公开(公告)号：US20120008393A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：US12974330

申请日：2010-12-21

申请人： Jung-Chul HAN ,  Tai-Kyu Kang

发明人： Jung-Chul HAN ,  Tai-Kyu Kang

IPC分类号： G11C16/16 ,  G11C16/04 ,  G11C16/28 ,  G11C16/34

CPC分类号： G11C16/3418 ,  G11C16/14

摘要： An operation method of a nonvolatile memory device includes reading information of an erase target block, and performing an erase operation by using a starting erase bias corresponding to the information.

摘要翻译： 非易失性存储器件的操作方法包括读取擦除目标块的信息，并且通过使用与该信息对应的起始擦除偏置来执行擦除操作。

公开(公告)号：US20120218818A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：US13104475

申请日：2011-05-10

申请人： Jung-Chul HAN ,  Seong-Je Park

发明人： Jung-Chul HAN ,  Seong-Je Park

IPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/04

CPC分类号： G11C16/3454 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10

摘要： A nonvolatile memory device includes a page region including a plurality of normal cells and a plurality of auxiliary cells, a detecting unit configured to output a pass signal when at least one cell is programmed with a voltage higher than a reference voltage among program target cells of the page region, a count storing unit configured to store a count in the plurality of auxiliary cells during a first program operation for the page region, wherein the count indicates a total number of program pulses applied to the at least one cell until the pass signal is outputted from the detecting unit, and a voltage setting unit configured to set a program start voltage for a second program operation of the page region based on the count stored in the plurality of auxiliary cells.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括包括多个正常单元和多个辅助单元的页面区域，检测单元，被配置为当至少一个单元被编程为高于参考电压的电压时，输出通过信号， 所述页面区域，计数存储单元，被配置为在所述页面区域的第一编程操作期间在所述多个辅助单元中存储计数，其中所述计数指示施加到所述至少一个单元的编程脉冲的总数，直到所述通过信号 从所述检测单元输出，以及电压设定单元，其被配置为基于存储在所述多个辅助单元中的计数来设置用于所述页面区域的第二编程操作的程序开始电压。