公开(公告)号：US20110088008A1

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：US12579159

申请日：2009-10-14

申请人： John A. FIFIELD ,  Mark C. HAKEY ,  Jason D. HIBBELER ,  James S. NAKOS ,  Tak H. NING ,  Kenneth P. RODBELL ,  Ronald D. ROSE ,  Henry H.K. TANG ,  Larry WISSEL

发明人： John A. FIFIELD ,  Mark C. HAKEY ,  Jason D. HIBBELER ,  James S. NAKOS ,  Tak H. NING ,  Kenneth P. RODBELL ,  Ronald D. ROSE ,  Henry H.K. TANG ,  Larry WISSEL

IPC分类号： G06F17/50 ,  H03M13/05 ,  G06F11/10

CPC分类号： G06F17/5068 ,  G06F11/1048 ,  G06F17/505

摘要： A method is provided to convert commercial microprocessors to radiation-hardened processors and, more particularly, a method is provided to modify a commercial microprocessor for radiation hardened applications with minimal changes to the technology, design, device, and process base so as to facilitate a rapid transition for such radiation hardened applications. The method is implemented in a computing infrastructure and includes evaluating a probability that one or more components of an existing commercial design will be affected by a single event upset (SEU). The method further includes replacing the one or more components with a component immune to the SEU to create a final device.

摘要翻译： 提供了一种将商业微处理器转换为辐射硬化处理器的方法，更具体地，提供了一种方法，以便以最小的技术，设计，设备和工艺基础的改变来修改用于辐射硬化应用的商业微处理器，以便于 这种辐射硬化应用的快速过渡。 该方法在计算基础设施中实现，并且包括评估现有商业设计的一个或多个组件将受到单个事件不适（SEU）的影响的概率。 该方法还包括用免疫SEU的成分替换一个或多个成分以产生最终的装置。

公开(公告)号：US20080143373A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：US12039829

申请日：2008-02-29

申请人： Anthony R. BONACCIO ,  Karl R. ERICKSON ,  John A. FIFIELD ,  Chandrasekharan KOTHANDARAMAN ,  Phil C. PAONE ,  William R. TONTI

发明人： Anthony R. BONACCIO ,  Karl R. ERICKSON ,  John A. FIFIELD ,  Chandrasekharan KOTHANDARAMAN ,  Phil C. PAONE ,  William R. TONTI

IPC分类号： H03K19/00

CPC分类号： G06F12/1433 ,  G06F21/6245

摘要： Techniques and systems whereby operation of and/or access to particular features of an electronic device may be controlled after the device has left the control of the manufacturer are provided. The operation and/or access may be provided based on values stored in non-volatile storage elements, such as electrically programmable fused (eFUSES).

摘要翻译： 提供了在设备已经离开制造商的控制之后可以控制电子设备的特定特征的操作和/或访问的技术和系统。 可以基于存储在诸如电可编程融合（eFUSES）的非易失性存储元件中的值来提供操作和/或访问。

公开(公告)号：US20130321066A1

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：US13487336

申请日：2012-06-04

申请人： John A. FIFIELD ,  Gerald P. POMICHTER, JR.

发明人： John A. FIFIELD ,  Gerald P. POMICHTER, JR.

IPC分类号： H01H37/76

CPC分类号： H04L9/16 ,  G06F12/1408 ,  G06F21/602 ,  G06F21/62 ,  G06F21/71 ,  G09C1/00 ,  G11C17/16 ,  H01H37/76 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/5444 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2924/0002 ,  H04L9/0618 ,  H04L9/08 ,  H04L9/28 ,  H04L2209/12 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor structure including a device configured to receive an input data-word. The device including a logic structure configured to generate an encrypted data-word by encrypting the input data-word through an encrypting operation. The device further including an eFuse storage device configured to store the encrypted data-word as eFuse data by blowing fuses in accordance with the encrypted data-word.

摘要翻译： 一种半导体结构，包括被配置为接收输入数据字的器件。 该装置包括被配置为通过加密操作加密输入数据字来生成加密数据字的逻辑结构。 该设备还包括一个eFuse存储设备，该eFuse存储设备被配置为根据加密的数据字通过熔断熔丝来将加密的数据字存储为eFuse数据。

公开(公告)号：US20110170368A1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：US12686013

申请日：2010-01-12

申请人： John A. FIFIELD ,  Thomas M. MAFFITT ,  Dale E. PONTIUS

发明人： John A. FIFIELD ,  Thomas M. MAFFITT ,  Dale E. PONTIUS

IPC分类号： G11C5/14 ,  G05F1/10

CPC分类号： H02M3/07 ,  G11C5/145 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028

摘要： Charge pump circuit includes a plurality of boost capacitors. An output charge of the charge pump circuit is adjusted by selecting a number of the boost capacitors at least one of using a digital control word and programming of a wiring level. A method of boosting supply voltage uses a charge pump circuit. The method includes adjusting an output charge of the charge pump circuit by selecting a number of boost capacitors at least one of using a digital control word and by programming of a wiring level

摘要翻译： 电荷泵电路包括多个升压电容器。 通过选择多个升压电容器来调整电荷泵电路的输出电荷，至少使用数字控制字和布线电平的编程。 提高电源电压的方法使用电荷泵电路。 该方法包括通过选择多个升压电容器来调整电荷泵电路的输出电荷，所述升压电容器使用数字控制字和编程布线电平中的至少一个

公开(公告)号：US20130215686A1

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：US13401368

申请日：2012-02-21

申请人： Darren L. ANAND ,  John A. FIFIELD

发明人： Darren L. ANAND ,  John A. FIFIELD

IPC分类号： G11C7/10 ,  G11C5/14 ,  G06F17/50 ,  H02J4/00

CPC分类号： G11C5/147 ,  Y10T307/718

摘要： A reference generator with programmable m and b parameters and methods of use are provided. A circuit includes a first generator operable to generate a first voltage including a fraction of a supply voltage. The circuit further includes a second generator operable to generate a second voltage. The circuit further includes a mixer and buffer circuit operable to output a reference voltage including a sum of the first and second voltages.

摘要翻译： 提供了具有可编程m和b参数和使用方法的参考发生器。 电路包括可操作以产生包括电源电压的一部分的第一电压的第一发生器。 电路还包括可操作以产生第二电压的第二发生器。 该电路还包括可操作以输出包括第一和第二电压之和的参考电压的混频器和缓冲电路。

公开(公告)号：US20130214851A1

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：US13397983

申请日：2012-02-16

申请人： John A. FIFIELD

发明人： John A. FIFIELD

IPC分类号： G05F3/02

CPC分类号： H02M3/07

摘要： A voltage pump using high-performance, thin-oxide devices and methods of use are provided. A multi-stage voltage boosting circuit includes a first boost capacitor with a first boosted voltage. The multi-stage voltage boosting circuit further includes a second boost capacitor with a second boosted voltage. The multi-stage voltage boosting circuit further includes a precharge transistor operable to precharge the first boost capacitor to a supply voltage. The multi-stage voltage boosting circuit further includes a precharge circuit operable to limit a stress voltage on the precharge transistor to the supply voltage, to drive the first boosted voltage to a gate of the precharge transistor in a boosting state, and to drive ground to the gate in a precharge state.

摘要翻译： 提供了使用高性能，薄氧化物装置和使用方法的电压泵。 多级升压电路包括具有第一升压电压的第一升压电容器。 多级升压电路还包括具有第二升压电压的第二升压电容器。 多级升压电路还包括预充电晶体管，其可操作以将第一升压电容器预充电至电源电压。 多级升压电路还包括预充电电路，其可操作以将预充电晶体管上的应力电压限制到电源电压，以在升压状态下将第一升压电压驱动到预充电晶体管的栅极，并将其驱动到 门处于预充电状态。