公开(公告)号：US08493782B2

公开(公告)日：2013-07-23

申请号：US12580579

申请日：2009-10-16

申请人： Jinhyuk Kim ,  Donggi Lee ,  Taesung Jung ,  Byungse So ,  Duckhyun Chang ,  SangLyul Min ,  Bryan Suk Joon Kim

发明人： Jinhyuk Kim ,  Donggi Lee ,  Taesung Jung ,  Byungse So ,  Duckhyun Chang ,  SangLyul Min ,  Bryan Suk Joon Kim

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C17/146 ,  G11C2211/5641

摘要： Provided are a flash memory system and a driving method thereof. A flash memory device according to an embodiment of the present invention includes a memory cell array including a plurality of memory cells, and a control logic. The control logic performs control for one-bit information to be stored in the plurality of memory cells. The control logic controls storing data in the plurality of memory cells multiple times without an erasion operation. Accordingly, the flash memory device does not execute an erasion operation, increasing an operation speed.

摘要翻译： 提供一种闪存系统及其驱动方法。 根据本发明的实施例的闪速存储器件包括包括多个存储单元的存储单元阵列和控制逻辑。 控制逻辑对要存储在多个存储单元中的一位信息执行控制。 控制逻辑控制多次存储多个存储单元中的数据而不进行擦除操作。 因此，闪存器件不执行擦除操作，从而提高了操作速度。

公开(公告)号：US20100103735A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：US12580579

申请日：2009-10-16

申请人： Jinhyuk Kim ,  Donggi Lee ,  Taesung Jung ,  Byungse So ,  Duckhyun Chang ,  SangLyul Min ,  Bryan Suk Joon Kim

发明人： Jinhyuk Kim ,  Donggi Lee ,  Taesung Jung ,  Byungse So ,  Duckhyun Chang ,  SangLyul Min ,  Bryan Suk Joon Kim

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C16/06

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C17/146 ,  G11C2211/5641

摘要： Provided are a flash memory system and a driving method thereof. A flash memory device according to an embodiment of the present invention includes a memory cell array including a plurality of memory cells, and a control logic. The control logic performs control for one-bit information to be stored in the plurality of memory cells. The control logic controls storing data in the plurality of memory cells multiple times without an erasion operation. Accordingly, the flash memory device does not execute an erasion operation, increasing an operation speed.

摘要翻译： 提供一种闪存系统及其驱动方法。 根据本发明的实施例的闪速存储器件包括包括多个存储单元的存储单元阵列和控制逻辑。 控制逻辑对要存储在多个存储单元中的一位信息执行控制。 控制逻辑控制多次存储多个存储单元中的数据而不进行擦除操作。 因此，闪存器件不执行擦除操作，从而提高了操作速度。