公开(公告)号：US20130078777A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13618054

申请日：2012-09-14

申请人： Kangguo CHENG ,  Bruce B. DORIS ,  Ali KHAKIFIROOZ ,  Pranita KULKARNI ,  Tak H. NING

发明人： Kangguo CHENG ,  Bruce B. DORIS ,  Ali KHAKIFIROOZ ,  Pranita KULKARNI ,  Tak H. NING

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696

摘要： A method is provided for fabricating a transistor. According to the method, a doped material layer is formed on a semiconductor layer, and dopant is diffused from the doped material layer into the semiconductor layer to form a graded dopant region in the semiconductor layer. The graded dopant region has a higher doping concentration near a top surface of the semiconductor layer and a lower doping concentration near a bottom surface of the semiconductor layer, with a gradual decrease in the doping concentration. The doped material layer is removed, and then a gate stack is formed on the semiconductor layer. Source and drain regions are formed adjacent to an active area that is in the semiconductor layer underneath the gate stack. The active area comprises at least a portion of the graded dopant region, and the source and drain regions and the active area have the same conductivity type.

摘要翻译： 提供了一种用于制造晶体管的方法。 根据该方法，在半导体层上形成掺杂材料层，掺杂剂从掺杂材料层扩散到半导体层中，以在半导体层中形成渐变掺杂区域。 渐变掺杂区域在半导体层的顶表面附近具有更高的掺杂浓度，并且在半导体层的底表面附近具有较低的掺杂浓度，掺杂浓度逐渐降低。 去除掺杂材料层，然后在半导体层上形成栅叠层。 源极和漏极区域形成在栅极堆叠下方的半导体层中的有源区域附近。 有源区域包括渐变掺杂区域的至少一部分，源极和漏极区域以及有源区域具有相同的导电类型。

公开(公告)号：US20110088008A1

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：US12579159

申请日：2009-10-14

申请人： John A. FIFIELD ,  Mark C. HAKEY ,  Jason D. HIBBELER ,  James S. NAKOS ,  Tak H. NING ,  Kenneth P. RODBELL ,  Ronald D. ROSE ,  Henry H.K. TANG ,  Larry WISSEL

发明人： John A. FIFIELD ,  Mark C. HAKEY ,  Jason D. HIBBELER ,  James S. NAKOS ,  Tak H. NING ,  Kenneth P. RODBELL ,  Ronald D. ROSE ,  Henry H.K. TANG ,  Larry WISSEL

IPC分类号： G06F17/50 ,  H03M13/05 ,  G06F11/10

CPC分类号： G06F17/5068 ,  G06F11/1048 ,  G06F17/505

摘要： A method is provided to convert commercial microprocessors to radiation-hardened processors and, more particularly, a method is provided to modify a commercial microprocessor for radiation hardened applications with minimal changes to the technology, design, device, and process base so as to facilitate a rapid transition for such radiation hardened applications. The method is implemented in a computing infrastructure and includes evaluating a probability that one or more components of an existing commercial design will be affected by a single event upset (SEU). The method further includes replacing the one or more components with a component immune to the SEU to create a final device.

摘要翻译： 提供了一种将商业微处理器转换为辐射硬化处理器的方法，更具体地，提供了一种方法，以便以最小的技术，设计，设备和工艺基础的改变来修改用于辐射硬化应用的商业微处理器，以便于 这种辐射硬化应用的快速过渡。 该方法在计算基础设施中实现，并且包括评估现有商业设计的一个或多个组件将受到单个事件不适（SEU）的影响的概率。 该方法还包括用免疫SEU的成分替换一个或多个成分以产生最终的装置。