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公开(公告)号：US07988775B2
公开(公告)日：2011-08-02
申请号：US12703385
申请日：2010-02-10
申请人： Ji Yong Lee , Dong Ho Kwak , Byung Jun Jung , Sung Hyun Park , Chul Hee Hong , Kwang Soon Kim
发明人： Ji Yong Lee , Dong Ho Kwak , Byung Jun Jung , Sung Hyun Park , Chul Hee Hong , Kwang Soon Kim
摘要： The present invention provides an aluminum white rust inhibiting composition containing alkali metal metasilicate and alkali metal hydroxide as essential components. The composition described by the present invention can provide an anti-corrosion function to vehicle aluminum parts without a separate surface process, thus reducing the manufacturing cost by reducing the number of processes and improving the durability of the vehicle aluminum parts.
摘要翻译： 本发明提供含有碱金属偏硅酸盐和碱金属氢氧化物作为必要成分的铝白锈防止组合物。 通过本发明描述的组合物可以在没有单独的表面处理的情况下为车辆铝部件提供抗腐蚀功能，从而通过减少工艺数量和提高车辆铝部件的耐久性来降低制造成本。
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公开(公告)号：US20100326319A1
公开(公告)日：2010-12-30
申请号：US12703385
申请日：2010-02-10
申请人： Ji Yong Lee , Dong Ho Kwak , Byung Jun Jung , Sung Hyun Park , Chul Hee Hong , Kwang Soon Kim
发明人： Ji Yong Lee , Dong Ho Kwak , Byung Jun Jung , Sung Hyun Park , Chul Hee Hong , Kwang Soon Kim
IPC分类号： C09D5/08
摘要： The present invention provides an aluminum white rust inhibiting composition containing alkali metal metasilicate and alkali metal hydroxide as essential components. The composition described by the present invention can provide an anti-corrosion function to vehicle aluminum parts without a separate surface process, thus reducing the manufacturing cost by reducing the number of processes and improving the durability of the vehicle aluminum parts.
摘要翻译： 本发明提供含有碱金属偏硅酸盐和碱金属氢氧化物作为必要成分的铝白锈防止组合物。 通过本发明描述的组合物可以在没有单独的表面处理的情况下为车辆铝部件提供抗腐蚀功能，从而通过减少工艺数量和提高车辆铝部件的耐久性来降低制造成本。
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公开(公告)号：US20120205783A1
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：US13242827
申请日：2011-09-23
申请人： Sangmoon Lee , Euijoon Yoon , Jinsub Park , Sung Hyun Park
发明人： Sangmoon Lee , Euijoon Yoon , Jinsub Park , Sung Hyun Park
CPC分类号： H01L21/0254 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02392 , H01L21/02395 , H01L21/02398 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02494 , H01L21/02513 , H01L21/02628 , H01L21/02642 , H01L21/02647
摘要： A semiconductor device includes a first non-flat non-polar nitride semiconductor layer, a first structure layer on at least a portion of the surface of the first non-flat non-polar nitride semiconductor layer and a first non-polar nitride semiconductor layer on the first non-flat non-polar nitride semiconductor layer and the first structure layer. The first non-flat non-polar nitride semiconductor layer includes a plurality of solid particles.
摘要翻译： 半导体器件包括第一非平坦非极性氮化物半导体层，第一非平坦非极性氮化物半导体层的表面的至少一部分上的第一结构层和第一非平坦非极性氮化物半导体层上的第一非极性氮化物半导体层 第一非平面非极性氮化物半导体层和第一结构层。 第一非平坦非极性氮化物半导体层包括多个固体颗粒。
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公开(公告)号：US09230804B2
公开(公告)日：2016-01-05
申请号：US13242827
申请日：2011-09-23
申请人： Sangmoon Lee , Euijoon Yoon , Jinsub Park , Sung Hyun Park
发明人： Sangmoon Lee , Euijoon Yoon , Jinsub Park , Sung Hyun Park
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/0254 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02392 , H01L21/02395 , H01L21/02398 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02494 , H01L21/02513 , H01L21/02628 , H01L21/02642 , H01L21/02647
摘要： A semiconductor device includes a first non-flat non-polar nitride semiconductor layer, a first structure layer on at least a portion of the surface of the first non-flat non-polar nitride semiconductor layer and a first non-polar nitride semiconductor layer on the first non-flat non-polar nitride semiconductor layer and the first structure layer. The first non-flat non-polar nitride semiconductor layer includes a plurality of solid particles.
摘要翻译： 半导体器件包括第一非平坦非极性氮化物半导体层，第一非平坦非极性氮化物半导体层的表面的至少一部分上的第一结构层和第一非平坦非极性氮化物半导体层上的第一非极性氮化物半导体层 第一非平面非极性氮化物半导体层和第一结构层。 第一非平坦非极性氮化物半导体层包括多个固体颗粒。
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