公开(公告)号：US20050042526A1

公开(公告)日：2005-02-24

申请号：US10913529

申请日：2004-08-09

申请人： Jeong-yun Lee ,  Ka-soon Yim ,  Jae-hee Hwang ,  Il-yong Jang

发明人： Jeong-yun Lee ,  Ka-soon Yim ,  Jae-hee Hwang ,  Il-yong Jang

IPC分类号： B32B9/00 ,  B32B15/00 ,  B32B17/06 ,  G03F1/32 ,  G03F1/58 ,  G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065

CPC分类号： G03F1/26 ,  G03F1/54 ,  G03F1/80

摘要： A photomask blank includes a hard mask having an excellent etch selectivity with respect to an opaque layer. The photomask blank includes a light-transmissive substrate, an opaque chromium layer disposed on the light-transmissive substrate, and a hard mask layer disposed on the opaque chromium layer. The hard mask layer is of a conductive material having an etch selectivity of at least 3:1 with respect to the opaque chromium layer against an etch gas mixture including chlorine gas and oxygen gas. Also, a resist layer is disposed on the hard mask layer. Alternatively, a phase shift layer can be interposed between the light-transmissive substrate and the opaque chromium layer. Preferably, the hard mask layer is formed of Mo or MoSi. First, the resist layer is patterned, and the hard mask is etched using the patterned resist as an etch mask. Then the chromium layer is etched using the patterned hard mask as an etch mask.

摘要翻译： 光掩模坯料包括相对于不透明层具有优异蚀刻选择性的硬掩模。 光掩模坯料包括透光基板，设置在透光基板上的不透明铬层和设置在不透明铬层上的硬掩模层。 硬掩模层是相对于包括氯气和氧气的蚀刻气体混合物的不透明铬层的蚀刻选择性至少为3:1的导电材料。 此外，在硬掩模层上设置抗蚀剂层。 或者，可以在透光基板和不透明铬层之间插入相移层。 优选地，硬掩模层由Mo或MoSi形成。 首先，对抗蚀剂层进行图案化，并使用图案化的抗蚀剂作为蚀刻掩模蚀刻硬掩模。 然后使用图案化的硬掩模作为蚀刻掩模蚀刻铬层。

公开(公告)号：US07371484B2

公开(公告)日：2008-05-13

申请号：US10913529

申请日：2004-08-09

申请人： Jeong-yun Lee ,  Ka-soon Yim ,  Jae-hee Hwang ,  Il-yong Jang

发明人： Jeong-yun Lee ,  Ka-soon Yim ,  Jae-hee Hwang ,  Il-yong Jang

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F1/26 ,  G03F1/54 ,  G03F1/80

摘要： A photomask blank includes a hard mask having an excellent etch selectivity with respect to an opaque layer. The photomask blank includes a light-transmissive substrate, an opaque chromium layer disposed on the light-transmissive substrate, and a hard mask layer disposed on the opaque chromium layer. The hard mask layer is of a conductive material having an etch selectivity of at least 3:1 with respect to the opaque chromium layer against an etch gas mixture including chlorine gas and oxygen gas. Also, a resist layer is disposed on the hard mask layer. Alternatively, a phase shift layer can be interposed between the light-transmissive substrate and the opaque chromium layer. Preferably, the hard mask layer is formed of Mo or MoSi. First, the resist layer is patterned, and the hard mask is etched using the patterned resist as an etch mask. Then the chromium layer is etched using the patterned hard mask as an etch mask.

摘要翻译： 光掩模坯料包括相对于不透明层具有优异蚀刻选择性的硬掩模。 光掩模坯料包括透光基板，设置在透光基板上的不透明铬层和设置在不透明铬层上的硬掩模层。 硬掩模层是相对于包括氯气和氧气的蚀刻气体混合物的不透明铬层的蚀刻选择性至少为3:1的导电材料。 此外，在硬掩模层上设置抗蚀剂层。 或者，可以在透光基板和不透明铬层之间插入相移层。 优选地，硬掩模层由Mo或MoSi形成。 首先，对抗蚀剂层进行图案化，并使用图案化的抗蚀剂作为蚀刻掩模蚀刻硬掩模。 然后使用图案化的硬掩模作为蚀刻掩模蚀刻铬层。

公开(公告)号：US06204191B1

公开(公告)日：2001-03-20

申请号：US09333932

申请日：1999-06-16

申请人： Kwang-Jin Jung ,  Tae-ryong Kim ,  Chung-howan Kim ,  Jae-hee Hwang

发明人： Kwang-Jin Jung ,  Tae-ryong Kim ,  Chung-howan Kim ,  Jae-hee Hwang

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： H01L28/84 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/76885 ,  H01L27/10814 ,  H01L28/92 ,  Y10S438/964

摘要： A method of manufacturing semiconductor device that improves the alignment margin between a contact hole and a device pattern includes a layer having an upper vertically shaped portion and a lower symmetrically inclined shaped portion. That is, the lower portion is tapered.

摘要翻译： 制造改善接触孔和器件图案之间的对准边缘的半导体器件的方法包括具有上垂直形状部分和下对称倾斜成形部分的层。 也就是说，下部是锥形的。