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    MAGNETIC MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    1.
    发明申请
    MAGNETIC MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 有权
    磁记忆体装置及其制造方法

    公开(公告)号：US20160133307A1

    公开(公告)日：2016-05-12

    申请号：US14794801

    申请日：2015-07-08

    申请人： Joonmyoung LEE ,  Kwangseok KIM ,  Ki Woong KIM ,  Whankyun KIM ,  Sang Hwan PARK

    发明人： Joonmyoung LEE ,  Kwangseok KIM ,  Ki Woong KIM ,  Whankyun KIM ,  Sang Hwan PARK

    IPC分类号： G11C11/16 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L43/02

    CPC分类号： H01L43/02 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

    摘要： A magnetic memory device includes a reference magnetic pattern having a magnetization direction fixed in one direction, a free magnetic pattern having a changeable magnetization direction, and a tunnel barrier pattern disposed between the free and reference magnetic patterns. The free magnetic pattern has a first surface being in contact with the tunnel barrier pattern and a second surface opposite to the first surface. The magnetic memory device further includes a sub-oxide pattern disposed on the second surface of the free magnetic pattern, and a metal boride pattern disposed between the sub-oxide pattern and the second surface of the free magnetic pattern. The magnetization directions of the free and reference magnetic patterns are substantially perpendicular to the first surface of the free magnetic pattern.

    摘要翻译： 一种磁存储器件包括具有沿一个方向固定的磁化方向的参考磁图案，具有可变磁化方向的自由磁图案，以及布置在自由参考磁图案和参考磁图案之间的隧道势垒图案。 自由磁性图案具有与隧道阻挡图案接触的第一表面和与第一表面相对的第二表面。 磁存储器件还包括设置在自由磁图案的第二表面上的次氧化物图案，以及设置在子氧化物图案和自由磁图案的第二表面之间的金属硼化物图案。 自由和参考磁性图案的磁化方向基本上垂直于自由磁图案的第一表面。

    MAGNETIC MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
    2.
    发明申请
    MAGNETIC MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 有权
    磁记忆体装置及其制造方法

    公开(公告)号：US20160079520A1

    公开(公告)日：2016-03-17

    申请号：US14729710

    申请日：2015-06-03

    申请人： Sang Hwan PARK ,  Kwangseok KIM ,  Keewon KIM ,  Jae Hoon KIM ,  Joonmyoung LEE

    发明人： Sang Hwan PARK ,  Kwangseok KIM ,  Keewon KIM ,  Jae Hoon KIM ,  Joonmyoung LEE

    IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L43/02

    CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222 ,  H01L29/82 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

    摘要： A memory device includes a magnetic tunnel junction comprising a first free layer, a pinned layer, and a tunnel barrier layer disposed between the first free layer and the pinned layer, wherein the first free layer comprises a first free magnetic pattern adjacent to the tunnel barrier layer, and a second free magnetic pattern spaced apart from the tunnel barrier layer with the first free magnetic pattern interposed therebetween, wherein the second free magnetic pattern contacts the first free magnetic pattern, wherein the first and second free magnetic patterns include boron (B), wherein a boron content of the first free magnetic pattern is higher than a boron content of the second free magnetic pattern, and wherein the boron content of the first free magnetic pattern is in a range of about 25 at % to about 50 at %.

    摘要翻译： 存储器件包括磁性隧道结，其包括第一自由层，被钉扎层和设置在第一自由层和钉扎层之间的隧道势垒层，其中第一自由层包括与隧道势垒相邻的第一自由磁性图案 层和与隧道势垒层间隔开的第一自由磁性图案的第二自由磁图案，其中第二自由磁图形与第一自由磁图案接触，其中第一和第二自由磁图案包括硼（B） 其中所述第一自由磁图案的硼含量高于所述第二自由磁图案的硼含量，并且其中所述第一自由磁图案的硼含量在约25at％至约50at％的范围内。