公开(公告)号：US20130168632A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：US13596807

申请日：2012-08-28

申请人： Ji-Won MOON ,  Moon-Sig JOO ,  Sung-Hoon LEE ,  Jung-Nam Kim

发明人： Ji-Won MOON ,  Moon-Sig JOO ,  Sung-Hoon LEE ,  Jung-Nam Kim

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/02 ,  B82Y10/00

CPC分类号： H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1641

摘要： A resistance variable memory device includes: a first electrode; a second electrode; a resistance variable layer interposed between the first electrode and the second electrode; and nano particles that are disposed in the resistance variable layer and have a lower dielectric constant than the resistance variable layer.

摘要翻译： 电阻可变存储器件包括：第一电极; 第二电极; 介于所述第一电极和所述第二电极之间的电阻变化层; 和纳米颗粒，其设置在电阻变化层中并具有比电阻变化层低的介电常数。

公开(公告)号：US20130299763A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：US13619918

申请日：2012-09-14

申请人： Ji-Won MOON ,  Sung-Hoon LEE ,  Sook-Joo KIM

发明人： Ji-Won MOON ,  Sung-Hoon LEE ,  Sook-Joo KIM

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/08 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146

摘要： A variable resistance memory device that includes a first electrode, a second electrode, a variable resistance layer interposed between the first electrode and a second electrode. A metal oxide electrode is interposed between the first electrode and the variable resistance layer, and the metal oxide electrode does not include a nitrogen constituent.

摘要翻译： 一种可变电阻存储器件，包括第一电极，第二电极，插在第一电极和第二电极之间的可变电阻层。 金属氧化物电极介于第一电极和可变电阻层之间，金属氧化物电极不包括氮成分。