-nanotube deposited on a substrate, a source and a drain formed at a first end and a second end of the carbon-nanotube, respectively, and a gate formed substantially over a portion of the carbon-nanotube, separated from the carbon-nanotube by a dielectric film.

摘要翻译： 自对准碳纳米管场效应晶体管半导体器件分别包括沉积在基板上的碳纳米管，分别形成在碳纳米管的第一端和第二端的源极和漏极，以及基本上形成的栅极 碳纳米管的一部分，通过电介质膜与碳纳米管分离。

公开(公告)号：US06891227B2

公开(公告)日：2005-05-10

申请号：US10102365

申请日：2002-03-20

申请人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Kevin K. Chan ,  Richard Martel ,  Hon-Sum Philip Wong ,  Philip G. Collins

发明人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Kevin K. Chan ,  Richard Martel ,  Hon-Sum Philip Wong ,  Philip G. Collins

IPC分类号： H01L51/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L29/76 ,  H01L29/06 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L51/0516 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0545 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/938 ,  Y10S977/94

摘要： A self-aligned carbon-nanotube field effect transistor semiconductor device comprises a carbon-nanotube deposited on a substrate, a source and a drain formed at a first end and a second end of the carbon-nanotube, respectively, and a gate formed substantially over a portion of the carbon-nanotube, separated from the carbon-nanotube by a dielectric film.

公开(公告)号：US07145212B2

公开(公告)日：2006-12-05

申请号：US10868791

申请日：2004-06-17

申请人： Kevin K. Chan ,  Lijuan Huang ,  Fenton R. McFeely ,  Paul M. Solomon ,  Hon-Sum Philip Wong

发明人： Kevin K. Chan ,  Lijuan Huang ,  Fenton R. McFeely ,  Paul M. Solomon ,  Hon-Sum Philip Wong

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/66772 ,  H01L21/76251 ,  H01L29/78648

摘要： A method (and resultant structure) of forming a semiconductor device, includes forming a metal-back-gate over a substrate and a metal back-gate, forming a passivation layer on the metal back-gate to prevent the metal back-gate from reacting with radical species, and providing an intermediate gluing layer between the substrate and the metal back-gate to enhance adhesion.