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公开(公告)号：US20120171102A1
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：US13420074
申请日：2012-03-14
申请人： Javier San Segundo Sanchez , Jose Luis Montesinos Barona , Evaristo Ayuso Conejero , Manuel Vicente Vales Canle , Xavier Benavides Rel , Pedro-Tomas Lujan Garcia , Maria Tomas Martinez
发明人： Javier San Segundo Sanchez , Jose Luis Montesinos Barona , Evaristo Ayuso Conejero , Manuel Vicente Vales Canle , Xavier Benavides Rel , Pedro-Tomas Lujan Garcia , Maria Tomas Martinez
IPC分类号： C01B33/027 , C01B33/029 , B01J19/00 , C01B33/03
CPC分类号： C01B33/027 , B01J8/1827 , B01J8/24 , B01J19/02 , B01J2208/00407 , B01J2208/00415 , B01J2208/00433 , B01J2208/0046 , B01J2219/0236 , C01B33/029 , C01B33/03 , C01B33/035
摘要： Methods and apparatus for the production of high purity silicon including a fluidized bed reactor with one or more protective layers deposited on an inside surface of the fluidized bed reactor. The protective layer may be resistant to corrosion by fluidizing gases and silicon-bearing gases.
摘要翻译： 包括生产高纯度硅的方法和装置，包括沉积在流化床反应器的内表面上的一个或多个保护层的流化床反应器。 保护层可以通过使气体和含硅气体流化而耐腐蚀。
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公开(公告)号：US08168123B2
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：US12393852
申请日：2009-02-26
申请人： Javier San Segundo Sanchez , Jose Luis Montesinos Barona , Evaristo Ayuso Conejero , Manuel Vicente Vales Canle , Xavier Benavides Rel , Pedro-Tomas Lujan Garcia , Maria Tomas Martinez
发明人： Javier San Segundo Sanchez , Jose Luis Montesinos Barona , Evaristo Ayuso Conejero , Manuel Vicente Vales Canle , Xavier Benavides Rel , Pedro-Tomas Lujan Garcia , Maria Tomas Martinez
IPC分类号： B01J8/24 , B01J19/02 , C01B33/021
CPC分类号： C01B33/027 , B01J8/1827 , B01J8/24 , B01J19/02 , B01J2208/00407 , B01J2208/00415 , B01J2208/00433 , B01J2208/0046 , B01J2219/0236 , C01B33/029 , C01B33/03 , C01B33/035
摘要： Methods and apparatus for the production of high purity silicon including a fluidized bed reactor with one or more protective layers deposited on an inside surface of the fluidized bed reactor. The protective layer may be resistant to corrosion by fluidizing gases and silicon-bearing gases.
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公开(公告)号：US08158093B2
公开(公告)日：2012-04-17
申请号：US12903994
申请日：2010-10-13
申请人： Javier San Segundo Sanchez , Jose Luis Montesinos Barona , Evaristo Ayuso Conejero , Manuel Vicente Vales Canle , Xavier Benavides Rel , Pedro-Tomas Lujan Garcia , Maria Tomas Martinez
发明人： Javier San Segundo Sanchez , Jose Luis Montesinos Barona , Evaristo Ayuso Conejero , Manuel Vicente Vales Canle , Xavier Benavides Rel , Pedro-Tomas Lujan Garcia , Maria Tomas Martinez
IPC分类号： C01B33/02
CPC分类号： C01B33/027 , B01J8/1827 , B01J8/24 , B01J19/02 , B01J2208/00407 , B01J2208/00415 , B01J2208/00433 , B01J2208/0046 , B01J2219/0236 , C01B33/029 , C01B33/03 , C01B33/035
摘要： Methods and apparatus for the production of high purity silicon including a fluidized bed reactor with one or more protective layers deposited on an inside surface of the fluidized bed reactor. The protective layer may be resistant to corrosion by fluidizing gases and silicon-bearing gases.
摘要翻译： 包括生产高纯度硅的方法和装置，包括沉积在流化床反应器的内表面上的一个或多个保护层的流化床反应器。 保护层可以通过使气体和含硅气体流化而耐腐蚀。
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公开(公告)号：US20100215562A1
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：US12393852
申请日：2009-02-26
申请人： Javier San Segundo Sanchez , Jose Luis Montesinos Barona , Evaristo Ayuso Conejero , Manuel Vicente Vales Canle , Xavier Benavides Rel , Pedro-Tomas Lujan Garcia
发明人： Javier San Segundo Sanchez , Jose Luis Montesinos Barona , Evaristo Ayuso Conejero , Manuel Vicente Vales Canle , Xavier Benavides Rel , Pedro-Tomas Lujan Garcia
IPC分类号： C01B33/027 , B01J8/18 , C01B33/029 , C01B33/03
CPC分类号： C01B33/027 , B01J8/1827 , B01J8/24 , B01J19/02 , B01J2208/00407 , B01J2208/00415 , B01J2208/00433 , B01J2208/0046 , B01J2219/0236 , C01B33/029 , C01B33/03 , C01B33/035
摘要： Methods and apparatus for the production of high purity silicon including a fluidized bed reactor with one or more protective layers deposited on an inside surface of the fluidized bed reactor. The protective layer may be resistant to corrosion by fluidizing gases and silicon-bearing gases.
摘要翻译： 包括生产高纯度硅的方法和装置，包括沉积在流化床反应器的内表面上的一个或多个保护层的流化床反应器。 保护层可以通过使气体和含硅气体流化而耐腐蚀。
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