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公开(公告)号:US06359159B1
公开(公告)日:2002-03-19
申请号:US09729115
申请日:2000-12-04
IPC分类号: C07F702
CPC分类号: C07F15/065 , C07F7/0803 , C07F7/081 , C07F13/005 , Y10S977/84 , Y10S977/89 , Y10S977/891 , Y10S977/92
摘要: Chemical vapor deposition processes utilize as precursors volatile metal complexes with ligands containing metalloid elements silicon, germanium, tin or lead.
摘要翻译: 化学气相沉积工艺利用与含金属元素硅,锗,锡或铅的配体的前体挥发性金属配合物。
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公开(公告)号:US06184403B2
公开(公告)日:2001-02-06
申请号:US09314311
申请日:1999-05-19
IPC分类号: C07F702
CPC分类号: C07F15/065 , C07F7/0803 , C07F7/081 , C07F13/005 , Y10S977/84 , Y10S977/89 , Y10S977/891 , Y10S977/92
摘要: Chemical vapor deposition processes utilize as precursors volatile metal complexes with ligands containing metalloid elements silicon, germanium, tin or lead.
摘要翻译: 化学气相沉积工艺利用与含金属元素硅,锗,锡或铅的配体的前体挥发性金属配合物。
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3.
公开(公告)号:US6099903A
公开(公告)日:2000-08-08
申请号:US314762
申请日:1999-05-19
申请人: Alain E. Kaloyeros , John T. Welch , Paul J. Toscano , Rolf Claessen , Andrei Kornilov , Kulbinder Kumar Banger
发明人: Alain E. Kaloyeros , John T. Welch , Paul J. Toscano , Rolf Claessen , Andrei Kornilov , Kulbinder Kumar Banger
CPC分类号: C23C16/18 , C07F13/005 , C07F15/065 , C07F7/082
摘要: Chemical vapor deposition processes utilize as precursors volatile metal complexes with ligands containing metalloid elements silicon, germanium, tin or lead.
摘要翻译: 化学气相沉积工艺利用与含金属元素硅,锗,锡或铅的配体的前体挥发性金属配合物。
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