公开(公告)号：US20080288853A1

公开(公告)日：2008-11-20

申请号：US11889410

申请日：2007-08-13

申请人： Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Hong Rak Son ,  Young Hwan Lee ,  Sung Chung Park ,  Seung-Hwan Song

发明人： Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Hong Rak Son ,  Young Hwan Lee ,  Sung Chung Park ,  Seung-Hwan Song

IPC分类号： H03M13/03

CPC分类号： H03M13/6362

摘要： A code puncturing apparatus and method is provided. The apparatus includes: a codeword selection unit selecting continuous n−1-number of mother codewords from mother codewords generated from k-bit effective information, where k denotes a natural number, and one redundancy bit; and a puncturing unit selecting k-number of redundancy bits from redundancy bits included in the n−1-number of mother codewords, deleting remaining redundancy bits, and rearranging the n−1-number of mother codewords into an n·k bit-target codeword. Accordingly, a code rate of an Error Control Code (ECC) can be raised.

摘要翻译： 提供了一种代码穿刺装置和方法。 该装置包括：码字选择单元，从k比特有效信息生成的母码中选择连续n-1个母码字，其中k表示自然数，一个冗余比特; 以及删截单元，从包含在n-1个母码字中的冗余比特中选择k个冗余比特，删除剩余的冗余比特，并将n-1个母码字重排为nk比特目标码字。 因此，可以提高错误控制码（ECC）的码率。

公开(公告)号：US20090027238A1

公开(公告)日：2009-01-29

申请号：US12010025

申请日：2008-01-18

申请人： Jun Jin Kong ,  Sung Chung Park ,  Seung-Hwan Song ,  Jong Han Kim ,  Young Hwan Lee ,  Kyoung Lae Cho ,  Nam Phil Jo ,  Sung-Jae Byun

发明人： Jun Jin Kong ,  Sung Chung Park ,  Seung-Hwan Song ,  Jong Han Kim ,  Young Hwan Lee ,  Kyoung Lae Cho ,  Nam Phil Jo ,  Sung-Jae Byun

IPC分类号： H03M7/00

CPC分类号： H03M13/235 ,  H03M13/6561

摘要： A code encoding apparatus includes a delay circuit and a code generator. The delay circuit generates delayed information based on p-bit input information received in parallel. The delayed information is generated according to a clock. The code generator generates n·p-bit code based on at least one of the input information and the delayed information, where n is a rational number.

摘要翻译： 码编码装置包括延迟电路和码发生器。 延迟电路基于并行接收的p位输入信息产生延迟信息。 延迟信息根据时钟生成。 代码生成器基于输入信息和延迟信息中的至少一个生成n.p位代码，其中n是有理数。

公开(公告)号：US08239726B2

公开(公告)日：2012-08-07

申请号：US12010025

申请日：2008-01-18

申请人： Jun Jin Kong ,  Sung Chung Park ,  Seung-Hwan Song ,  Jong Han Kim ,  Young Hwan Lee ,  Kyoung Lae Cho ,  Nam Phil Jo ,  Sung-Jae Byun

发明人： Jun Jin Kong ,  Sung Chung Park ,  Seung-Hwan Song ,  Jong Han Kim ,  Young Hwan Lee ,  Kyoung Lae Cho ,  Nam Phil Jo ,  Sung-Jae Byun

IPC分类号： H03M13/00

CPC分类号： H03M13/235 ,  H03M13/6561

摘要： A code encoding apparatus includes a delay circuit and a code generator. The delay circuit generates delayed information based on p-bit input information received in parallel. The delayed information is generated according to a clock. The code generator generates n·p-bit code based on at least one of the input information and the delayed information, where n is a rational number.

摘要翻译： 码编码装置包括延迟电路和码发生器。 延迟电路基于并行接收的p位输入信息产生延迟信息。 延迟信息根据时钟生成。 代码生成器基于输入信息和延迟信息中的至少一个生成n·p位代码，其中n是有理数。

公开(公告)号：US07738293B2

公开(公告)日：2010-06-15

申请号：US12213944

申请日：2008-06-26

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C29/04

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C29/00 ,  G11C2216/14

摘要： A memory programming apparatuses and/or methods are provided. The memory programming apparatus may include a data storage unit, a first counting unit, an index storage unit and/or a programming unit. The data storage unit may be configured to store a data page. The first counting unit may be configured to generate index information by counting a number of cells included in at least one reference threshold voltage state based on the data page. The index storage unit may be configured to store the generated index information. The programming unit may be configured to store the data page in the data storage unit and store the generated index information in the index storage unit. The first counting unit may send the generated index information to the programming unit. The memory programming apparatus can monitor distribution states of threshold voltages in memory cells.

摘要翻译： 提供了存储器编程设备和/或方法。 存储器编程装置可以包括数据存储单元，第一计数单元，索引存储单元和/或编程单元。 数据存储单元可以被配置为存储数据页。 第一计数单元可以被配置为通过基于数据页计数包括在至少一个参考阈值电压状态中的单元的数量来生成索引信息。 索引存储单元可以被配置为存储所生成的索引信息。 编程单元可以被配置为将数据页存储在数据存储单元中，并将生成的索引信息存储在索引存储单元中。 第一计数单元可以将生成的索引信息发送到编程单元。 存储器编程装置可以监视存储器单元中阈值电压的分布状态。

公开(公告)号：US20090190396A1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：US12219264

申请日：2008-07-18

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Dong Hun Yu ,  Jun Jin Kong ,  Seung-Hwan Song ,  Yoon Dong Park ,  Jong Han Kim ,  Young Hwan Lee

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Dong Hun Yu ,  Jun Jin Kong ,  Seung-Hwan Song ,  Yoon Dong Park ,  Jong Han Kim ,  Young Hwan Lee

IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C16/34 ,  G11C11/5642 ,  G11C2211/5634

摘要： A memory device and a method of reading multi-bit data stored in a multi-bit cell array may be provided. The memory device may include a multi-bit cell array including a least one memory page with each memory page having a plurality of multi-bit cells, and a determination unit to divide the plurality of multi-bit cells into a first group and second group. The first group may include multi-bit cells with a threshold voltage higher than a reference voltage. The second group may include multi-bit cells with a threshold voltage lower than the reference voltage. The determination unit may sequentially update the first group and second group while changing the reference voltage.

摘要翻译： 可以提供存储器件和读取存储在多位单元阵列中的多位数据的方法。 存储器件可以包括多比特单元阵列，其包括至少一个存储器页，每个存储器页具有多个多位单元，以及确定单元，用于将多个多位单元划分成第一组和第二组 。 第一组可以包括具有高于参考电压的阈值电压的多位单元。 第二组可以包括阈值电压低于参考电压的多位单元。 确定单元可以在改变参考电压的同时顺序地更新第一组和第二组。

公开(公告)号：US20100254189A1

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：US12801532

申请日：2010-06-14

申请人： Kyoung Lea Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

发明人： Kyoung Lea Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C29/00 ,  G11C2216/14

摘要： A memory programming apparatuses and/or methods are provided. The memory programming apparatus may include a data storage unit, a first counting unit, an index storage unit and/or a programming unit. The data storage unit may be configured to store a data page. The first counting unit may be configured to generate index information by counting a number of cells included in at least one reference threshold voltage state based on the data page. The index storage unit may be configured to store, the generated index information. The programming unit may be configured to store the data page in the data storage unit and store the generated index information in the index storage unit. The first counting unit may send the generated index information to the programming unit. The memory programming apparatus can monitor distribution states of threshold voltages in memory cells.

摘要翻译： 提供了存储器编程设备和/或方法。 存储器编程装置可以包括数据存储单元，第一计数单元，索引存储单元和/或编程单元。 数据存储单元可以被配置为存储数据页。 第一计数单元可以被配置为通过基于数据页计数包括在至少一个参考阈值电压状态中的单元的数量来生成索引信息。 索引存储单元可以被配置为存储所生成的索引信息。 编程单元可以被配置为将数据页存储在数据存储单元中，并将生成的索引信息存储在索引存储单元中。 第一计数单元可以将生成的索引信息发送到编程单元。 存储器编程装置可以监视存储器单元中阈值电压的分布状态。

公开(公告)号：US20090185417A1

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：US12213944

申请日：2008-06-26

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C29/00 ,  G11C2216/14

摘要： A memory programming apparatuses and/or methods are provided. The memory programming apparatus may include a data storage unit, a first counting unit, an index storage unit and/or a programming unit. The data storage unit may be configured to store a data page. The first counting unit may be configured to generate index information by counting a number of cells included in at least one reference threshold voltage state based on the data page. The index storage unit may be configured to store the generated index information. The programming unit may be configured to store the data page in the data storage unit and store the generated index information in the index storage unit. The first counting unit may send the generated index information to the programming unit. The memory programming apparatus can monitor distribution states of threshold voltages in memory cells.

摘要翻译： 提供了存储器编程设备和/或方法。 存储器编程装置可以包括数据存储单元，第一计数单元，索引存储单元和/或编程单元。 数据存储单元可以被配置为存储数据页。 第一计数单元可以被配置为通过基于数据页计数包括在至少一个参考阈值电压状态中的单元的数量来生成索引信息。 索引存储单元可以被配置为存储所生成的索引信息。 编程单元可以被配置为将数据页存储在数据存储单元中，并将生成的索引信息存储在索引存储单元中。 第一计数单元可以将生成的索引信息发送到编程单元。 存储器编程装置可以监视存储器单元中阈值电压的分布状态。

公开(公告)号：US08279668B2

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：US12801532

申请日：2010-06-14

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C29/00 ,  G11C2216/14

摘要： A memory programming apparatuses and/or methods are provided. The memory programming apparatus may include a data storage unit, a first counting unit, an index storage unit and/or a programming unit. The data storage unit may be configured to store a data page. The first counting unit may be configured to generate index information by counting a number of cells included in at least one reference threshold voltage state based on the data page. The index storage unit may be configured to store, the generated index information. The programming unit may be configured to store the data page in the data storage unit and store the generated index information in the index storage unit. The first counting unit may send the generated index information to the programming unit. The memory programming apparatus can monitor distribution states of threshold voltages in memory cells.

摘要翻译： 提供了存储器编程设备和/或方法。 存储器编程装置可以包括数据存储单元，第一计数单元，索引存储单元和/或编程单元。 数据存储单元可以被配置为存储数据页。 第一计数单元可以被配置为通过基于数据页计数包括在至少一个参考阈值电压状态中的单元的数量来生成索引信息。 索引存储单元可以被配置为存储所生成的索引信息。 编程单元可以被配置为将数据页存储在数据存储单元中，并将生成的索引信息存储在索引存储单元中。 第一计数单元可以将生成的索引信息发送到编程单元。 存储器编程装置可以监视存储器单元中阈值电压的分布状态。

公开(公告)号：US07764543B2

公开(公告)日：2010-07-27

申请号：US12219264

申请日：2008-07-18

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Dong Hun Yu ,  Jun Jin Kong ,  Seung-Hwan Song ,  Yoon Dong Park ,  Jong Han Kim ,  Young Hwan Lee

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Dong Hun Yu ,  Jun Jin Kong ,  Seung-Hwan Song ,  Yoon Dong Park ,  Jong Han Kim ,  Young Hwan Lee

IPC分类号： G11C16/00

CPC分类号： G11C16/34 ,  G11C11/5642 ,  G11C2211/5634

摘要： A memory device and a method of reading multi-bit data stored in a multi-bit cell array may be provided. The memory device may include a multi-bit cell array including a least one memory page with each memory page having a plurality of multi-bit cells, and a determination unit to divide the plurality of multi-bit cells into a first group and second group. The first group may include multi-bit cells with a threshold voltage higher than a reference voltage. The second group may include multi-bit cells with a threshold voltage lower than the reference voltage. The determination unit may sequentially update the first group and second group while changing the reference voltage.

摘要翻译： 可以提供存储器件和读取存储在多位单元阵列中的多位数据的方法。 存储器件可以包括多比特单元阵列，其包括至少一个存储器页，每个存储器页具有多个多位单元，以及确定单元，用于将多个多位单元划分成第一组和第二组 。 第一组可以包括具有高于参考电压的阈值电压的多位单元。 第二组可以包括阈值电压低于参考电压的多位单元。 确定单元可以在改变参考电压的同时顺序地更新第一组和第二组。

公开(公告)号：US08773922B2

公开(公告)日：2014-07-08

申请号：US12614545

申请日：2009-11-09

申请人： Seung-Hwan Song ,  Jaehong Kim ,  Kyoung Lae Cho ,  Yong June Kim ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim

发明人： Seung-Hwan Song ,  Jaehong Kim ,  Kyoung Lae Cho ,  Yong June Kim ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim

IPC分类号： G11C7/06

CPC分类号： G11C16/26 ,  G11C11/5642 ,  G11C29/00 ,  G11C2211/5634

摘要： A non-volatile semiconductor memory device and related method of determining a read voltage are disclosed. The non-volatile semiconductor memory device includes; a memory cell array including a plurality of memory cells, a read voltage determination unit configured to determine an optimal read voltage by comparing reference data obtained during a program operation with comparative data obtained during a subsequent read operation and changing a current read voltage to a new read voltage based on a result of the comparison, and a read voltage generation unit configured to generate the new read voltage in response to a read voltage control signal provided by the read voltage determination unit.

摘要翻译： 公开了一种非易失性半导体存储器件及确定读取电压的相关方法。 非易失性半导体存储器件包括： 包括多个存储单元的存储单元阵列，读电压确定单元，被配置为通过将在编程操作期间获得的参考数据与在随后的读取操作期间获得的比较数据进行比较来确定最佳读取电压，并将当前读取电压改变为新的 基于比较结果的读取电压和读取电压生成单元，被配置为响应于由读取电压确定单元提供的读取电压控制信号而产生新的读取电压。