公开(公告)号：US20080266984A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：US12134347

申请日：2008-06-06

申请人： Howard H. Chen ,  John A. Fifield ,  Louis L. Hsu ,  Henry H.K. Tang

发明人： Howard H. Chen ,  John A. Fifield ,  Louis L. Hsu ,  Henry H.K. Tang

IPC分类号： G11C7/10

CPC分类号： G11C11/406 ,  G01R31/31816 ,  G11C11/401 ,  G11C11/40615 ,  G11C11/4078 ,  G11C11/4091 ,  G11C29/026 ,  G11C29/028 ,  G11C29/50 ,  G11C29/52 ,  G11C2029/5002

摘要： Aspects of the invention relate to a programmable heavy-ion sensing device for accelerated DRAM soft error detection. Design of a DRAM-based alpha particle sensing apparatus is preferred to be used as an accelerated on-chip SER test vehicle. The sensing apparatus is provided with programmable sensing margin, refresh rate, and supply voltage to achieve various degree of SER sensitivity. In addition, a dual-mode DRAM array is proposed so that at least a portion of the array can be used to monitor high-energy particle activities during soft-error detection (SED) mode.

摘要翻译： 本发明的方面涉及用于加速DRAM软错误检测的可编程重离子感测装置。 优选将基于DRAM的α粒子感测装置的设计用作加速片上SER测试车辆。 该感测装置具有可编程的感应余量，刷新率和电源电压，以达到SER灵敏度的各种程度。 另外，提出了双模DRAM阵列，使得阵列的至少一部分可以用于在软错误检测（SED）模式期间监视高能量粒子活动。

公开(公告)号：US20100237389A1

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：US12408205

申请日：2009-03-20

申请人： Mark C. HAKEY ,  Tak H. Ning ,  Philip J. Oldiges ,  Henry H.K. Tang

发明人： Mark C. HAKEY ,  Tak H. Ning ,  Philip J. Oldiges ,  Henry H.K. Tang

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/8232 ,  G06F17/50

CPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78

摘要： The invention relates to a design structure, and more particularly, to a design structure for a heavy ion tolerant device, method of manufacturing the same and a structure thereof. The structure includes a first device having a diffusion comprising a drain region and source region and a second device having a diffusion comprising a drain region and source region. The first and second device are aligned in an end-to-end layout along a width of the diffusion of the first device and the second device. A first isolation region separating the diffusion of the first device and the second device.

摘要翻译： 本发明涉及一种设计结构，更具体地，涉及一种用于重离子容错装置的设计结构，其制造方法及其结构。 该结构包括具有包括漏极区域和源极区域的扩散的第一器件和具有包括漏极区域和源极区域的扩散部分的第二器件。 第一和第二装置沿着第一装置和第二装置的扩散的宽度在端对端布局中对准。 分离第一装置和第二装置的扩散的第一隔离区。

公开(公告)号：US20110088008A1

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：US12579159

申请日：2009-10-14

申请人： John A. FIFIELD ,  Mark C. HAKEY ,  Jason D. HIBBELER ,  James S. NAKOS ,  Tak H. NING ,  Kenneth P. RODBELL ,  Ronald D. ROSE ,  Henry H.K. TANG ,  Larry WISSEL

发明人： John A. FIFIELD ,  Mark C. HAKEY ,  Jason D. HIBBELER ,  James S. NAKOS ,  Tak H. NING ,  Kenneth P. RODBELL ,  Ronald D. ROSE ,  Henry H.K. TANG ,  Larry WISSEL

IPC分类号： G06F17/50 ,  H03M13/05 ,  G06F11/10

CPC分类号： G06F17/5068 ,  G06F11/1048 ,  G06F17/505

摘要： A method is provided to convert commercial microprocessors to radiation-hardened processors and, more particularly, a method is provided to modify a commercial microprocessor for radiation hardened applications with minimal changes to the technology, design, device, and process base so as to facilitate a rapid transition for such radiation hardened applications. The method is implemented in a computing infrastructure and includes evaluating a probability that one or more components of an existing commercial design will be affected by a single event upset (SEU). The method further includes replacing the one or more components with a component immune to the SEU to create a final device.

摘要翻译： 提供了一种将商业微处理器转换为辐射硬化处理器的方法，更具体地，提供了一种方法，以便以最小的技术，设计，设备和工艺基础的改变来修改用于辐射硬化应用的商业微处理器，以便于 这种辐射硬化应用的快速过渡。 该方法在计算基础设施中实现，并且包括评估现有商业设计的一个或多个组件将受到单个事件不适（SEU）的影响的概率。 该方法还包括用免疫SEU的成分替换一个或多个成分以产生最终的装置。